Люминесцентный материал на основе селенида индия

Авторы патента:

C09K11/88 - содержащие селен, теллур или неопределенный халькоген

C09K11/62 - содержащие галлий, индий или таллий

Изобретение относится к люминесцентному материалу на основе In Se, содержащему Но, и позволяет повысить интенсивность фотолюминесценции. Осуществляют синтез материала сплавлением из элементов In, Se, Но в кварцевой ампуле вертикально в печи при 1000 К и из полученных поликристаллов выращивают монокристаллы методом Бриджмена в виде слитков длиной 45-50 мм, диаметром 8-40 мм, которые скалывают по плоскостям спайности. 1 табл , 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (st>s С 09 К 11/62, 11/88

ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

+ ®IIÌ апитв-тщщцрцщ

ЙЙБЛИЩТ, ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4715036/26 (22) 07.07.89 (46) 30.10.91. Бюл. N. 40 (71) Институт физики АН АЗССР и Азербайджанский государственный университет им.

С.М. Кирова (72) Г.И. Абуталыбав, Л.С. Ларионкина, А.M. Гусейнов, А.Ш, Абдинов и Н,А. Рагимова (53) 621.3.032.35:546,239.682(088.8) (56) Курбатов Л.Н. и др. вЂ” ФТТ, 1970, М 12, вып. 12, с, 3634.

Taglew R, В.G„Niftlew G.М. and F. Sh.

AIdcyew Solid State CommunlcatIons, 1985, ч.

53, М 10, р, 877 вЂ” 879.

Изобретение относится к люминофорам, а именно к люминесцентному материалу на основе селенида индия InSe, используемого в оптической промышленности и квантовой электронике;

Цель изобретения вЂ” повышение интенсивности фотолюминесценции InSe в области спектра 1,30 вЂ” 1,32 эВ при 77 К.

Люминесцентный материал на основе

InSe получен методом синтеза (вертикальный вариант) исходных компонентоввЂ” инд4ия, селена и гольмия в откачанных до

10 мм рт.ст. и запаянных кварцевых ампулах. Ампулы нагревают в печи с равномерным распределением температуры до полного сплавления содержимого, выдерживая при 1000 К (T»lnSe =960 К) в течение

7 вЂ” 8 ч с периодическим перемешиванием, после чего медленно (в течение нескольких часов) охлаждают до комнатной температуры. Для синтеза использованы элементы

„„. ЖÄÄ 1687592 А1 (54) ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ МАТЕРИАЛ НА

ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА ИНДИЯ (57) Изобретение относится к люминесцентному материалу на основе In Se, содержащему Но, и позволяет повысить интенсивность фотолюминесценции. Осуществляют синтез материала сплавлением из элементов In, Se, Но в кварцевой ампуле вертикально в печи при 1000 К и из полученных поликристаллов выращивают монокристаллы методом Бриджмена в виде слитков длиной 45 вЂ” 50 мм, диаметром 8 вЂ” 40 мм, которые скалывают по плоскостям спайности. 1 табл„1 ил. высокой частоты: In марки В-3, Se марки В-5, Но-ГО М-0.99.71.

Монокристаллы люминесцентного материала выращены из полученных поликристаллов методом Бриджмена: скорость перемещения ампулы 1,6 мм/ч, скорость падения температуры вдоль слитка 4 вЂ” 5 град/ч, температура зоны перемещения ампулы

1000 вЂ” 450 К, отжиг при 450 К в течение нескольких часов и последующее охлаждение до комнатной температуры с указанной выше скоростью, время всего процесса около

5 сут. Выращен н ые монокристалл ические слитки длиной 45-50 мм, диаметром 8 вЂ” 10 мм скалывают по плоскостям спайности.

С помощью термограмм и дифрактограмм осуществляется контроль од нородности по составу, однофазности, монокристалличности и равномерного распределения по объему примесей, выращенных слитков, 1687592

Количе

Состав материала

Но,ат %

0,59252709

0,59252255

0,5923

0,5821

0,00001

0,0001

0,005

0,01

f Г 7 931 1Л М(.98) Составитель Л, Романцева у

Техред M,Ìeðãåíòàë Корректор Л. Бескид

Редактор Т. Лазоренко

Заказ 3677 Тираж 407 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101

В таблице представлень данные по количеству исходных элементов In, Se и Но для получения 1 гматериала.

На чертеже представлены спектры фотолюминесценции при 77 К материала на основе InSe и с различным содержанием

Но. Кривые 1 вЂ” 5 соответствуют монокристаллам состава: 1 вЂ” InSe; 2 - 1пЗе и НовЂ”

0,00001 ат.%;. 3 вЂ” InSe и Но вЂ” 0,0001 ат.%;

4 вЂ” InSe и Но вЂ” 0,005 ат,%, 5 вЂ” lnSe и НовЂ”

0,01 ат.%, Указанные спектры зарегистрированы при стационарном возбуждении излученио ем лазера ЛГН-208Б (il =: 6328A).

Приведенные спектры показывают, что интенсивность фотолюминесценции для

InSe с содержанием Но 0,0001 вЂ” 0,01 ат.% имеет величину.

5 Формула изобретения

Люминесцентный материал на основе селенида индия, содержащий редкоземельный элемент, отл и ч а ю щи йся тем, что, с целью повышения интенсивности фо10 толюминесценции в области спектра 1,30вЂ”

1,32 эВ при 77 К, он содержит в качестве редкоземельного элемента гольмий при следующем соотношении компонентов, ат,%: селенид индия 99,99 вЂ” 99,9999; голь15 мий 0,0001-0,0100.

Способ получения двуслойного волоконного сцинтиллятора // 2411280

Изобретение относится к сцинтилляционным материалам, конкретно к двуслойным волоконным сцинтилляторам, предназначенным для регистрации тепловых нейтронов и пригодным для создания на их основе сцинтилляционных волоконных детекторов для радиационного экологического мониторинга территории, контроля космического и техногенного нейтронного фона, для создания комплексов технического контроля за ядерным топливом и изделиями из делящихся материалов, а также для создания антитеррористических комплексов радиационного контроля

Люминесцентный материал // 1720269

Изобретение относится к алюминесцентному материалу, работающему в условиях повышенного радиационного излучения

Светопреобразующий биостимулирующий материал и композиция для его получения // 2488621

Изобретение относится к светопреобразующему укрывному материалу для теплиц и к композиции для получения такого материала и может применяться в сельском хозяйстве и растениеводстве для выращивания растений в защищенном грунте

Способ получения нанодисперсных танталатов редкоземельных элементов // 2574773

Изобретение относится к синтезу гептатанталатов европия EuTa7O19 или тербия TbTa7O19, которые могут быть использованы в качестве рентгеноконтрастных веществ, люминофоров, покрытий рентгеновских экранов, оптоматериалов, материалов для электроники. Для получения нанодисперсных танталатов редкоземельных элементов готовят прекурсор, содержащий соединения тантала и редкоземельного элемента - европия или тербия, и проводят его термообработку. Для приготовления прекурсора используют экстракты, содержащие указанные элементы в органических растворителях, которые смешивают в мольном отношении тантала к европию или тербию, равном 7:1. Для приготовления экстракта тантала его экстрагируют бензольным раствором сульфата триалкилбензиламмония из сульфатооксалатного водного раствора тантала. Для приготовления экстрактов европия или тербия их экстрагируют бензольным раствором, содержащим ацетилацетон и фенантролин, из нитратных водных растворов европия или тербия. Термообработку прекурсора проводят при температуре 880-900°C. Изобретение позволяет сократить длительность термообработки, снизить ее температуру и получить наноразмерные танталаты редкоземельных элементов с размером частиц 50-100 нм без дополнительной стадии измельчения. 5 з.п. ф-лы, 6 пр.

Термолюминесцентная композиционная частица и маркировка, содержащая ее // 2647025

Изобретение относится к композиционной частице для применения в маркировке, пригодной для идентификации/установления подлинности изделия. Частица содержит по меньшей мере одну суперпарамагнитную часть и по меньшей мере одну термолюминесцентную часть. Суперпарамагнитная часть содержит один или более супермагнитных материалов, выбранных из оксида железа, металлического Fe, металлического Со, металлического Ni и их сплавов. Термолюминесцентная часть содержит керамический материал, легированный одним или более ионами, выбранными из ионов переходных металлов и ионов редкоземельных металлов. Изобретение обеспечивает повышение степени защиты изделий, надежность идентификации и защиты от постороннего вмешательства, фальсификации и подделки. 11 н. и 24 з.п. ф-лы, 2 ил.

Способ синтеза полупроводниковых квантовых точек // 2381304

Изобретение относится к получению полупроводниковых квантовых точек типов ядро и ядро-оболочка методом коллоидного синтеза, которые могут быть использованы в производстве различных люминесцентных материалов, а также в качестве основы для производства сверхминиатюрных светодиодов, источников белого света, одноэлектронных транзисторов, нелинейно-оптических устройств, фоточувствительных и фотогальванических устройств

Способ межфазного переноса неорганических коллоидных полупроводниковых нанокристаллов // 2583097

Изобретение может быть использовано в химии, биологии и медицине в целях визуализации и диагностики. Неорганические коллоидные полупроводниковые нанокристаллы переносят из органической в водную фазу, не смешивающуюся с органической фазой, с помощью катализатора межфазного переноса. В качестве катализатора межфазного переноса используют энантиомеры хиральных молекул. Процесс межфазного переноса осуществляют при температуре в промежутке 0-4°С. Из органической в водную фазу переносят полупроводниковые нанокристаллы, которые имеют тот же тип хиральности, что и используемый энантиомер катализатора межфазного переноса. Изобретение позволяет разделять энантиомеры неорганических коллоидных полупроводниковых нанокристаллов путем энантиоселективного межфазного переноса. 14 ил., 6 пр.

Способ синтеза наночастиц полупроводников // 2607405

Изобретение относится к коллоидной химии и нанотехнологии и может быть использовано в производстве люминесцентных материалов, сверхминиатюрных светодиодов, источников белого света, одноэлектронных транзисторов, нелинейно-оптических устройств, фоточувствительных и фотогальванических устройств. Синтезируют нанокристаллы из прекурсоров, содержащих халькоген и металл II или IV группы, в присутствии растворителя при комнатной температуре «двойным капельным методом», для чего указанные прекурсоры вводят одновременно по каплям при перемешивании. В качестве растворителя используют ионную жидкость или смесь ионных жидкостей в сочетании с одним или несколькими низкокипящими органическими растворителями. Реакционную смесь, содержащую ядра полупроводниковых квантовых точек, облучают УФ-светом и обрабатывают ультразвуком. Получают наночастицы халькогенидов металлов II или IV группы с дисперсией среднего размера не более 10 %, обладающие высокой фотостабильностью и агрегативной устойчивостью, способные диспергироваться как в полярных, так и в неполярных растворителях без дополнительных стадий обработки. При синтезе не используют токсичные растворители. 8 ил., 11 пр.

Способ получения квантовых точек, функционализированных дендримерами // 2611535

Изобретение относится к нанотехнологиям. Сначала получают раствор квантовых точек на основе селенида кадмия в хлороформе с их концентрацией 4⋅10-8 М и смешивают его с раствором дендримера в метаноле так, чтобы мольное соотношение квантовых точек к дендримеру составляло от 1:700 до 1:1100. В качестве дендримера используют полиамидоаминный дендример с поверхностными аминогруппами, например полиамидоамин 4-го или 5-го поколения. Квантовые точки на основе CdSe могут быть покрыты оболочкой из других полупроводников, внешний слой которой представляет собой ZnS. Полученную смесь дважды промывают этилацетатом при центрифугировании, надосадочную жидкость отбирают, а осадок растворяют в растворителе. Полученные квантовые точки, функционализированные дендримерами, характеризуются высокой стабильностью в водных средах, квантовым выходом выше 40% и пригодны для дальнейшего связывания с биомолекулами. Способ прост и экономичен. 3 з.п. ф-лы, 10 пр.

Источник света с квантовыми точками // 2616080

Изобретение относится к люминесцентному материалу на основе люминесцентных наночастиц и к осветительному устройству на их основе для преобразования света от источника света. Предложенный люминесцентный материал содержит матрицу из взаимосвязанных люминесцентных наночастиц с покрытием. Например, люминесцентный материал на основе люминесцентных наночастиц, содержащих CdSe с покрытием из CdS, и содержащий матрицу с покрытием из ZnS, имеет квантовую эффективность по меньшей мере 80% при 25°C и гашение квантовой эффективности при 100°C, не превышающее 20% в сравнении с квантовой эффективностью при 25°C. 3 н. и 12 з.п. ф-лы, 7 ил., 2 табл., 1 пр.

Шихта для получения люминесцентного материала // 2618250

Изобретение относится к химической промышленности и может быть использовано при получении люминофоров. Шихта для получения люминесцентного материала содержит, мас.%: YF3 26,0-29,0; Y2O3 20,0-22,0; V2O5 41,0-43,5; Nd2O3 1,0-1,5; MgWO4 5,5-6,7; SeO3 1,0-1,5; PF5 0,5-0,8. Приготовленную и сформованную в таблетки шихту отжигают в атмосфере инертного газа по стадиям: при 850 °С – 6 ч, при 500 °С – 1 ч и при 800 °С – 8 ч. Изобретение позволяет расширить ассортимент люминесцентных материалов и сократить длительность отжига. 1 табл.