Частотно-избирательное устройство на магнитостатических волнах
Изобретение относится к технике СВЧ. Цель изобретения - увеличение внеполосного затухания. В рабочей полосе частот связь между входным и выходным отрезками 5, 6 линий передачи осуществляется посредством магнитостатических волн, возбуждаемых в ферритовой пленке 4 входным преобразователем 2 и преобразуемых в СВЧ-сигнал выходным преобразователем 3. Паразитная индуктивная связь между входным и выходным преобразователями 2, 3 компенсируется благодаря пр.отивоположному направлению СВЧ-токов в центральной части 7 входного отрезка 5 и во-входном преобразователе 2. 2 ил.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (51)5 Н 01 Р 1/218
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО. ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
0 (л) о (л) (21) 4462524/09 (22) 18,07,88 (46) 28.02.91. Бюл. М 8 (71) Ленинградский политехнический инсти- тут им. М.И.Калинина (72) С.А.Третьяков и Т.Г.Харина (53) 621.372 (088,8) (56) J.Appl Phys, 50 (3), March, 1979, р, 2455—
2457.
Авторское свидетельство СССР
М 1350704, кл. Н 01 Н 1/218, 1987. (54) ЧАСТОТНО-ИЗБИРАТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО НА МАГНИТОСТАТИЧЕСКИХ
ВОЛНАХ
»!Ж 1631631 А1 (57) Изобретение относится к технике СВЧ.
Цель изобретения — увеличение внеполосного затухания. В рабочей полосе частот связь между входным и выходным отрезками 5, 6 линий передачи осуществляется посредством магнитостатических волн, возбуждаемых в ферритовой пленке 4 входным преобразователем 2 и преобразуемых в
СВЧ-сигнал выходным преобразователем 3.
Паразитная индуктивная связь между входным и выходным преобразователями 2, 3 компенсируется благодаря противоположному направлению СВЧ-токов в центральной части 7 входного отрезка 5 и во.входном преобразователе 2. 2 ил.
1631631
Составитель Н.Павлова
Редактор M,Áàéäóðà Техред М.Моргентэл Корректор С.Черни
Заказ 551 Тираж 338 Подписное
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5
Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул,Гагарина, 101
Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано как полосовой фильтр или линия задержки в приемных, передающих и измерительных радиотехнических системах, Целью изобретения является увеличение внеполосного затухания, На фиг.1 изображено частотно-избирательное устройство на магнитостэтических волнах, вид сверху; на фиг,2 — то же, вид спереди.
Устройство содержит диэлектрическую подложку 1, на которую нанесены входной и выходной преобразователи 2, 3 магнитостатических волн, ферритовую пленку 4, намагниченную до насыщения и расположенную на входном и выходном преобразователях 2, 3, входной и выходной отрезки 5, 6 линий передачи, к которым подключены входной и выходной преобразователи 2, 3 соответственно. Входной и выходной отрезки 5, 6 выполнены S-образными, центральные части 7„8 которых параллельны входному и выходному преобразователям 2, 3, На нижнюю поверхность диэлектрической подложки 1 нанесен слой 9 металлизации.
Частотно-избирательное устройство на магнитостатических волнах работает следующим образом.
СВЧ-сигнал через входной отрезок 5 поступает на входной преобразователь 2, который возбуждает в ферритовой пленке 4 магнитостатические волны, распространяющиеся к выходному преобразователю 3. С выходного преобразователя 3 СВЧ-сигнал поступает в выходной отрезок б. Поскольку все размеры устройства много меньше длины рабочей электромагнитной волы, в цент5 ральной части 7 входного отрезка 5 течет
СВЧ-ток, направленный противоположно току во входном преобразователе 2. Благодаря этому току около выходного преобразователя 3 частично компенсируется поток
10 магнитной индукции, создаваемый током входного преобразователя 2 и обусловливающий паразитную связь между входным и выходным преобразователями 2, 3. Ток в центральной части 7 не влияет на возбужде15 ние магнитостатических волн в ферритовой пленке 4, так как входной отрезок 5 не перекрывается ферритовой пленкой 4.
Формула изобретения
Частотно-избирательное устройство на
20 магнитостатических волнах, содержащее диэлектрическую подложку, на которую нанесены входной и выходной преобразователи магнитостатических волн, нэ которых расположена ферритовая пленка, намагни25 ченная до насыщения, при этом входной и выходной преобразователи магнитостатических волн подключены к входному и выходному отрезкам линий передачи соответственно, о т л и ч а ю щ е е с я тем, 30 что, с целью увеличения внеполосного затухания, входной и выходной отрезки линий передачи выполнены S-образными, центральные части которых параллельны входному и выходному преобразователям
35 магнитостатических волн.
