Способ изготовления микрорисунка в многослойной структуре с полицидом тугоплавкого металла, нанесенным на микрорельеф из двуокиси кремния, включающий формирование фоторезистивной маски на поверхности структуры с полицидом тугоплавкого металла, реактивно-ионное травление полицида в окнах маски в смеси гексафторида серы с хлорсодержащим газом при давлении 1,0-8,0 Па и плотности мощности разряда на поверхности полицида 0,3-0,6 Вт/см 2, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных структур за счет повышения анизотропности травления и создания вертикального профиля травления, травление полицида тугоплавкого металла в смеси гексафторида серы с хлорсодержащим газом приводят до вскрытия планарных поверхностей микрорельефа из двуокиси кремния и удаляют остатки полицида с поверхности микрорельефа в смеси, содержащей четыреххлористый углерод и 30-50 об.% азота, при давлении 8-20 Па и плотности мощности разряда на поверхности полицида 0,4-0,6 Вт/см2.
Похожие патенты:
Изобретение относится к полупроводниковой технологии н может быть использовано при необходимости прецизионной обработки жидкостными травителями структур антнмоннда индия для оптоэлектронных приборов
Изобретение относится к технологии очистки полупроводниковых структур от загрязнений ионами реагентов при их обработке Устройство может быть использовано в электронной промышленности при пленарной технологии изготовления полупро оодниковых приборов Целью изобретения является экономия воды и электроэнергии при одновременном повышении качества очистки Цель изобретения достигается тем, что устройство содержит камеру с деионизованной водой, одна из стенок которой выполнена в виде ионоселективной мембраны с внешней стороны которой вплотную к ней размерен перфорированный электрод, при этом вторым электродом является очищаемая структура размещенная в камере
Изобретение относится к полупроводниковому производству и может быть использовано в технологии изготовления БИС и СБИС с двумя и более уровнями межсоединений, увеличенной плотностью упаковки и малым шагом межсоединений
Изобретение относится к полупроводниковой технологии
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в процессах молекулярно-лучевой эпитаксии
Изобретение относится к полупроводниковому производству
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при разработке технологии производства полупроводниковых приборов
Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к получению поверхностей арсенида галлия без углеродсодержащих загрязнений
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к процессам контроля при производстве многослойных гетероструктур
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно технологии изготовления ИС высокой степени интеграции на биполярных транзисторах, изготовленных по самосовмещенной технологии (ССТ) с двумя слоями поликремния
Изобретение относится к технологии жидкостной химической очистки поверхности изделий, преимущественно полупроводниковых пластин, и может быть использовано в электронной промышленности
Изобретение относится к электронной технике, а именно к процессам электрохимической обработки полупроводниковых пластин, в частности к операциям электрополировки и утонения пластин, формирования анодных окисных пленок и слоев пористого кремния (формирование пористого кремния включает в себя несколько одновременно протекающих процессов - электрохимического травления и полирования, а также анодного окисления)
Изобретение относится к способу просушивания с соблюдением чистоты поверхностей таких материалов, как полупроводники, керамика, металлы, стекло, пластмассы и, в частности, кремниевые пластины и лазерные диски, у которых подложка погружена в жидкую ванну, а поверхности просушиваются по мере отделения от жидкости, например, путем продувки газа над поверхностью жидкости, причем газ может растворяться в жидкости и снижает поверхностное натяжение жидкости
