Способ обработки хрупких кристаллов
Изобретение относится к способам обработки хрупких материалов, преимущественно полупроводниковых пластин, и позволяет уменьшить внутренние механические напряжения в них. К поверхности кристалла прижимают острием зонд из сплава серебра и платины. Усилие прижатия создают не менее 1 CH, а выдержку в таких условиях проводят в течение 0,1 - 5,0 с. Достигают уменьшения внутренних механических напряжений до двух раз без внесения термических изменений в материал. 1 з.п.ф-лы.
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК (51)5 С 30 В 33/00
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ
ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ
ПРИ ГКНТ СССР
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Формула изобретения (21) 4628101/26 (22) 28.12.88 (46) 15.07,91. Бюл. М 26 (71) Завод чистых металлов им. 50-летия
СССР (72) А.Л.Анистратенко, А.П,Оксанич и
Ю. А. Концевой (53) 621.315.529 (088.8) (56) Боярская Ю.С. Методы испытания на микротвердость. — М.: Наука, 1966, с.35.
Юшкин Н.П. Механические свойства минералов. — М.: Наука, 1971, с.115. (54) СПОСОБ ОБРАБОТКИ ХРУПКИХ КРИСТАЛЛОВ
Изобретение относится к способам обработки хрупких материалов,. преимущественно, полупроводниковых пластин, и может быть использовано для низкотемпературного улучшения качества структурного состояния кристаллов.
Цель изобретения — уменьшение внутренних механических напряжений и увеличение области уменьшения внутренних механических напряжений.
Пример 1. Обрабатывают кристалл кремния, имеющий форму пластины. К поверхности кристалла прижимают острие зонда, выполненного из сплава серебра и платины при содержании платины 80 мас.7,, Прижатие осуществляют усилием 1 сН и в таких условиях осуществляют выдержку в течение 1 с. Через 3 ч после обработки в месте контакта методом фотоупругости измеряют внутренние механические напряжения и фиксируют, что в результате обработки они уменьшились от 1,0 до 0,3 МПа.
Пример 2. Процесс проводят как в примере 1, но меняют тип пластины и коор„„5U„„1663062 А1 (57) Изобретение относится к способам обработки хрупких материалов, преимущественно полупроводниковых пластин, и позволяет уменьшить внутренние механические напряжения в них. К поверхности кристалла прижимают острием зонд из сплава серебра и платины. Усилие прижатия создают не менее 1 сН, а выдержку в таких условиях проводят в течение 0,1 — 5,0 с.
Достигают уменьшения внутренних механических напряжений до двух раз без внесения термических изменений в материал, 1 з,п. ф-лы, динаты места укола, Достигают уменьшения внутренних механических напряжений от 11 до 6 МПа.
Обработка предлагаемым способом позволяет уменьшить величину упругих внутренних напряжений да 2 раз без внесения каких-либо термических изменений.
1. Способ обработки хрупких кристал- 4 лов, включающий прижатие к поверхности C) кристалла острия гибкого зонда и выдерж- О ку, о т л и ч э ю шийся тем, что, с целью уменьшения внутренних механических напреыаытвт,за а берут па сплава платаны с серебрсы, прижатие осуществляют с усилием не менее 1 сН, а выдержку проводят в течение 0 1 — 5,0 с.
2. Способ по п,1, отличающийся тем, что, с целью увеличения области уменьшения внутренних механических напряжений, обработку проводят при поочередном перемещении зонда .вдоль поверхности с последующим прижатием.
