Микрополосковая нагрузка

 

Изобретение относится к СВЧ-технике и может использоваться в миниатюрных микрополосковых устройствах сверхвысоких частот. Цель изобретения - улучшение согласования и упрощение конструкции микрополосковой нагрузки. Микрополосковая нагрузка содержит диэлектрическую подложку (ДП) 1, на одной стороне которой расположено заземляющее основание 2, а на другой стороне - полосковый проводник 3 и пластина (П) 5, выполненная из поглощающего материала и скошенная в направлении к входу. П 5 перекрывает проводник 3 своим меньшим основанием 7, расположена симметрично относительно него и имеет угол а скоса 6 в пределах 3-5° и высоту т скоса на торце П 5 не менее двух толщин ДП 1, Благодаря этому улучшается плавность вхождения П 5 в электромагнитное поле входного сигнала, что улучшает согласование при простоте П 5. 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 Н 01 Р 1/26

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ г.t (21) 4491664/09 (22) 10.08.88 (46) 30.10.91. Бюл. М 40 (72) Е.П;Крутов (53) 621.372.855.4(088.8} (56) Патент ФРГ

ЬВ 2813586, кл. Н 01 Р 1/26, 1979.

Авторское свидетельство СССР

Q 923333, кл. Н 01 P 1/26, 1980. (54) МИКРОПОЛОСКОВАЯ НАГРУЗКА (57) Изобретение относится к СВЧ-технике и может использоваться в миниатюрных микрополосковых устройствах сверхвысоких частот. Цель изобретения — улучшение согласования и упрощение .конструкции микрополосковой нагрузки. МикрополоскоÄÄ5UÄÄ 1688317 А1 вая нагрузка содержит диэлектрическую подложку (ДП) 1, на одной стороне которой расположено заземляющее основание 2, а на другой стороне — полосковый проводник Э и пластина (П) 5, выполненная из поглощающего материала и скошенная в направлении к входу. П 5 перекрывает проводник 3 своим меньшим основанием 7, расположена симметрично относительно него и имеет угол а скоса 6 в пределах 3-50 и высоту т скоса на торце П 5 не менее двух толщин ДП 1, Благодаря Этому улучшается плавность вхождения П 5 в электромагнитное поле входного . сигнала, что улучшает согласование при простоте fl 5. 2 ил.

1686317 .)(1

»»»»»»»

) — — — --1—

Составитель В.Алыбин

Техред М. Мар!.ентал Корректор M.Ä(:ì èê! Пдак 0p ) ),1,Цаыдкая

Заказ 3713 Тираж Подписное

ВНИИПО Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-З5, Раушская наб., 4/5

Пп(2изворстве)!»О-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101,Изобретение относится к технике СВЧ и мажет быть испачьэ()ван() в ьlt t! tt)3 ) )0p)t blx полосковых устройствах. ца))ью изобрете((ия Является улучшение согласования и упрощение канструк- 5 ц! ("т, . )а фиг. 1 пакс)вана конструкция микро

tt0лоск0в0й! Паг()у;;;<ь); Ite фиг,2 — вид А на фнг.1.

Микрапалоскавая нагрузка содержит 19 дизлектриче(;кую t".ОДЛОЖ)" 1, на ОДНОЙ ста"

p0t(е которой p,"0ttî))0)t(å:(0 зазеыля)ощее

0с! Кава)н)9 2, а на Д;:.: уг(2), I!"Тс)ране — гилас.<аОый проводник 3, ади!4 иэ концов t(OTOj)0(0

Яв)(Я(ьтся входа)) 1, и lt,.t80EI!í 6, выполнен- 15 ная из поглощаю(цегг) материала, на которой вьн)алнен скос 6 в направлении t(Вхсду и П .300VI) 4Rа QLL)ЯЯ I)0)ti00кавый права(НИК

3 свои(! ме(евшим сс!)Ова .(ие(! 7. Пласти)(а 5 ра(.;полаж(:-))8 симметри ttt0 Отнаситсльна 20

Ра))аскагага правадния ), уг0)i i-t cK003 0 находится в tiреде))ах 5-10, 8 Вь)сота тскосз б на торце 8 пла) тины 5 не менее уд(20еннай тОл((мны диэлектр1! IG!;KOB пОДлОжки 1 ° !.1икраполоскава)(нагрузка работает 25 следующим образом.

СВЧ-энергия, поступающая «а вход 4, ппглащаетсл в пла,",ти) (е 5. Ширину пластиEtbI 5 ракамендуется Вь)()()рать больше шири.:)ы паласкаваго провод)-))(ка 3 на удвс)ен- 30 ную талщ) )ну Ь. диэлектрической подложки 1 для эффективного поглощения СВЧ-сигнала.

Выбор угла а в укаэанных пределах в сочетании с высотой r скоса 6 и симметричным расположением пластины 5 относительно полоскового проводника 3 обеспечивает плавное вхождение пластины 5, поглощающей СВЧ-сигнал, в область его электромагнитного поля, что улучшает согласование. Возможность выполнения единственного скоса на пластине, достаточного для получения хорошего согласования, упрощает конструкцию микрополасковай нагрузки.

Формула изобретения

Микрополосковая нагрузка, содержащая диэлектрическую подложку, на одной старане которой расположено заземляющее основание, а на другой — полосковый проводник, один из концов которого является входом, и пластина, выполненная иэ поглощающего материала, скошенная в направлении к входу и перекрывающая полосковый проводник меньшим основанием, отличающаяся тем, что, с целью улучшения согласования и упрощения конструкции, пластина расположена симметрично относительно полоскового проводника, угол с t(0ca находи гся в пределах 5-10О, а высота скоса на торце пластины не менее удвоенной толщины диэлектрической подложки.