Носитель для монтажа интегральной схемы

 

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструированию носителей для монтажа интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности и снижение трудоемкости. Носитель содержит диэлектрическое основание 1 с окном 2 и парами противолежащих плоских металлических выводов 3, выполненных в виде единой токоведущей полоски. Обе половины носителя симметричны и заменяют одна другую, и нарушение вывода не приводит к выходу изделия из строя. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ (21) 4635306/21 (22) 10.01.89 (46) 30.08.91. Бюл. М 32 (72) В.А.Агеев и В.В,Зайцев (53) 621.396.6(088.8) К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (56) Микросхемы интегральные на полиимидном носителе, ОСТ 11.0419-87, 1987.

Авторское свидетельство СССР

N 930772, кл. Н 05 КЗ/00, 1982. (54) НОСИТЕЛЬ ДЛЯ МОНТАЖА ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ

„„. Ж,, 1674294 А1 (s>>s Н 01 L 21/48, Н 01 L 21/60 (57) Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструированию носителей для монтажа интегральных схем. Цель изобретения — повышение надежности и снижение трудоемкости. Носитель содержит диэлектрическое основание 1 с окном 2 и парами противолежащих плоских металлических выводов 3, выполненных в виде единой токоведущей полоски. Обе половины носителя симметричны и заменяют одна другую, и нарушение вывода не приводит к выходу иэделия из строя. 1 ил.

1674294

Формула изобретения

Составитель Е. Панов

Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор О, Кундрик

Редактор А. Огар

Заказ 2931 Тираж 366 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к носителям для монтажа интегральных схем, Цель изобретения — повышение надежности и снижение трудоемкости.

На чертеже представлена конструкция носителя.

Носитель содержит диэлектрическое основание 1 с окном 2 и парами противолежащих плоских металлических выводов 3, выполненных в виде единой токоведущей полоски, Носитель работает следующим образом.

Носитель накладывают на поверхность кристалла диэлектрическим основанием 1 так, чтобы контактные площадки кристалла расположились в окне 2, а металлические выводы 3 проходили над контактными площадками. Металлические выводы присоединяют ультразвуковой сваркой к контактным площадкам кристалла.

Выполнение плоских металлических выводов 3 в виде единой токоведущей полоски позволяет повысить надежность, так как обе половины носителя симметричны и заменяют одна другую и нарушение вывода при сварке не приводит к выходу изделия из строя.

Пример, Изготовление системы выводов на основании осуществляют с использованием фотохимической обработки материала с последовательным травлением

5 слоев полиимида и алюминия, Соединение выводов с контактными площадками осуществляют через окно 2 в диэлектрическом основании 1, Ширина выводов, необходимых для присоединения, соизмерима с размера10 ми контактных площадок кристалла интегральной схемы и равна 0,1 мм. Выводы для присоединения интегральной схемы на носителе шириной 0,4 мм исключают повреждение вывода при его формовке.

Носитель для монтажа интегральной схемы, содержащий диэлектрическое осно20 вание с окном и парами противолежащих плоских металлических выводов для подключения к контактным площадкам кристалла, расположенных на лицевой поверхности основания, о т л и ч а ю щ и й25 с я тем, что, с целью повышения надежности и снижения трудоемкости, каждая пара противолежащих выводов выполнена в виде единой токоведущей полоски.

Носитель для монтажа интегральной схемы Носитель для монтажа интегральной схемы 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к производству СВЧ арсенидгаллиевых и кремниевых транзисторов, и может быть использовано в производстве ГИС, МИС и изделий оптоэлектроники

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к монтажу полупроводниковых кристаллов на диэлектрической подложке гибридной схемы

Изобретение относится к приборостроению ,в частности, к оборудованию для монтажа выводов мощных транзисторов

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к технологии сборочного производства, и может быть использовано в производстве полупроводниковых диодов, транзисторов и гибридных интеральных схем

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для монтэжа проволочных выводов БИС при сборке кристаллов в корпусе

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для сборки и пайки выводных гребенок и крьшек к корпусам интегральных микросхем (ИМС)

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии, и может быть использовано для герметизации этих преобразователей и других полупроводниковых приборов в плоских корпусах
Изобретение относится к способу изготовления керамической многослойной подложки, в частности подложки, получаемой низкотемпературным совместным обжигом керамики, в котором путем печатания на несколько сырых керамических пленок с применением токопроводящей пасты наносят печатные проводники и/или получают металлизированные отверстия для межслойных соединений, а затем сырые керамические пленки набирают в пакет, укладывая их одна на другую, и подвергают обжигу
Наверх