Резистивный материал

Авторы патента:

H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

Резистивный материал на основе оксида лантана и диоксида титана, отличающийся тем, что, с целью увеличения электропроводности и расширения интервала рабочих температур, он дополнительно содержит оксид щелочноземельного металла или смесь оксидов щелочноземельных металлов и титан при следующем соотношении компонентов, мас.%: Оксид лантана - 17,21 - 48,67 Оксид щелочноземельного металла или смесь оксидов щелочноземельных металлов - 8,38 - 48,60 Титан - 5,69 - 7,15 Диоксид титана - Остальное



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологии изготовления резисторов с функциональной зависимостью электрического сопротивления от времени, работающих при высоких температурах

Изобретение относится к металлчргии а именно к разработке прецизионных сплавов со специальными электрофизическими свойствами, используемых для производства тонкопленочных резисторов

Изобретение относится к разработке прецизионных сплавов со специальными электрическими свойствами, используемых для производства тонкопленочных резисторов

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для изготовления низкоомных теплопленочных резисторов

Изобретение относится к термометрии, в частности к полупроводниковым датчикам температуры с линейной характеристикой

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве прецизионных тонкопленочных резисторов

Изобретение относится к электротехнике

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления позисторных саморегулирующихся нагревателей бытовых электроприборов

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх