Способ стробоскопического наблюдения
Союз Советских
Социалистических
Республик
ОП ИКАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕХБэСТВУ
l72406
Загисимое от авт. свидетельства ¹ 148154
Заявлено 18,Х.1963 (№ 861520/26-25) с присоединением заявки ¹
Приоритет
Опубликовано 29.Ъ 1.1965. Б оллетеиь № 13
Дата опубликования описания 29Х11.1965
Кл. 21g, 11 г
Государствеииый комитет по делам изобретений и открытий СССР
МПК Н 01 l
УДК 621.315.592: 53.087.
252 (088.8) Авторы изобретения
Г. В. Спивак, Н. Н. Седов, В. Г. Дюков и В. В. Евдокимов
Заявитель
СПОСОБ СТРОБОСКОПИЧ ЕСКОГО НАБЛ1ОДЕН ИЯ
П ЕР ЕХОДН Ь1Х П РО ЦЕССО В
В ПОЛУПРОВОДНИКОВЪ1Х р — n-ПЕРЕХОДАХ
Опечатка
Следует читать — с присоедипением заявки № 861956
Подписная гругггга ¹ 97
По авт. св. ¹ 148154 известен спосоо получения изображения р — п-переходов в полупроводниках, осуществляемый возбуждением электронной эмиссии бомбардировкой поверхности полупроводников положительными ионами.
Предлагается для получения четкой (пеусредпеппой по времени) картины изображения
p — и-перехода в любой момент времени использовать стробоскопический эффект, получаемый путем импульсной ионной бомбардировки образца. Импульсная бомбардировка осуществляется с помощью ионного источника. Подаваемые на этот источник импульсы названы стробирующими. Скважность стробирующих импульсов, интенсивность излучения источника определяют яркость изображения.
Изображение получается вследствие электронной эмиссии с образца. Частоту следования импульсов хгожно плавно задерживать и тем самым наблюдать изобрйжецие в разные моменты времени относительно длительности основного опорного импульса, поданного иа р — и-переход в запирающем направлении.
5 Описанный способ позволяет исследовать динамические процессы в полупроводниковых р — п-переходах.
10 Предмет изобретения
Способ стробоскопического наблюдения переходных процессов в полупроводниковых р — гг-переходах по авт. св. ¹ 148154, отли15 чагоигггггся тем, что, с целью получения более полной информации о физических процессах, имеющих место при исследовании динамических процессов в полупроводниковых р — и-переходах, применяют стробоскопирование им20 пульсиой ионио-электропшой эмиссией.
