Способ выращивания кристаллов

 

Изобретение относится к способу выращивания кристаллов и позволяет ликвидировать паразитные кристаллы в течение всегопроцесса роста. Кристаллизатор заполняют раствором. Раствор покрывает слой герметизирующей жидкости, химически не взаимодействующей с раствором. Кристалл выращивают на затравку из пересыщенного раствора. После появления паразитных кристаллов в растворе выращиваемый кристалл помещают в слой жидкости, а в растворе создают недосыщение. После растворения паразитных кристаллов выращивание продолжают. Получают кристалл КДР размером до 15 мм визуально прозрачный, однородный .

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5!)5 С 30 В 7/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

8(f.-",;ÛÇÌ А.".:.3! Й ыхый%3 =,. г. i1iQ ГЕЯ

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛ6СТВУ (21) 4651525/26 (22) 16.02.89 (46} 23.05.91. Бюл, М 19 (71) Витебское отделение Института физики твердого тела и полупроводников

AH БССР (72) В.В, Клубович. Н.К.Толочко, В.М, Кондрашов и В.В.Азаров (53) 621.3". 5,592 (088.8) (56) Козловский M,È, и др, К методике исследования влияния условий кристаллизации на рост и свойства кристаллов. Рост кристаллов. M. 1965, т.6, с, 9 — 13. (54} СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к выращиванию кристаллов из раствора и может быть использовано для получения пьезоэлектрических, пироэлектрических, электрооптических и других технически важных кристаллов.

Цель изобретения — ликвидация паразитных кристаллов в течение всего процесса роста.

Пример 1. Выращивают кристалл дигидрофосфата калия (КДР) из водного раствора; Кристаллизатор объемом 1 л заполняют раствором (0,5 л), погружают в него кристалл, закрепленный- на кристаллодержателе, сверху раствор заливают слоем ва- эелинового масла (0,4. л), Температура насыщения раствора 42 С, температура роста 38 С. Размеры затравки 10х10х10мм.

После завершения регенерации кристалла инициируют образование в растворе паразитных кристаллов путем ввода в него нескольких (15 — 20 шт) кристаллических частиц размерами 1х1х2 мм. Переводят кри„„Я2 „„1650797А1 (57) Изобретение относится к способу выращивания кристаллов и позволяет ликвидировать паразитные кристаллы в течение всего процесса роста, Кристаллизатор заполняют раствором. Раствор покрывает слой герметиэирующей жидкости, химически не взаимодействующей с раствором. Кристалл выращивают на затравку из пересыщенного раствора. После появления паразитных кристаллов в растворе выращиваемый кристалл помещают в слой жидкости, а в растворе создают недосыщение. После растворения паразитных кристаллов выращивание продолжают. Получают кристалл КДР размером до 15 мм визуально прозрачный, однородный. сталл в зону вазелинового масла и удаляют с его поверхности капельки раствора путем легкого встряхивания кристалла, Нагревают кристаллизатор с раствором и вазелиновым маслом до 48 С и выдерживают при этой температуре до полного растворения пара- { Ь зитных кристаллов (в течение 4 ч). Охлажда- (Я ют раствор до первоначальной температуры О1 роста 38 С и вводят в него кристалл. Пленка с ваэелинового масла на поверхности кристалла не наблюдается. Выращивают кристалл в течение 24 ч до достижения им размеров 15 мм. Исследование выращенного кристалла показывает, что он является визуально прозрачным, не содержит включений, оптических неоднородностей.

Пример 2. Выращивают кристалл

КДР в тех же условиях, что и в примере 1, но без ваэелинового масла. В период растворения параэитных кристаллов выращиваемый кристалл извлекает из раствора и выдерживают его над раствором на воздухе е тече1650797 сталла, как и в примере 2, предшествует" процесс регенерации. В результате получа-ется кристалл с дефектной зоной регенерации, Составитель Н, Пономарева

Техред М.Моргентал Корректор С. Шевкун

Редактор Т. Куркова

Заказ 1975 Тираж 265 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб.. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 ние 4 ч. При этом поверхность кристалла покрывается визуально наблюдаемым матовым слоем мельчайших кристалликов.

Затем погружают кристалл в раствор, перегретый на 0,5 С, и растворяют образовав- 5 шийся на его поверхности осадок, Одновременно происходитчастичное растворение самого кристалла, в результате чего последующему росту кристалла в пересыщенном растворе предшествует процесс ре- 10 генерации. Полученный кристалл, имеет визуально наблюдаемую дефектную регенерационную зону, Пример 3. Выращивают кристалл

КДР втехжеусловиях, что и в примере2, В 15 процессе выращивания кратковременно извлекают кристалл из раствора и ополаскивают в течение 4 с водой при той же температуре, что и у раствора (во избежание термоударов, приводящих к растрескива- 20 нию). При атом последующему росту криФормула изобретения

Способ выращивания кристаллов, из пересыщенного раствора, покрытого слоем герметизирующей жидкости, химически не, взаимодействующей с раствором, на затравку при регулировании насыщенности раствора. отличающийся тем, что, с целью ликвидации паразитных кристаллов в течение всего процесса роста, после появления паразитных кристаллов выращиваемый кристалл полностью помещают в слой герметизирующей жидкости, в растворе создают недосыщение, возвращают в него кристалл и после растворения паразитных кристаллов снова создают в растворе пересы щение,