Лавинный фотоприемник

Авторы патента:

H01L31/06 - отличающиеся по меньшей мере одним потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, или поверхностным барьером

Лавинный фотоприемник, содержащий последовательно расположенные полупроводниковую подложку, буферный слой, полевой электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности устройства, на поверхности полупроводниковой подложки под буферным слоем сформированы области обратного по отношению к подложке типа проводимости, напряжение пробоя поверхности подложки внутри областей меньше, чем вне их, а расстояние между областями не меньше толщины буферного слоя.

Дата прекращения действия патента: 04.02.2002

Номер и год публикации бюллетеня: 15-2003

Код раздела: MM4A

Извещение опубликовано: 27.05.2003

Похожие патенты:

Фотоприемник // 1634065

Изобретение относится к микрофотоэлектрике, конкретно - к полупроводниковым фотоприемникам (ФП)

Способ регистрации излучения фотодиодом // 1454178

Изобретение относится к области микрофотоэлектроники, а именно к способам регистрации потоков излучения

Фотоприемное устройство // 1427436

Изобретение относится к области микрофотозлектроники, конкретно к полупроводниковым фотоприемным устройствам (ФПУ)

Фотодиод // 1292075

Изобретение относится к оптоэлектроникё и может быть использовано для обнаружения и/или для измерения интенсивности преимущественно монохроматического электромагнитного излучения высоких частот повторения импульсов, например для применения в области передачи информации световым методом, и касается, в частности полупроводниковых диодов с минимально одним запирающим слоем в виде р-пили p-i - п-перехода

Фотодиод // 1256108

Изобретение относится к полупроводниковым фотоэлектрическим приемникам оптического излучения

Фоточувствительный элемент // 1141952

Фотоприемник и способ управления его чувствительностью // 1102438

Способ изготовления полупроводниковых фотопреобразователей // 1042541

Фоточувствительный элемент // 833119

Солнечный фотоэлемент // 598470

Лавинный детектор // 2102820

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, конкретно к полупроводниковым фотоприемникам с внутренним усилием сигнала, и может быть использовано для регистрации слабых потоков излучения и ядерных частиц

Лавинный фотодиод // 2102821

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к полупроводниковым фотоприемникам, и может применяться для регистрации слабых световых потоков и ядерных частиц

Лавинный фотоприемник // 2105388

Способ и устройство для изготовления фотогальванических приборов и фотогальванический прибор // 2129744

Изобретение относится к способу и устройству для изготовления фотогальванических (фотовольтаических) приборов, а также касается получающегося в результате изделия для преобразования света в электричество

Лавинный фотоприемник // 2142175

Изобретение относится к микроэлектронике и используется для регистрации излучения различных диапазонов спектра и заряженных частиц

Конструкция ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями // 2156013

Изобретение относится к вычислительной цифровой технике, конкретно к конструкции ячейки памяти с вертикально расположенными друг над другом пересечениями

Защитное кольцо для снижения темнового тока // 2178600

Изобретение относится к полупроводниковым структурам для обнаружения излучения видимого диапазона

Лавинный фотоприемник (варианты) // 2185689

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для регистрации излучений различных диапазонов спектра и заряженных частиц

Способ регистрации излучения лавинным металл-диэлектрик- полупроводник (мдп)-фотоприёмником // 2205473

Изобретение относится к области полупроводниковой фотоэлектроники и предназначено для регистрации светового излучения коротких световых сигналов малой интенсивности

Фотодетектор // 2240631