Полупроводниковый фотокатод

 

Полупроводниковый фотокатод, содержащий полупроводник p-типа с активирующим покрытием, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности фотокатода за счет увеличения поверхностного изгиба зон, на поверхность полупроводника p-типа нанесен полупроводниковый слой n-типа толщиной 3 - 10 с концентрацией доноров на единицу поверхности (1,8 - 2,2) 1017м-2.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике, в частности к кольцевым катодно-подогревательным узлам (КПУ) мощных ЭВП, использующих трубчатые электронные пучки

Изобретение относится к электронной технике, в частности к плазменным источникам электронов и ионов, Целью изобретения является повышение энергетической и газовой эффективности источника заряженных частиц

Изобретение относится к электронной технике, в частности к конструкциям катодно-подогревательных узлов (КПУ) с малым временем готовности

Изобретение относится к электронной технике, в частности к прямоканальным вторично-эмиссионным катодам магнетронов

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технике получения импульсных сильноточных релятивистских электронных пучков
Изобретение относится к области получения мощных ионных пучков (МИП) и может быть использовано в ускорителях, работающих в непрерывном и импульсном режимах

Магнетрон // 2115193

Изобретение относится к ионно-оптическим ускорителям ионов и может быть использовано в ионных двигателях
Изобретение относится к микроэлектронике и предназначено для изготовления проводящих микроострий, которые могут быть использованы, например, в производстве вакуумных интегральных микросхем
Наверх