Стекло

 

Изобретение относится к свинцовоборосиликатным бесщелочным диэлектрическим стеклам и предназначено для применения в электронной и электротехнической промышленности в качестве материала для защиты активной части кремниевых полупроводниковых приборов от неблагоприятных внешних воздействий среды. С целью повышения коррозионной устойчивости тонкопленомных стеклопокрытий в воде и водно-аммиачной среде стекло содержит, мас.%: SI02 13,8-23.9; А120з 1,9-9.3; В20з 8,4-23.8; РЬО 33,7-63,0: МдО 0,1- 2,0;SrO 0,2-5,2; ПОз 1.2-8,1; Sn02 4,6-11.0. Коррозионная устойчивость пленок (% потери массы через 1 сут) в Н20 0-3, в 10%-ном растворе аммиака до 30. 2 табл.

СОЮЗ СОБЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5П5 С 03 С 3/072

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4695832/33 (22) 29.05.89 (46) 15.06.91. Бюл, М 22 (71) Институт общей и неорганической химии АН БССР и Производственное объеди- . нение "Электромодуль" (72) В.Д. Грожик, Г.В. Бычко, Л.Г. Ходский, Е.О. Губина, Г.A. Забила, Д.Н. Захаров и Г,M. Поливода (53) 666.11.016,2(088.8) (56) Заявка Японии М 56 — 9460, кл. С 03 С 3/30, опублик. 1981.

Патент Японии М 62 — 15494, кл. С 03 С 3/108, опублик. 1987. (54) СТЕКЛО

Изобретение относится к составам диэлектрических стекол с низким коэффициентом линейного термического расширения (КЛТР), способных образовывать тонкие пленки на кремнии путем термического испарения в вакууме и предназначено для применения в электронной и электротехнической промышленности в качестве материала для защиты активной части кремниевых полупроводниковых приборов (тиристоры, диоды, транзисторы) от неблагоприятных внешних воздействий среды.

Цель изобретения — повышение корроэионной устойчивости тонкопленочных стеклопокрытий в воде и водно-аммиачной среде.

Конкретные составы стекол приведены в табл. 1.

В качестве исходных компонентов используют кварцевый песок, оксиды свинца, алюминия, титана, олова. борную кислоту, „„ Ж „„1655923 А1 (57) Изобретение относится к свинцовоборосиликатным бесщелочным диэлектрическим стеклам и предназначено для применения в электронной и электротехнической промышленности в качестве материала для защиты активной части кремниевых полупроводниковых приборов от неблагоприятных внешних воздействий среды. С целью повышения коррозионной устойчивости тонкопленочных стеклопокрытий в воде и водно-аммиачной среде стекло содержит, мас.%: SION 13,8 — 23,9: А1зОЗ 1,9 — 9,3;

В20з 8.4 — 23,8: РЬО 33,7 — 63,0: MgO 0,1—

2,0; SrO 0,2 — 5,2; Т!Оз 1,2 — 8,1; $п024,6 — 11,0, Коррозионная устойчивость пленок (7 потери массы через 1 сут) в Н20 0-3, в 10 -ном растворе аммиака до 30. 2 табл. карбонаты магния и стронция квалификации "х.ч.", "о.с.ч.".

Исходные компоненты отвешивают в соответствии с заданным составом и смешивают, синтезируют стекла при 1350"С, измельчают их и отсеивают фракцию стекла с размером зерен 90-200 мкм. Полученный порошок стекла используют для формирования стеклопленок методом термического испарения в вакууме с применением резистивного испарителя. При использовании электронно-лучевого испарителя из гранулята стекла после его повторного расплавления изготавливают методом отливки стеклянную шайбу, соответствующую форме тигля электронно-лучевого испарителя, Физико-химические свойства стекол приведены в табл. 2.

Существенным преимуществом предлагаемого стекла является высокая коррозионная стойкость получаемых тонких степклопленок, 1655923

Таблица 1

Таблица 2 что обеспечивает надежную защиту р-п-перехода полупроводниковых приборов от неблагоприятного воздействия внешней среды как при технологических операциях изготовления приборов, связанных с при- 5 менением воды и водных растворов (фотолитография), так и в процессе эксплуатации приборов в атмосферных условиях, Отсутствие в составе :текла оксидов, обладающих способностью к необратимой 10 термической диссоциации в вакууме, или оксидов, обладающих слишком низким давлением паров, обеспечивает формирование тонкопленочных стеклопокрытий на кремнии при термическом испарении стекла в 15 вакууме с сохранением состава исходного материала и, следовательно, с сохранением присущих исходному стеклу электрофизических и термических свойств, Преимуществом предлагаемого стекла 20 является также отсутствие реиспарения его с подложки при вакуумном напылении тон* среднее из 4-х измерений. ких пленок. Вследствие хорошей растекаемости стекол описываемых составов по поверхности кремния формируемые из них стеклопленки обладают пониженными пористостью и количеством дефектов поверхности.

Формула изобретения

Стекло, включающее SiOz. А!гОз, ВгОз, РЬО,MgO,SrO, отличающееся тем. что, с целью повышения коррозионной устойчивости тонкопленочных стеклопокрытий в воде и водно-аммиачной среде, оно дополнительно содержит $пОг и TiOz при следующем соотношении компонентов, мас. :SION 13,8 — 23,9

А!20з 1,9-9,3 в203 8,4 — 23,8

Pb0 33,7 — 63,0

MgO 0,1 — 2,0

SrO 0,2-5,2

SnOz 4,6 — 11.0

TiOz 1,2 — 8,1