Затравкодержатель

 

Изобретение относится к устройствам для выращивания монокристаллов методом Чохральского и может быть использовано в электронной технике. Цель - исключить вывод дислокаций от затравки на боковую поверхность кристалла и повысить надежность его крепления . Затравкодержатель выполнен в виде трубки из платины. На нижнем конце его .внутренняя поверхность имеет спиралеобразный выступ. На верхней части выступа размещена затравка. Спиралеообразньй выступ имеет по крайней мере один полный виток. Высота выступа не превышает 2/3 диаметра трубки. Получены монокристаллы ниобата лития диаметром 75 мм. 2 ил., 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (У1) 5 С 30 В 15/32

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

1 (21) 4696203/26 (22) 13.02.89 (46) 23.03.91. Бюл. В 11 (72) О.П.Пуш, И.И.Изотов, Л.Э.Мель:ник и И.Ю Грофименко. (53) 621. 315. 592 (088.8) (56) Заявка Японии 1Р 60-54918, кл. С 30 В 15/32, 1985. (54) ЗАТРАВКОДЕРЖАТЕЛЬ (57) Изобретение относится к устройствам для выращивания монокристаллов методом Чохральского и может быть использовано в электронной технике.

Изобретение относится к устройствам для выращивания монокристаллов методом Чохральского и может быть использовано в электронной технике.

Цель изобретения — исключение вывода дислокаций от затравки на боковую поверхность кристалла и повышение надежности его крепления, На фиг. 1 представлен затравкодеряатель, общий вид; на фиг.2 — то же, с выращенным кристаллом.

На тигеле 1 для расплава 2 на штоке 3 закреплен затравкодержатель, выполненный в виде трубки 4. Внутренняя поверхность последней имеет профилированную поверхность для крепления затравки 5. Профиль выполнен в виде спиралеобразного выступа 6, имеющего по крайней мере один полный виток.

„„SU„„16364 5 А1

Цель — исключить вывод дислокаций от затравки на боковую поверхность кристалла и повысить надежность его крепления. Затравкодержатель выполнен в виде трубки из платины. На нижнем конце его внутренняя поверхность имеет спиралеобразный выступ. На верх1 ней части выступа размещена затравка.

Спиралеообразный выступ имеет по крайней мере один полный виток. Высота выступа не превышает 2/3 диаметра трубки. Получены монокристаллы ниобата лития диаметром 75 мм. 2 ил. °

1 табл.

Высота выступа 6 не превышает 2/3 диаметра трубки 4.

Затравкодержатель используется следующим образом, На верхнюю часть спиралеобразного выступа 6 затравкодержателя помещают затравку 5, диаметр которой равен внутреннему диаметру трубки 4 (510 мм). Затравкодержатель закр пляют на штоке 3. В тигле 1 расплавляют исходный материал. Затем затравкодер. жатель опускают в расплав 2 до соприкосновения с ним затравки 5 и производят вытягивание монокристалла 7.

Некоторое время монокристалл 7 растет внутри трубки 4, представляя собой продолжение затравки 5. Спиралеобразный выступ 6 служит при этом не только для крепления затравки 5 и на1636485

Коли- Результат роста честно витков

Высота

Внутренний диаметр затр авкодержат еля, МИ спиралеобразного выступа, мм

4,5

2,2

2,5

0,5

3,5

4,6

4,8

1

19,5

5,3

0,8

10 дежного крепления выращиваемого кристалла 7, но и предотвращает движение дислокаций 8, образовавшихся при затравливании к боковой поверхности кристалла 7.

Выращивают монокристалл LiNbO ди- .

1 аметров 75 мм методом Чохральского.

В платиновый затравкодержатель длиной

200 мм и внутренним диаметром 6 мм помещают затравку длиной 30 мм и диаметром 6 мм.

В нижней части затравкодержателя на внутренней поверхности на высоте

40 мм выполнен спиралеобразный выступ, имеющий один виток и высоту выступа 3 мм.

В таблице приведены данные по выращиванию кристаллов в зависимости от высоты выступа и количества витков.

Формула изобретения

Затравкодержатель для выращивания кристаллов из расплава, выполненный в виде трубки, нижний конец которой имеет внутренюю профилированную поверх- ность для крепления затравки, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью искпючения вывода дислокаций от затравки на боковую поверхность кристалла и повышения надежности его крепления, профиль выполнен в виде спиралеобраэногс выступа, имеющего по крайней мере один полный виток, высота выступа не превышает 2/3 диаметра трубки и затравка размещена на верхней части выступа.

При достижении монокристаллом веса 3 кг затравка обломилась

При достижении монокристаллом веса 3 кг часть затравки и половина монокристалла откололась и упала в расплав

Монокристалл высокого качества, вес 3,5 кг

То же

Монокристалл среднего качества, присутствуют зоны напряжения, вес 3,5 кг

Монокристалл низкого качества, содержит большое количество дислокаций, вес 4 кг

При достижении монокристаллом веса 4 кг монокристалл оторвался и упал в расплав

Составитель Н.Давыцова

Редактор Н.Бобкова Техред Л.Олийнык Корректор Т.Малец

Заказ 798 Тираж 265 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 с

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101