Стекло

 

Изобретение относится к технологии силикатов и предназначено для создания толстопленочных диэлектрических элементов коммутационных плат на металлическом основании . С целью повышения температурного коэффициента линейного расширения и кристаллизационной способности, снижения температуры обжига стекло имеет следующий химический состав, мас.%: SlOz 2.2-8,0; А120з 6,1-7,0; В20з 14,8-18,8; ВаО 58.1-63.0; СаО 5,4-6,3; SrO 0,3-1,0; МоОз 0,5-2,0. КТР стекла (105-108) 1/град. температура обжига 650°С, температура кристаллизации 640-650°С. 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (st)5 С 03 С 8/02, 3/064

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4758246/33 (22) 13.11.89 (46) 30.09.91. Бюл. М 36 (71) Белорусский технологический институт им. С.М.Кирова (72) H.М.Бобкова, Л.Ф.Папко, М.П.Гласова и

Г.Г.Яцкова (53) 666.293.522(088.8} (56) Авторское свидетельство СССР

ЬЬ 1165652, кл. С 03 С 8/08, 1985.

Авторское свидетельство СССР

ЬЬ 1046206, кл. С 03 С 3/064, 1981.

Изобретение относится к технологии силикатов и предназначено для формирования толстопленочных диэлектрических элементов коммутационных плат на металлическом основании, используемых в радиоэлектронной аппаратуре.

Цель изобретения — повышение температурного коэффициента линейного расширения и кристаллизационной способ- . ности, снижение температуры обжига.

Синтез стекла проводят в газовой пламенной печи при 1300 С с выдержкой при этой температуре 1 ч.

В качестве сырьевых материалов используют кварцевый песок, глинозем, бор. ную кислоту, углекислый барий, углекислый кальций, углекислый стронций, оксиды хрома (И!) и молибдена.

Пример. Состав стекла мас.$: SION

5,6; АЬОз 7,0; ВгОз 16-8; ВаО 61,0; СиО 6,3;

$г01,5; Сг20з0,3; МоОз1,5, „„Я2„„1680650 А1 (54) СТЕКЛО (57) Изобретение относится к технологии силикатов и предназначено для создания толстопленочных диэлектрических элементов коммутационных плат на металлическом основании. С целью повышения температурного коэффициента линейного расширения и кристаллизационной способности. снижения температуры обжига стекло имеет следующий химический состав, мас. $: SION

2,2 — 8,0; А!20з 6,1-7,0; В Оз 14,8-18,8; ВаО

58,1 — 63,0; СаО 5,4 — 6,3; SrO 0,3 — 1 0; МоОз

0,5-2,0. KTP стекла (105-108) 10 1/град, температура обжига 650 С. температура кристаллизации 640-650 С. 1 табл.

Сырьевые материалы взвешивают на технических весах и тщательно перемешивают. Шихту засыпают в оруЪдизовые тигли и помещают в газовую печь. Скорость подъема температуры в печи 200-250 С в 1 ч. Максимальная температура варки

1300 С, выдержка при данной температуре

1 ч. Сваренную стекломассу выливают на воду для получения гранулята. Гранулят высушивают и размалывают в планетарной мельнице до порошка с удельной поверхностью

6000 — 7000 см /г, Нанесение диэлектрических элементов на подложку проводят методом трафаретной печати из паст на основе порошка стекла. Подложки с нанесенными элементами сушат в муфельной печи при 100 С в течении 30 мин. Вжигание толстопленочных диэлектрических элементов производят в конвейерной электропечи при 650 С, подъем температуры и охлаждение со скоростью 50 С/мин. В процессе обжига про1680650

Стекло

Показатели

6,3

1,5

0,3

1,5

5,9

4,0

0,5

2Я

5,4

3,0

1,0

0,5

8,0

5,0

" 5

3Q

1300

1300

1300 f 350

530

540

620

105 .

105

640

650

640

Не кристализ.

650

640

1.5 10

4 2 ° 1014

2 .1014

1,0 10" исходит кристаллизация стекла с выделением в качестве основных кристаллических фаза-цельзиана и бората бария.

Изготовление образцов для определения физико-механических свойств стекол осуществляют методом отливки в стальные формы с последующим отжигом при 490 С в течение 2 ч в электрической муфельной печи.

Синтез стекол остальных составов и формирование диэлектрических толстопленочных элементов на их основе проводится аналогично приведенному примеру, Составы стекол и их физико-механические свойства приведены в таблице, Использование предлагаемого стекла позволяет создать совместимую систему элементов коммутационных плат на металлодиэлектрической подложке и повысить таким образом надежность интегральной

Состав, мас,$

Si0z

А!гОз

В Оз

ВаО

СаО

SrO

СггОз

МоОз

МпО 205

Физико-механическиесвойства

Температура варки, С

Температура размягчения дилатометрическая, С

Температурный коэффициент линейного Оасширения (20-300 С)а 10, К

Температура кристаллизации, С (no ДТА)

Температура обжига покрытий, ОС

Удельное обьемное электросопротивлениер(100 С), Ом м

Тангенс угла диэлектрических потерь (25 С, 10 Гц).

< а 104 схемы, обеспечивает снижение энергоемкости производства, повышение степени интеграции коммутационных плат на металлодиэлектрической подложке, следова5 тельно, обеспечивает повышение степени надежности и улучшение массогабаритных характеристик радиоэлектронной аппаратуры.

Формула изобретения

10 Стекло, включающее БО2, AlzOa, В20з, ВаО, CaO,SrO, Сг Оз,отличающееся тем, что, с целью повышения температурного коэффициента линейного расширения и кристаллизационной способности, сни15 жения температуры обжига, оно дополнительно содержит МоОз при следующем соотношении компонентов, мас, : S102-2,28; А!20з-6,1-7; ВрОз-14,8-18,8; Ва0 58,1-63;

Са О -5, 4-6 3; Sr 0-1 5 4; С грОз — 0,3 1;

20 МоОз-0,5-2,