Патент ссср 170808

Авторы патента:

C25F3/12 - полупроводниковых материалов

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГО8О8

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 48а, 1„

Заявлено 14.11.1963 (М 819015/25-8) с присоединением заявки №

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

Приоритет

МПК С 23b

УДК 621.79.027,7(088.8) Опубликовано 23,1V.1965. Бюллетень № 9

Дата опубликования описания 10.Ч.1965

Автор изобретения

В. И, Савченко

Заявитель

СПОСОБ ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОЙ РАЗМЕТКИ ГЕРМАНИЕВЪ!Х

ПЛАСТИН

Подписная гг>ипгга № 208

Известны способы электролитической разметки германиевых пластин в дистилляте с использованием в качестве инструмента набора натянутых металлических нитей. В известных способах между инструментом и германиевой пластиной поддерживают определенный зазор. Этим объясняется сложность известных способов. Кроме того, разметочные линии получаются размытыми.

Предлагаемый способ от известных отличается тем, что разметку осуществляют при непосредственном контактировании заготовки с инструментом. Это не нарушает условий для протекания процесса электролитической разметки, так как германий имеет полупроводниковые свойства. Кроме того, по описываемому способу электрический ток между электродами пропускают из расчета 8 вЂ” 12 лга на погонный сантиметр контакта.

5 Предмет изобретения

Способ электролитической разметки германиевых пластин в дистилляте с использованием в качестве инструмента набора натянутЬгх

1О металлических нитей, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и снижения размытости разметочных линий, разметку осуществляют при непосредственном контактировании заготовки с инструментом, а электри15 ческий ток пропускают из расчета 8 вЂ” 12 >иа на погонный сантиметр контакта.

Похожие патенты:

Способ травления германия // 148700

Патент 125721 // 125721

Электролит для получения пористого кремния // 2194805

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для получения люминесцентных экранов и индикаторов

Способ получения газопроницаемой мембраны и газопроницаемая мембрана // 2283691

Изобретение относится к области изготовления полупроницаемых мембран для молекулярной фильтрации газовых потоков и для разделения реакционных пространств в химических реакторах

Способ изготовления газопроницаемой мембраны и газопроницаемая мембрана // 2335334

Изобретение относится к области изготовления селективных мембран для молекулярной фильтрации газовых смесей и может найти применение в компактных топливных элементах

Кхййческая ' s?ifi.7hoteшг // 252803

Способ очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин // 2507630

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к очистке поверхности полупроводниковых пластин от органических загрязнений и получению пористой поверхности кремния при изготовлении различных структур. Очистку от органических загрязнений и получение пористой поверхности полупроводниковых пластин осуществляют совместно в одну стадию в растворах HBF4 или NH4HF2, активированных озоном высокой концентрации 17% и выше. Травление полупроводниковых пластин осуществляют в концентрированных, более 10%, растворах HBF4 или NH4HF2. Применение предложенного способа очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин в растворах HBF4 или NH4HF2, активированных озоном высокой концентрации, позволит упростить технологию, понизить температуру процесса очистки, снизить энергоемкость, сократить число стадий и время обработки пластин, повысить экологическую безопасность очистки и получения пористой поверхности полупроводниковых пластин. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 2 ил.

Способ получения гидрофобного или гидрофильного пористого кремния // 2555013

Изобретение относится к области химии, в частности к методикам наноструктурирования и модификации свойств поверхности. Изобретение может быть использовано для изменения смачиваемости поверхности кремния путем изменения пористости поверхности, в том числе для получения гидрофильных или гидрофобных поверхностей на основе кристаллического кремния. Способ включает обработку поверхности кристаллического кремния электрохимическим травлением в растворе плавиковой кислоты концентрацией от 20% до 30% при подаче тока с поверхностной плотностью 750-1000 мА/см2 в течение 5-30 секунд для получения гидрофобного кремния или подаче тока с поверхностной плотностью не более 650 мА/см2 в течение 5-30 секунд для получения гидрофильного кремния. Способ позволяет одноэтапно получать поверхности с мультимодальной пористостью нано- и микромасштаба. 4 ил.