Способ изготовления дифракционной решетки

Авторы патента:

Изобретение касается технологии изготовления полупроводниковых изделий и может быть использовано для изготовления интегрально-оптических элементов ввода-вывода излучения и дифракционных решеток. Цель изобретения - повышение качества решетки путем увеличения отношения глубины штриха к периоду этой решетки. На поверхности образца из арсенида галлия методом фотолитографии предварительно формируют защитную маску из двуокиси алюминия, после чего образец подвергают иокиохнмичесьому травлению в газовой смеси, состоящей из 95+0,5 об.% ксенона и 5± .+ 0,5 об.% паров воды с энергией ионов 1-1,5 кэВ и плотностью ионного (тока 1-2 мА/смг. с 58 (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН (Sl)S Н 01 Ь 21/467

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСН0МУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОЧКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 3935183/63 (22) 22.07.85 (46) 23.02.91. Бюл. М 7 (72) Л.В.Вишневская, В.А.Лысенко и A.Ô.Ïåðâåån (53) 621.382 (088 .8) (56) Горячев Д.Н. и др. Расщепление спектра поверхностных поляритонов голографической решеткой. вЂ” Поверхность. Физика, химия, механика, 1984, N 2, с ° 44-47.

Nakamura N. et al. GaAs-GaA1As

double-hetегоstructure injection

lasers with- distributed feedback.

IEEE Journal of Quantum Еlectronics, 1975, v, QE-11, Р 7, р. 436. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИФРАКЦИОН . НОИ РЕШЕТКИ

Изобретение относится к технологии, изготовления полупроводниковых изделий и может быть использовано для изготовления интегрально-оптических элементов ввода-вывода излучения и дифракционных решеток.

Целью изобретения является повышение качества решетки путем увеличения отношения глубины штриха к периоду этой решетки.

Для изготовления дифракционной решетки на поверхности образца из арсенида галлия методом фотолитографии предварительно формируют защитную маску из двуокиси алюминия, после этого образец подвергают ионнохимическому травлению в газовой смеси, „„SU„„1629930 А 1 (57) Изобретение касается технологии изготовления полупроводниковых изделий и может быть использовано для изготовления интегрально-оптических элементов ввода-вывода излучения и дифракционных решеток. Цель изобретения вЂ” повышение качества решетки путем увеличения отношения глубины штриха к периоду этой решетки. На поверхности образца из арсенида галлия методом фотолитографии предварительно формируют защитную маску из двуокиси алюминия, после чего образец подвергают ионнохимическому травлению в газовой смеси, состоя. щей из 95+0,5 об.7. ксенона и 5

+0 5 об.К паров воды с энергией ионов 1-1,5 кэВ и плотностью ионного

; тока 1-2 мА/см . состоящей из 95+0,5 об.X ксенона и

5+0 5 об,X паров воды при энергии ионов 1-1,5 кэВ и плотности ионного тока 1-2 мА/см . Использование водородсодержащей газовой смеси приводит к образованию легколетучих гидридов мышьяка, которые легко удаляются из зоны реакции. Галлий удаляется за счет физического распыления массивными ионами ксенона. Наличие в плазме разряда кислорода способствует резкому снижению скорости распыления маски из двуокиси алюминия. Таким образом, в смеси, содержащей пары воды и ксенон, происходит одновре менное увеличение скорости распыления арсенида галлия и снижение скорости

3 1629930 4

/ распыления маски, что повышает селек- методом фотолитографии, о т л ивЂ” тивность травления и позволяет изго- ч а ю шийся тем, что, с целью тавливать дифракционные решетки с повышения качества решетки путем глубиной штрихов более 5 мкм. увеличения отношения глубины штриха к периоду этой решетки, маску формируФор мула и з о бр ет ения ютиздвуокиси алюминия, при этом проводят ионнохимическое травление

Способ изготовления дифракционной через эту маску в газовой смеси, решетки на поверхности пластины из 10 содержащей 94,5-95,5 o6.X ксенона арсенида галлия, включающий ионное и 4,5-5,5 об.Х паров воды при энертравление штрихов на этой поверхнос- гни ионов 1-1,5 кэВ и плотности ионти с использованием маски, полученной ного тока 1-2 мЛ/см ..

Составитель В.Каминский

Редактор В.Бугренкова Техред А,Кравчук Корректор О.Кравцова свЂ”

Заказ 440 Тираж 363 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101

Способ изготовления дифракционной решетки

Изобретение относится к области оптоэлектроники, может быть использовано в технологии изготовления лазеров и фотоприемных устройств ИК-диапазона

Формирование маски для травления алмазных пленок // 2557360

Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что маска из диэлектрика или металла изготавливается до роста алмазной пленки на подложке с ровной поверхностью, обеспечивающей субмикронные размеры маски, с последующим формированием на маске алмазной пленки и вскрытием окна со стороны подложки, что обеспечивает доступ со стороны подложки реагентов для травления алмазной пленки через маску. Изобретение обеспечивает формирование субмикронной маски для травления алмазной пленки до роста алмазной пленки. 6 ил.,1 табл.