Источник молекулярных пучков

 

Изобретение относится к получению тонких пленок методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Обеспечивает повышения стабильности работы источника . Источник содержит тигель. Тигель окружен нагревателем и многослойным экраном. На нижнюю часть тигля надето металлическое седло, соединенное с термопарой. Седло поджато к тиглю при помощи упругого элемента. Упругий элемент выполнен в виде трубы с поперечными прорезями. Тигель и упругий элемент выполнены из пиролитического нитрида бора. Упругий элемент и седло обеспечивают надежный контакт термопары с тиглем, что обеспечивает возможность выращивать пленку со строго определенными параметрами . 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (У)5 С 30 В 23/08

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АBTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21 ) 4668448/26 (22) 26.01,89 (46) 30.03.91. Бюл. М- 12

I . 171) Научно-техническое объединение

АН СССР (72) С,М. Войтенко, С. Л, 3 асл ав ский и Ю.З.Санфиров (53) 621. 315 ° 592 (088. 8) (56) "Установка- 80H", Проспект фирмы

"VG" 5епн соп", Великобрит ания, 1987. (54) ИСТОЧНИК МОЛЕКУЛЯРНЫХ ПУЧКОВ (57), Изобретение относится к получению тонких пленок методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Обеспечивает повышения стабильности работы источИзобретение относится к тенкопле-! ночной техноло гии, молекулярно-лучевой э питак сии и может быт ь испол ьз овано в научных исследованиях, связанных с разработкой новых материалов для микроэлектроники.

Цель изобретения — повышение стабильности работы источника, На чертеже представлен источник, общий вид.

Источник содержит тигель 1 из пиролитического нитрида бора. Коаксиально тиглю 1 установлены нагреватель 2 и многослойный экран 3. Нижняя часть тигля 1 помещена в металлическое седло 4, имеющее форму нижней части тигля 1. К седлу 4. симметрично относительно оси вращения приварены плечи термопары 5, Симметричное размещение плеч термопары 5 необходимо для исклю„„SU„„1638220 А 1

2 ника, Источник содержит тигель. Тигель окружен нагревателем и многослойным экраном. На нижнюю часть тигля надето металлическое седло, соединенное с термопарой, Седло поджато к тиглю при помощи упругого элемента.

Упругий элемент выполнен в виде трубы с поперечными прорезями. Тигель и упругий элемент выполнены из пиролитического нитрида бора. Упругий элемент и седло обеспечивают надежный контакт термопары с тиглем, что обеспечивает возможность выращивать пленку . со строго определенными параметрами, 1 ил. чения погрешности в определении температуры, обусловленной радиапьным градиентом температур. Седло 4 поджи- " мают к тиглю 1 при помощи упругого фф элемента из нитрида бор а, выполненно- (ф го в виде трубы 6 с поперечными про- QQ резями 7. При сборке источника трубу (Я

6 сжимают так, что при любых изменениях температуры в пределах рабочего диапазона она остается в сжатом состоянии. Кроме того, упругое состояние трубы 6 обеспечивается наличием в корпусе 8 снизу вставки 9, а сверху тигель 1 зафиксирован лапками 10.

Источник молекулярных пучков рабо" тает следующим образом.

В тигель 1 загружают исходное ве- щество и размещают источник в камере роста установки молекулярно-луче.вой эпитаксии. Тигель 1 нагревают, 16 38220

Формул а изобретения

Составитель Н.Давыдова

Техред Л.Сердюкова Корректор Н, Ревская

Редактор А. Маковская,. Заказ 904 Тираж 256 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательскии комбинат Патент, г. жг0рол, ул. Гагари а, 1

ft

v- Г н 101 г величину температуры контролируют с помощью термопары 5, осуществляющей обратную связь между мощностью, выделяемой нагревателем, и температурой вещества находящегося в тигле 1.

Изменение относительных размеров деталей источника при изменении температуры компенсируют упругим элементом. При этом нарушения жесткости всей10 конструкции не происходит и обеспечивается неизменное взаимное положение седла 4, соединенного с термопарой 5,, и нйжней часги тигля 1, Предлагаемый источник обеспечивает полное соответствие между показаниями, термопары 5 и плотностью потока излучаемого источником вещества, что обеспечивает возможность выр ащивания пленки со строго определенными параметр амн.

Источник молекулярных пучков для установок молекулярно-лучевой эпитаксии, содержащий тигель иэ пиролитического нитрида бора, установленные коак сиально ему нагреватель и экраны, упругий элемент, охватывающий нижнюю часть тигля дпя контакта его с термопарой, установленной под тиглем, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения стабильности в работе источника, он снабжен металлическим седлом, соединенным с термопарой, размещенным между тиглем и упругим элементом и имеющим форму нижней части тигля, а упругий элемент выполнен в виде трубы с поперечными прорезями иэ материала тигля,

Источник молекулярных пучков Источник молекулярных пучков 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике нанесения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений и обеспечивает повышение производительности и качества выращиваемых структур

Изобретение относится к технологии получения интегральных микросхем и обеспечивает упрощение устройства и регулирование угла наклона

Изобретение относится к вакуумной технике и может быть использовано в технологии получения тонкопленочных многослойных покрытий

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых соединений типа А3N и может быть использовано при изготовлении эпитаксиальных структур различного назначения

Изобретение относится к полупроводниковой области техники и может быть использовано в молекулярно-лучевой эпитаксии для снижения плотности дефектов в эпитаксиальных структурах

Изобретение относится к оборудованию для производства элементов полупроводниковой техники и, в частности, предназначено для создания полупроводниковых соединений азота с металлами группы A3
Изобретение относится к отжигу алмаза, а именно к отжигу монокристаллического CVD-алмаза

Изобретение относится к усовершенствованному тиглю из нитрида бора и способу его получения

Изобретение относится к оборудованию для получения материалов и многослойных структур полупроводниковых соединений

Изобретение относится к техноло ии полупроводниковых материалов, в частно сти к технологии выращивания многокомпонентных тонкопленочных структур методом молекулярно-лучевой эпитаксии в соер вы соком вакууме

Изобретение относится к тонкопленочной технологии, может быть использовано в микроэлектронике и обеспечивает повышение надежности работы источника и улучшение качества выращиваемых пленок за счет более эффективного охлаждения и уменьшения поверхности нагрева
Наверх