Полевой полупроводниковый прибор
Авторы патента:
Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в усилителях и генераторах несинусоидальной формы. Цель изобретения повышение параметрической надежности полевого транзистора с управлякщкм р-п-первходом. Расположение дополнительного р-п-перехода на определенном расстоянии от истока позволяет за счет генерации горячих электронов при обратном напряжении на этом переходе увеличить ток стока без увеличения напряжения на электродах сгока и затвора. 1 ил.
Похожие патенты:
Инвертор // 1649973
Баллистический транзистор // 1577633
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при обработке малых управляющих электрических сигналов в качестве усилительного или ключевого элемента
Полевой транзистор // 1221690
Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и направлено на создание новых транзисторов с управляющим р-п -переходом
Полевой транзистор // 650132
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к вертикальным полевым транзисторам с р-n переходом
Полевой транзистор // 2065230
Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при создании элементной базы сверхпроводниковой микроэлектроники, в частности полностью сверхпроводниковых интегральных схем
Истоковый повторитель // 2024111
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к конструкции интегральных схем на основе полевых транзисторов
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а более конкретно к полевым транзисторам с управляющим p-n-переходом (ПТУП)
Полевой вертикальный транзистор // 2045112
Изобретение относится к полевым транзисторам и предназначено для работы в преобразователях частоты миллиметрового диапазона длин волн
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к конструкции полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом (ПТУП)
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к конструкции полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом (ТПУП)
Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. Управление величиной тока в приборе с вертикальной структурой, содержащем проводящую область с n-типом проводимости (n-область), анод, который расположен на нижней стороне n-области, управляющий электрод, сформированный на верхней стороне n-области и образующий с ней барьер Шотки, и катод, расположенный на боковой поверхности n-области между анодом и управляющим электродом, осуществляется путем изменения площади и, следовательно, сопротивления омического контакта между катодом и n-областью. Прибор может содержать более одной единичной структуры, при этом соседние единичные структуры объединены в новую структуру с двумя катодами, единой n-областью с анодом и управляющим электродом. Изобретение позволяет повысить быстродействие и увеличить ток и выходную мощность прибора. 2 н. и 1 з.п. ф-лы, 5 ил.