Генератор импульсов

 

Изобретение относится к импульсной технике, в частности, к оптоэлект+иип ронным генераторам импульсов микросекундного и мнллисекундного диапазонов , и решает задачу построения генератора , у которого длительность импульсов не зависит от периода их следования . Это достигается тем, что биспин-фотоприемник 8 биспин-оптопары 7 включен последовательно с резисторами 1 и 2 между шиной питания и общей шиной, вывод подложки биспин-фотоприемника 8 подключен через конденсатор 4 к общей шине и через диод 6 к коллектору транзистора 5 и к аноду f светодисда 9 биспин-оптопары 7. Транзистор 5, шунтирующий светодиод 9 на время действия импульса биспин-фотоприемника 8, подключён коллектором через переменный резистор к шине питания , эмиттером - к общей шине, а базой - к общей точке резисторов 1 и 2. Катод светодиода 9 подключен к общей шине. 1 ил. о в (Л

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

ШЮ

РЕСПУБЛИН (gg)g Н 03 K 3/26

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ (54) ГЕНЕРАТОР ИМПУЛЬСОВ

ГОСУДАРСТЗЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОВРГ%НИЯМ И (ЛНРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4659495/21 (22) 06.03.89 (46) 30.05.91. Бюп. В 20 (71) Винницкий политехнический институт (72) О.Д. Кнаб, В.Г. Красиленко, Н.Н. Михальниченка и В.Д. Фролов (53). 621.318(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

У 1193783, кл. Н 03 К 1/42, 1985..

Авторское свидетельство СССР

У 1039020, кл. Н 03 K 3/26, 1983.

Авторское свидетельство СССР

9 1294238, кл. Н 01 L 31/10, 1987, Чурбаков А.В. Импульсные устройства с диодными оптронами. М.: Энергия, 1980, с. 61-74, рис, 20б. (57) Изобретение относится к импульсной технике, в частности, к оптозлект

Мат.

2 ронным генераторам импульсов микросекундного и миллисекундного диапазонов, и решает задачу построения генератора, у которого длительность им-. пульсов не зависит .от периода их следования. Это достигается тем, что биспин-фотоприемник 8 биспин-оптопары

7 включен последовательно с резисторами 1 и 2 между шиной питания и общей шиной, вывод подложки биспин-фотоприемника 8 подключен через конденсатор 4 к общей шине и через диод 6 к коллектору транзистора 5 и к аноду светодисда 9 биспин-оптопары 7. Транзистор 5, шунтирующий светодиод 9 на время действия импульса биспин-фотоI приемника 8, подключен коллектором Е через переменный резистор к шине питания, эмиттером — к общей шине, а базой — к общей точке резисторов 1 и С„

2, Катод светодиода 9 подключен к общей шине. 1 ил.

1653135

Изобретение относится к импульсной технике, в частности к оптоэлектронным генераторам импульсов микросе-. кундного и миллисекундного диапазонов, 5 и может быть использовано в устройстsax автоматики, Цель изобретения - расширение области применения генератора за счет исключения влияния замены транзистора 1р на параметры генератора и влияния регулировки длительности периода следования импульсов на длительность импуль ов генератора.

На чертеже приведена схема генера- 15 гора импульсов.

Генератор содержит первьгй 1, второй 2 и третий 3 резне.торы, конденсатор 4, транзистор 5, диод 6 и биспиноптопару 7, состоящую из биспин-фо- 2р топриемника 8 и светодиода 9. Эмиттер транзистора 5 соединен с общей шиной 10, база транзистора 6 подключена через, резистор 2 к выводу запирающего контакта фотоприемника 8, вы-. 25 вод омического контакта которого подключен к шине, 11 питания, а вывод подложки через конденсатор 4 — к общей шине 10. Коллектор транзистора

5 соединен с анодом диода б и свето- 3р диода 9 непосредстве:нно и через переменный резистор 3 — с шиной 11 питания. Катоды диода б и светодиода 9 подключены соответственно к выводу подложки биспин-фотоприемника 8 и к общей шине 10.

Генератор работает следующим образом.

При подаче напряжения питания поло жительной полярности на шину питания включается диод 6, который шунтирует светодиод 9. Фотоприемник 8, транзистор 5 и светодиод 9 находятся в непроВодящем состояни Конденсатор 4 45 заряжается током диода 6, в результате чего потенциал анода диода 6 повышается. При достижении последним напряжения открывания светодиода 9 последний начинает проводить ток и освещать фотоприем1плк 8, а дальнейший заряд конденсатора 4 проходит по цепи: источник питания †. вывод омического контакта фотоприемника 8 — вывод подложки фотоприемника 8 — конде11сатор 4 — общая шина 10. Диод 6 смещается в обратном направлении.

Транзистор 5 остается в выключенном состоянии до момента, пока под воэдействием накапливаемых неосновных носителей фотоприемник 8 не переключится в проводящее состояние, в результате чего ток через резисторы 2 и 1 резко возрастет, вызывая включение транзистора 5 и шунтирование Irocледним светодиода 9. Облучение фотоприемника 8 прекращается и последний генерирует импульс положительной полярности на выделяющихся резисторах

2 и 1. В процессе генерации и импульса фотоприемником 8 происходит частичный разряд конденсатора 4 по цепи: вывод подложки фотоприемника 8 — вывод запирающего контакта фотоприемника 8 — резисторы 2 и 1 — общая шина 10. На коллекторе транзистора 5 выделяется импульс отрицательной полярности амплитудой, примерно равной напряжению открытого светодиода 9, После окончания импульса, сгенерированного фотоприемником 8, последний переходит в непроводящее состояние, транзистор 5. выключается и начинается формирование паузы между импульсами аналогично описанному.

Длительность импульсов и периода их следования пропорциональна величине емкости конденсатора 4, длительность периода следования импульсов зависит от величины тока светодиода и регулируется резистором 3, но при постоянной величине емкости конденсатора 4 обеспечивается независимость длительности импульсов от периода их следования. Включение диода 6 позволяет увеличить длительность периода следования импульсов на 10-15Х и обеспечивает начальный этап заряда конденсатора 4 при включении источника питания.

Формула изобретения

Генератор импульсов, содержащий транзистор, первый, второй и третий резисторы, конденсатор и шину питания,. причем эмиттер транзистора соединен с общей шиной, а выводы эмиттера, базы и коллектора транзистора подключены соответственно к первым выводам первого, второГо и третьего рези".торов, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения за счет исключенля влияния замены транзистора на параметры генератора и влияния регулировки длительнос" ти периода следования импульсов на

Составитель Е, Миркин .

Техред И.Дидык Корректор M. Самборская

Редактор М. Келемеш

Заказ 1780 Тираж 486 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по.изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская иаб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина, 101

6 длительность импульсов генератора, дом омического контакта — к шине питав него введены диод и биспин-оптопара, . ния, светодиод биспин-оптопары подклюсостоящая из биспин-фотоприемника и чен анодом к аноду диода и коллектору светодиода, причем биспин-фотоприем- транзистора, а катодом — к общей ши 5 ник оптопары подключен выводом под- не, причем вторые выводы первого и ложки к катоду диода непосредственно третьего резисторов подключены сооти через конденсатор к общей шине, вы- ветственно к базе транзистора и к шиводом запирающего контакта — к второ- не питания. му выводу второго резистора а выво- 1л

У Р