Устройство для измерения эдс холла

 

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения параметров полупроводниковых материалов, а также в мэгнитоизмерительной аппаратуре, содержащей датчик Холла Цель изобретения - повышение точности измерения ЭДС Холла за счет устранения нестабильности напряжения неэквипотенциальности питаемого датчика Холла - достигается введением дифференциального усилителя 3 и инвертирующего сумматора 4. Устройство также содержит источник 1 постоянного или переменного тока, резистор 2, клемму 5 для подключения датчика Холла 6 и клемму 7 - выход инвертирующего сумматора 1 ил

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я) G 01 R 33/06

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (I

L нв

1 (21) 4620505/21 (22) 26.09.88 (46) 23.03.91. Бюл. М11 (71) Черновицкий государственный университет (72) В, B.Áåcïàëüêî, Э.Б,Тальянский и А.Р.Шеляг (53) 621.317 (088.8) (56) Кугис Е.В, Методы исследования эффекта Холла. Способы включения образца в измерительную цепь. — M.: Советское радио, 1974. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭДС

ХОЛЛА Ы „1636815 А1 (57) Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения параметров полупроводниковых материалов, а также в магнитоизмерительной аппаратуре, содержащей датчик Холла.

Цель изобретения — повышение точности измерения ЭДС Холла за счет устранения нестабильности напряжения неэквипотенциальности питаемого )датчика Холла — достигается введением дифференциального усилителя 3 и инвертирующего сумматора 4.

Устройство также содержит источник 1 постоянного или переменного тока, резистор

2, клемму 5 для подключения датчика Холла

6 и клемму 7 — выход инвертирующего сумматора. 1 ил.

1636815

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения параметров полупроводниковых материалов, а также в магнитоизмерительной аппаратуре, содержащей датчик Холла.

Цель изобретения — повышение точности измерения ЭДС Холла за счет устранения нестабильности напряжения неэквипотенциальности питаемого датчика Холла.

Составитель B,Âåëè÷êèí

Редактор О.Юрковецкая Техред M.Moðãeíòàë Корректор Q.Ципле

Заказ 815 Тираж 426 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский крмбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

На чертеже изображена функциональная схема устройства, Устройство содержит источник 1 постоянного или переменного тока, выход которого подключен к точке соединения эталонного токового резистора 2, к второму входу дифференциального усилителя 3 и входу инвертирующего сумматора 4, второй вход которого подключен к выходу дифференциального усилителя 3, первый вход дифференциального усилителя подключен к второму выходу эталонного токового резистора, точка 5 соединения которых служит одной из клемм для подключения датчика

Холла 6, а второй клеммой 7 служит выход инвертирующего сумматора.

Устройство работает следующим образом.

При прохождении тока 1 через эталонный токовый резистор величиной R3 на нем создается падение напряжения

Ua = э.

Следовательно, напряжение на токовом электроде (точка 5)

05 = Ur — !Вэ, (1) где 0г — выходное напряжение источника 1 постоянного или переменного тока.

Эталонное напряжение U> поступает на вход дифференциального усилителя 3, напряжение на выходе которого при единичном коэффициенте передачи по модулю равно U3 и противоположно по знаку.

Так как на один вход инвертирующего сумматора 4 с единичным коэффициентом передачи поступает напряжение с выхода дифференциального усилителя, равное Оэ, а на второй вход подается выхОдное напряжение источника 1 постоянного или пере5 менного тока, то напряжение на токовом электроде (точка 7)

U7=-U + IR„. (2)

Сравнение выражений (1) и (2) показывает, что независимо от тока через датчик

10 Холла и величины токового резистора R3 напряжение на токовых электродах датчика

Холла будет симметричным, т,е. равным по тамплитуде и противоположным по знаку.

Это свидетельствует о том, что величина

15 неэквипотенциального напряжения на холловых электродах U< не зависит от падения напряжения 0э, так как 1UsI = !071, и следовательно, точность измерения ЭДС

Холла возрастает.

20 Предлагаемое устройство может использоваться в любых измерителях ЭДС

Холла с симметричным питанием как постоянным, так и переменным током.

25 Формула изобретения

Устройство для измерения ЭДС Холла, содержащее источник постоянного или переменного тока, выход которого соединен с первым выводом эталонного токового рези30 стора, вторым выводом соединенного с первой клеммой для подключения датчика

Холла, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения точности измерения, в него введены дифференциальный усилитель и ин35 вертирующий сумматор, при этом выход источника постоянного или переменного тока подключен к первому входу дифференциального усилителя и первому. входу инвертирующего сумматора, второй вход

40 которого подключен к выходу дифференциального усилителя, вторым входом подключенного к второму выводу эталонного токового резистора, а выход инвертирующего сумматора соединен с второй клеммой

45 для подключения датчика Холла.

Устройство для измерения эдс холла Устройство для измерения эдс холла 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения параметров пот лупроводниковых материалов и магнитных полей

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для измерения индукции магнитного поля

Изобретение относится к магнитным измерениям и может быть использовано для измерения величины индукции магнитного поля

Изобретение относится к устройствам для исследования параметров магнитного поля при неразрушающем контроле ферромагнитных изделий

Изобретение относится к полупроводниковым датчикам, которые используются в системах автоматики и управления

Изобретение относится к измерительной технике

Изобретение относится к электронике

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при разработке полупроводниковых магниточувствительных датчиков для прецизионных измерительных систем с высокой помехоустойчивостью

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения слабых магнитных полей, в частности, при обнаружении магнитных аномалий, отображении функций головного мозга, разведки месторождений, измерении слабых токов и т.д

Изобретение относится к технике магнитных измерений и может быть использовано для обнаружения объектов из ферромагнитных материалов

Изобретение относится к приборостроению и контрольно-измерительной технике для автомобильной промышленности и может использоваться для измерения уровня жидкости, преимущественно в резервуарах закрытого типа, например топлива в баке

Изобретение относится к области широкополосных антенн, начиная от низкочастотного до ВЧ диапазонов волн, и может использоваться в радиоприемных устройствах и датчиках для измерения напряженности магнитного поля

Изобретение относится к области лабораторных электрических измерений и может быть применено для измерения напряженности неоднородных магнитных полей

Изобретение относится к магнитным измерениям в различной электрофизической аппаратуре, создающей плоское неоднородное магнитное поле, преимущественно в магнитных системах ускорителей заряженных частиц и системах проводки внешних пучков этих частиц

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может быть использовано как датчик магнитной индукции в различных автоматизированных устройствах по определению магнитных параметров окружающей среды

Изобретение относится к технике электрических измерений магнитных, электрических, электромагнитных и неэлектрических величин в широком диапазоне изменения температуры окружающей среды

Изобретение относится к устройствам регистрации положения, а именно положения объектов из магнитопроводящего материала, и может быть использовано в системах управления автоматизированными линиями, станках с числовым программным управлением, а также в промышленных роботах
Наверх