Основание под возводимый на слабых грунтах центрально вертикально нагруженный фундамент

 

Изобретение относится к строительству и касается конструкций оснований сооружений на слабых грунтах. Цель изобретения - снижение материалоемкости подушки 1 и плиты-диафрагмы 2 при сохранении несущей способности основания обеспечивается выполнением подушки 1 толщиной h, соответствующей величине предельно допустимой осадки плиты-диафрагмы 2 под суммарной нагрузкой от массы фундамента 3 и подушки 1. При этом ширина В плитыдиафрагмы 2 определяется в зависимости от ширины фундамента и коэффициента распределительной способности материала подушки. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4445958/33 (22) 23.06.88 (46) 23.02.91. Бюл. М 7 (71) Научно-исследовательский институт оснований и подземных сооружений им.Н.М. Ге рсева нова (72) С.В.Довнарович (53) 624.159(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

М 1150300, кл. Е 02 0 3/12, 1983. (54) ОСНОВАНИЕ РОД ВОЗВОДИМЫЙ НА

СЛАБЫХ ГРУНТАХ ЦЕНТРАЛЬНО ВЕРТИКАЛ Ь НО НАГРУЖЕ НН Ы Й ФУНДАМЕ НТ,,5U,„, 16294)4 А1 (57) Изобретение относится к строительству и касается конструкций оснований сооружений на слабых грунтах. Цель изобретения— снижение материалоемкости подушки 1 и плиты-диафрагмы 2 при сохранении несущей способности основания обеспечивается выполнением подушки 1 толщиной h, соответствующей величине предельно допустимой осадки плиты-диафрагмы 2 под суммарной нагрузкой от массы фундамента

3 и подушки 1. При этом ширина В плитыдиафрагмы 2 определяется в зависимости от ширины фундамента и коэффициента распределительной способности материала подушки. 1 ил.

1б29414

Соста вител ь Т.Пономарева

Техред M,MoðãåíTàë Корректор А.Осауленко

Редактор Г.Гербер

Заказ 415 Тираж 404 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул.Гагарина, 101

Изобретение относится к строительству и касается конструкций оснований сооружений на слабых грунтах, Целью изобретения является снижение материалоем кости подуш ки и пл иты-диафрагмы при сохранении несушей способности основания.

--.. На.чертеже изображено предлагаемое устройство.

Основание состоит из подфундаментной подушки 1 из уплотненного грунта, подстилаемой плитой-диафрагмой 2. На подушку 1 установлен фундамент 3. Под плитой-диафрагмой 2 расположен нижний слой основания со слабыми грунтами 4. Подушка

1 выполнена толщиной h, соответствующей величине предельно допустимой осадки плиты-диафрагмы 2 под суммарной нагрузкой от веса фундамента 3 и подушки 1. Ширина В плиты-диафрагмы 2 определена зависимостью В = о+ К ° h, где Ь вЂ” ширина фундамента; К вЂ” коэффициент распределивЂ.ельной способности материала подушки, определяемый экспериментально опытным нагружением образца из этого материала с измерением распределения напряжений по зго ширине;. причем толщина плиты-диафрагмы 2 определена из условия обеспечения прочности ее при давлении от фундамента, линейно возраста>зщем от нулевого значения на краях плиты-диафрагмы до максимального по ее продольной оси.

Основание выполняют следующим образом.

Отрывают котлован, дно которого устраивают ниже отметки подошвы фундаментов на суммарную толщину подушки h u плиты-диафрагмы д. Далее по дну котлована, по оси фундамента, устраивают плитыдиафрагмы шириной В. Над плитами-диа. фрагмами отсыпают и послойно уплотняют

5 слой фундаментной подушки с отметкой верха слоя, равной отметке подошвы фундаментов.

Формула изобретения

10 Основание под возводимый на слабых грунтах центрально вертикально нагруженный фундамент, включающее подфундаментную подушку из уплотненного грунта, подстилаемую плитой-диафрагмой, ширина

15 которой превышает ширину фундама ">та, о гл и ч а ю щ ее с я тем, что, с целью сниже:"ия материалоемкости подушки и плиты-д>ль рагмы при сохранении несущей способности оснсвавния, подушка выполнена тол20 щ>:ной h, соответ=твующей величине предел:-.но допустимой осадки плиты-диафрагм; под суммарной нагрузкой от веса фундаме>,та и подушки, а ширина В плиты-диафрагмы определена зависимостью

25 В=Ь+К h, где Ь вЂ” ширина фундамента;

К вЂ” коэффициент распределительной способности материала подушки, определяемый экспериментально опытным нагруже30 нием образца из этого материала с измерением распределения напряжений по его ширине, причем толщина плиты-диафрагмы определена из условия обеспечения прочности ее при давлении от фундамента, ли35 нейно возрастающем от нулевого значения на краях плиты-диафрагмы до максимального по ее продольной оси.