Устройство для жидкофазной эпитаксии

Авторы патента:

C30B19/06 - реакционные камеры; лодочки для поддерживания расплава; держатели подложек

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению и обеспечивает получение рельефной структуры эпитаксиальных слоев. Устройство содержит емкости для расплавов, поршневую камеру и соединенную с ней каналхж камеру роста с подложкой. Отличие изобретения СОСТОИТЕ том,что камера роста снабжена дополнительным поршнем. Поршень установлен над подложкой и имеет рельефную рабочую поверхность. Для получения пленок с различной рельефной поверхностью в одном технологическом цикле дополнительный поршень имеет участки с различным типом рельефов . При этом диаметр дополнительного поршня равен по крайней мере двум диаметрам подложки. 1 з.п.ф-лы, 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (51) С 30 В 19/06!

Olla CAHHE ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГННТ СССР

Н ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4482491/26 (22) 16. 09. 88 (46) 30.03.91. Бюл. 11,12 (72.) Г.М. Иапкин, В. А.Ложкин и Н. И. Тимин а (53) 621. 315. 592 (088. 8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 890772, кл. С 30 В 19/06, 1980. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЖИДКОФАЗНОЙ 3IlHТАК СИИ (57) Изобретение. относится к полупроводниковому приборостроению и обеспечивает получение рельефной структуры эпитаксиапьных слоев. Устройство соI.

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению.

Цель изобретения вЂ” получение рельефной структуры эпитаксиальных слоев.

На фиг. 1 представлено устройство для жидкофазной эпитаксии, разрез; на фиг. 2 - устройство, дополнительный поршень которого на рабочей поверхности имеет участки с различным типом рельефов, Устройство содержит контейнер 1 с емкостями 2 для исходных раствороврасплавов. Под контейнером 1 в корпусе 3 размещены поршневая камера 4, снабженная поршнем 5, и камера 6 роста, соединенная каналом 7 с поршневой камерой 4. Камера 6 роста снабжена дополнительным поршнем 8, имеющим рельефную рабочую поверхность 9.

Под дополнителы ым поршнем 8 раэмеще„„SU„„1638218 А 1 держит емкости для расплавов, поршневую камеру и соединенную с ней каналом камеру роста с подложкой. Отличие изобретения состоит в том,что камера роста снабжена дополнительным поршнем, Поршень установлен над подложкой и имеет рельефную рабочую поверхность. Для получения пленок с различной рельефной поверхностью в одном технологическом цикле дополнительный поршень имеет участки с различным типом рельефов. При этом диаметр дополнительного, поршня равен по.крайней мере двум диаметрам подложки. 1 э.п.ф-лы, 2 ил.

1 на подложка 10, установленная на подвижной подставке 11.

Устройство работает следунзцим образом.

Подложку 10 размещают на подвижной подставке 11 и устанавливают необходимую величину зазора 12 между подложкой 10 и рабочей поверхностью

9 поршня 8. Величину зазора 12 получают перемещением подвижной подстав- 00 ки 11, в качестве которой .используют, например, винт. 3 атем з агружают емкости 2 исходными растворами-расплавами, Устройство нагревают до температуры гомогенизации расплава и после выдержки охлаждают до температуры начала эпитаксии. При этом поршень 8 нри помощи штока 13 поднимают, заполняют раствором-расплавом камеру 6 роста через канал 7, поршень 8 опускают, На поверхности подложки 10 создают

1638218 слой раствора-расплава переменной толщины в соответствии с рельефной поверхностью 9 поршня 8. Производят наращиваниеие пле нки.

Для получения пленок с различным рельефом и различными электрическими свойствами импользуют поршень 8, имекщий участки с различным типом рельефов (фиг. 2). Например, дополни- 10 тельный поршень 8 имеет два участка, один из которых содержит углубления круглой формы, а второй вЂ” квадратной, При этом диаметр дополнительного поршня 8 равен по крайней мере двум диаметрам подложки.

Пленки получают следующим образом.

Поршень 8 поднимают, заполняют камеру 6 роста расплавом с примесью п-типа, поршень 8 опускают до упора и производят наращивание ппенки п-типа с рельефной поверхностью. Затем поршень 8 поднимают, камеру 6 роста

IIpoMblBaIoT расплавом с примесью р-типа.

Для этого из емкости 2 подают раст- 25 вор-расплав р-типа в поршневую камеру

4 и через канал 7 вЂ” в камеру 6 роста.

Затем поршень 8 поворачивают вокруг оси так, чтобы над подложкой разместить второй участок рельефной поверхности 9 с квадратными углублениями, Поршень 8 опускают и производят наращивание пленок р-типа. Затем поршень

8 поднимают, расплав удаляют.

Устройство позволяет уменьшить трудоемкость из готовления полупроводниковых приборов и увеличить выход годных.

Формул а из о брет ения

1 ° Устройство для жидкофаз ной эпитаксии, содержащее контейнер с емкостью для раствора-расплава, снабженной поршнем и соединенной каналом с камерой роста, и подложку, установленную на подвижной подставке в камере роста, отличающеесятем,что,с целью получения рельефной структуры эп итак сиальных слоев, к амер а ро ст а снабжена дополнительным поршнем, установленным над подложкой и имекицим рельефную рабочую поверхность.

2. Устройство по и. 1 „о т л ивЂ” ч а ю щ е е с я тем, что дополнительвЂ” ный поршень имеет на рабочей поверхности участки с различным типом рельефов и диаметр дополнительного поршня равен по крайней мере двум диаметрам подложки, ! б38216 иг.

Составитель Н.Давыдова

Техред Л.Сердюкова Корректор M.Øàðîøè

Редактор А.Маковская

Заказ 904 Тираж 257 Подписное

ВНИИПИ Государстве. <ного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5.Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101

Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур, и может быть использовано при производстве светоизлучающих приборов

Способ селективной жидкостной эпитаксии полупроводниковых структур и устройство для его осуществления // 1137784

Устройство для электрожидкостной эпитаксии // 1059031

Устройство для жидкостной эпитаксии // 938642

Устройство для электрожидкостной эпитаксии // 869386

Устройство для получения многослойныхполупроводниковых структур методомжидкостной эпитаксии // 852976

Устройство для жидкостной эпитаксии // 824694

Устройство для жидкостной эпитаксии многослойных структур // 807693

Устройство для электрожидкостной эпитаксии // 807691

Кассета для жидкостной эпитаксии полупроводников // 774293

Устройство для получения монокристаллических оксидных пленок путем жидкофазной эпитаксии // 2089679

Изобретение относится к устройству для получения монокристаллических оксидных пленок путем жидкофазной эпитаксии и более конкретно, к устройству для получения путем жидкофазной эпитаксии монокристаллических оксидных пленок, таких как монокристаллические пленки магнитного граната, пригодные для применения в устройствах на магнитостатических волнах, ниобата лития, пригодные для применения в оптических устройствах

Устройство для жидкостной эпитаксии многослойных структур // 2034938

Изобретение относится к устройствам для жидкофазной эпитаксии многослойных структур, используемых для производства полупроводниковых приборов

Устройство для получения многослойных полупроводниковых структур // 1638219

Изобретение относится к получению полупроводниковых приборов на основе многослойных гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии

Способ получения слоев s @ или g @ , легированных летучей примесью // 1640220

Устройство для жидкофазной эпитаксии // 1650798

Изобретение относится к устройствам для получения полупроводниковых структур, в частности для создания сверхрешеток

Устройство для жидкофазной эпитаксии // 1707090

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений а @ в @ // 1798397

Устройство для жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур // 2515316

Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для получения многослойных полупроводниковых гетероструктур. Устройство содержит корпус 1 с крышкой 2, контейнер 3 с емкостями для исходных расплавов, снабженный поршнями 4, многосекционный держатель 14 подложек, камеру роста 5 и каналы для подачи и вывода расплавов. Контейнер 3 с емкостями расположен под многосекционным держателем 14 подложек. Крышка 2 снабжена выступами для удаления излишков расплава. Устройство содержит дополнительные емкости 7 для части используемых расплавов, установленные над контейнером 3, каждая из которых снабжена крышкой 8 с грузом и отверстием с возможностью слива расплава в располагающийся ниже основной контейнер 3. Технический результат изобретения состоит в обеспечении подавления нежелательного взаимодействия примесей в разных ростовых расплавах между собой через газовую фазу, что приводит к повышению технических или электрофизических характеристик получаемых структур. 1 з.п. ф-лы, 2 ил., 2 пр.

Способ получения эпитаксиальных слоёв cdхhg(1-х) te из раствора на основе теллура // 2633901

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения. Способ получения эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe из раствора на основе теллура включает выращивание эпитаксиального слоя CdxHg1-xTe (0,19<х<0,33) методом жидкофазной эпитаксии в запаянной кварцевой ампуле при температуре 500÷513°С на подложку Cd1-yZnyTe (0,02<y<0,06) с кристаллографической ориентацией поверхности (111)В±0,5°, расположенную горизонтально над слоем жидкой фазы высотой от 1 до 2 мм, в условиях принудительного охлаждения системы подложка/раствор на 6÷11°С, в зависимости от требуемой толщины эпитаксиального слоя, и предварительное растворение поверхностного слоя подложки в перегретом не более чем на 2° относительно температуры ликвидуса растворе на основе теллура, из которого проводится выращивание эпитаксиального слоя, при этом охлаждение системы проводят со скоростью снижения температуры 0,2÷0,5 град/мин, начиная с момента контакта подложки с перегретым раствором. Техническим результатом изобретения является воспроизводимое получение эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe диаметром до 50 мм без отклонения формы поверхности от формы поверхности подложки с высотой микрорельефа на поверхности эпитаксиального слоя не более 60 нм и разнотолщинностью эпитаксиального слоя по его площади не более 1 мкм при номинальном значении толщины в интервале от 10 до 20 мкм. 1 табл.