Полупроводниковый модуль

 

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в различных преобразователях электрической энергии и электроприводах. Цель изобретения состоит в упрощении конструкции полупроводникового модуля , за счет введения изолирующих втулок 2, которые фиксируют полупроводниковые элементы 3 на основании 1. При помощи плоской пружины 6, имеющий крестообразную форму, и крепежного болта 9 все элементы конструкции прижаты к основанию 1 модуля. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 Н 01 25/ОО

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

6ИГОИЧИ дце грр. т;-,:„ ;ii1pggq

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (23) 4627529707 (22) 29. 12.88 (46) О7..65.91.БалЛФ 17

P1) всесонмныйэлектротехнический инсти-. тут ам.В.М.Ленина (72) Л.S.Горохов, Н-.М,Богачев, Л.H.Ãpèäèí и А,И.Фалин (53) 621,3 И.632 (088.8) (56) Заявка ФРГ М 3192576, кл. Н О1 L 25N4, 1983.

Заявка ФРГ ЬЬ 3232154, кл. и 011 25/ОО, 1984.

„„5U„„1647703 А1 (5Л) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОДУЛЬ (57) Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в различных преобразователях электрической энергии и электроприводах. Цель изобретения состоит в упрощении конструкции полупроводникового модуля, за счет введения изолирующих втулок 2, которые фиксируют полупроводниковые элементы 3 на основании 1. При помощи плоской пружины 6, имеющий крестообразную форму. и крепежного болта 9 все элементы конструкции прижаты к основанию 1 модуля, 2 ил, 1647703

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к выпрямительным блокам, и может быть использовано в различных преобразователях электрической энергии и электроприборах.

Цель изобретения — упрощение конструкции модуля.

На фиг. изображен предлагаемый модуль, вид сверху; на фиг. 2 — разрез А-А на фиг.1.

Модуль содержит основание 1, изолирующие втулки 2, полупроводниковые элементы (диодные структуры) 3, верхние токосъемы

4, полусферы 5, плоскую пружину 6, шайбу

7, гайку 8, крепежный болт 9, керамические подложки 10 и нижние токосъемы 11.

Пример, На медном основании 1 размещены четыре диодные структуры 3, которые зафиксированы специальными изолирующими втулками 2, выполненными из стекловолокна. Изолирующие втулки способствуют более четкой фиксации полупроводниковых элементов на основании модуля в процессе сборки, следовательно, нет необходимости при сборке применять специальную кассету. Структуры потенциально изолированы от основания 1 керамическими подложками 10 из окиси бериллия.

При помощи болта 9 с конической головкой и плоской пружины 6, имеющей крестообразную форму, создается контактное давление порядка 1200 кг на одну структуру диаметром 40 мм. При этом зажаты все четыре полупроводниковых элемента одновременнос усилием 4800 кг на всю площадь элементов.

Крестообразная форма пружины обусловлена равномерным распределением усилий на симметрично расположенные элементы при их тарированном прижиме в процессе сборки, т.е. четкое распределение прижимной нагрузки на каждый элемент, в то время как в известном устройстве корректировать зто усилие сложно..

5 Токосъем от катодной и анодной поверхностей диодов осуществляется медными шинами (токасъемы) 4 и 11 {выводы токосъемов на фиг.1 и 2 не показаны).

Предлагаемая сборка помещена в пла10 стмассовый корпус и залита полиамидным компаундом.

При подаче на вход модуля переменного тока на выходе получают выпрямленный ток, необходимый для преобразователя в

15 выпрямительных агрегатах.

Предлагаемая конструкция модуля позволяет более технологично и без применения специальных кассет проводить сборку корпусных деталей, что повышает произво20 дительность труда на t0 Кроме того, такая конструкция позволяет соосно с тарированным усилием прижимать полупроводниковые элементы к основанию, что способствует сокращению тепловых потерь до 3 /».

26 Формула изобретения

Полупроводниковый модуль, содержащий основание, на котором установлены полупроводниковые приборы с токоподводами и средства прижима полупроводни30 ковых приборов к основаниюв виде крепежногоболта и плоской пружины, о т л ича юшийся тем, что. с целью упрощения конструкции, он снабжен изолирующими втулками, расположенными по окружности

35 симметрично относительно крепежного болта, в которых расположены полупроводниковые приборы, а плоская пружина выполнена крестообразной, свободные концы ее расположены с возможностью взаимо40 действия с полупроводниковым элементом.

1647703

Составитель О.Наказная

Редактор О.Головач Техред ММоргентал . Корректор С.Шевкун

Заказ 1406 Тираж 366 Подписное

6НИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Полупроводниковый модуль Полупроводниковый модуль Полупроводниковый модуль 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике, к выпрямительным блокам , и может быть использовано в различных преобразовательных устройствах, рассчитанных на токи до 1000 А Целью изобретения является упрощение конструкции мощного полупроводникового модуля за счет того, что каждая полупроводниковая структура 1 и 2 дополнительно снабжена прижимной планкой 13, обеспечивающей прижим всех элементов сборки, и парой изолирующих ограничителей 7, которые закреплены на основании 5

Изобретение относится к преобразовательной технике, а именно к конструкции полупроводниковых блоков

Изобретение относится к устройству автономных и возобновляемых источников электропитания, а именно к солнечным батареям (СБ) повышенной надежности, защищенным от электрических напряжений, возникающих при затенении или неравномерной деградации отдельных солнечных элементов (СЭ), составляющих СБ

Изобретение относится к электротехнике, а именно к технике получения высокого напряжения, используемого для питания второго анода кинескопа цветного изображения

Изобретение относится к электротехнике, а именно к силовой полупроводниковой технике и может быть использовано в полупроводниковых выпрямителях или преобразователях, предназначенных для питания силовой цепи электроподвижного состава железных дорог

Изобретение относится к электротехнике, в частности к коммутирующим устройствам, собираемым на основе полупроводниковых приборов таблеточного типа и может применятся в сильноточных импульсных элетрофизических и технологических установках

Изобретение относится к преобразовательной технике, в частности к сильноточным полупроводниковым преобразователям, и может использоваться в полупроводниковых преобразовательных агрегатах различного назначения

Изобретение относится к классу полупроводниковых приборов, а именно к блокам, состоящим из нескольких полупроводниковых приборов, в частности к светодиодным устройствам

Изобретение относится к преобразовательной технике, в частности к конструкции реверсивных преобразовательных блоков, выполненных на таблеточных тиристорах, и может использоваться в полупроводниковых преобразовательных агрегатах различного назначения

Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано для построения силовой части вентильных электроприводов

Изобретение относится к установке для предварительно смонтированной конструкции установленных с возможностью контактирования путем нажима пластинчатых ячейковых полупроводников, применяемой для фиксирования с зазором уложенного в стопку блока пластинчатых ячейковых полупроводников

Изобретение относится к полупроводниковой преобразовательной технике и может быть использовано в конструкциях выпрямительных установок, предназначенных для питания устройств элетролиза в цветной металлургии и химической отрасли промышленности, а также в управляемых выпрямительных установках для электропривода

Изобретение относится к электротехнике, а именно к полупроводниковой технике

Изобретение относится к электротехнике, а именно к электрическим высоковольтным преобразователям, и может быть использовано в блоках питания электронных приборов

Изобретение относится к преобразовательной технике и предназначено для использования в электроприводах переменного тока и источниках вторичного электропитания

Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и электронной технике, а более точно - к гибридным интегральным схемам СВЧ диапазона
Наверх