Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем
Способ изготовления многоуровневой разводки интегральных микросхем, включающий формирование нижнего уровня разводки нанесением слоя алюминия или его сплавов на подложку со сформированными активными и пассивными элементами, создание микрорисунка в нижнем уровне разводки, проведение имплантации, формирование межуровневой изоляции, вскрытие контактных окон и формирование верхнего уровня разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности разводки за счет уменьшения вероятности короткого замыкания между элементами разводки, имплантацию проводят ионами меди перед созданием микрорисунка в нижнем уровне разводки с энергией 30-100 кэВ и дозой Д=5·1014-5·10 16 см-2.
Похожие патенты:
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано в технологии создания приборов на изолирующих подложках
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано для создания ИС с полной диэлектрической изоляцией
Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к способам получения эпитаксиальных структур кремния на сапфире, и может быть использовано в электронной технике при изготовлении полупроводниковых приборов
Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии создания полевых транзисторов с барьером Шоттки с применением ионной имплантации
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии изготовления дискретных приборов и интегральных схем для очистки (геттерирования) исходных подложек и структур на основе монокристаллического кремния от фоновых примесей и дефектов
Изобретение относится к методам формирования твердотельных наноструктур, в частности полупроводниковых и оптических, и может быть использовано при создании приборов нового поколения в микроэлектронике, а также в оптическом приборостроении
Установка для формирования наноструктур на поверхности полупроводниковых пластин ионными пучками // 2164718
Изобретение относится к электронной и вакуумной технике
Изобретение относится к способам образования квазиодномерных твердых кремниевых наноструктур
Способ получения кремниевых наноструктур // 2192689
Способ ионного легирования твердых тел // 2193080
Изобретение относится к области легирования твердых тел путем облучения ионами фазообразующих элементов и может быть использовано для ионной модификации структуры и физико-механических свойств металлов, полупроводников и сверхпроводников
Способ ионно-лучевого легирования кристаллов // 2258977
Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов и может быть использовано в технологии для формирования в кристаллах областей с различным типом и величиной электропроводности с помощью имплантации ионов средних (10-5000 кэВ) энергий
Способ формирования высокосовершенных кремниевых эпитаксиальных структур со скрытыми n+-слоями // 2265912
Изобретение относится к области микроэлектроники
Изобретение относится к области легирования твердых тел путем их облучения пучком ионов из фазообразующих атомов и может быть использовано для структурно-фазовой модификации твердых тел, например для улучшения их физико-механических, коррозионных и других практически важных свойств
