Способ выращивания монокристаллов i -:-г.-у;луч':;,'• . .?!, •'•,. ..j i .1|,/л

Авторы патента:

М. С. Рез, Е. И. Сперанска А. И. Сафонов, Л. В. Козлова, Г. М. Сафронов, Ю. А. Буслаев , Е. Роде

C30B9/12 - солевые растворители, например выращивание из флюсов

C30B29/32 - титанаты; германаты; молибдаты; вольфраматы

Со!оз Советских

Сощ .алистииеских

Республик

l7342l

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 404 1зо

Заявлено 07.11 1964 (№ 880554/22-2) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 21.VI I.1965. Бюллетень № 15

МПК С 22f

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

УДК 669.621Д15 502 (088.8)

66.065.5:548.55 (088.8) Дата опубликования описания 24Х111.1965

Автор. изобретения

И, С. Рез, Е. И. Сперанская, А. И. Сафонов, Л. В. Козлова, Г. M. Сафронов, И. A. Буслаев и Е. Я. Роде

Заявитель

1 ... ;ГГ„,,:, С11ОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОИОКРИСТАЛЛОВ

СЕ1ИЕТОЭЛЕКтРИ IEСKHX СОЕДИНЕНИЙ

Подписная группа № 1б1

В известных способах выращивания монокристаллов слоистого титаната висмута кристаллизацией из раствора вЂ” расплава бинарной системы В40„.вЂ” TiO кристаллы Bi4Ti>04» отделяют после кристаллизации всего расплава.

Описываемый способ отличается тем, что для увеличения выхода кристаллов и улучшения их электрофизических характеристик предлагается полученные кристаллы основного соединения отделять от расплава с помощью подвижной сетки-сепаратора при температуре выше температуры образования инконгруэнтно плавящегося соединения.

По описываемому способу смесь исходных компонентов (В40, 78 (о и TiO> 22%) загружают в платиновый тигель, в котором помещается также сетка, соединенная стержнем с подъемным устройством. После расплавления шихты расплав выдерживают в течение суток при 1200 С; сетка в это время служит для перемешивания расплава. После выдержки температуру расплава равномерно снижают со скоростью 1 вЂ” 2 в час до 900 С (сетка находится на дне тигля), в результате чего происходит процесс кристаллизации

Bi4Ti:04». При 900 С сетку с кристаллами поднимают и выдерживают 5 вЂ” 6 час для стекания с них остатков растворителя.

Кристаллы Bi4Ti;;0> могут быть подвергнуты отжигу при 600 С в том же устройстве.

Отделение кристаллов се -нетоэлектрического соединения от расплава при температуре выше 865 С необходимо для предотвращения разъедания кристаллов и загрязнения их

10 поверхностей примесью вследствие образования при 865 С несегнетоэлектрического инконгруэнтно плавящегося соединения В18Т104„, Предмет изобретения

Способ выращивания монокристаллов сегнетоэлектрических соединений, например

Bi4Ti;,04, кристаллизацией из раствора в расплаве, отличающийся тем, что, с целью

20 увеличения выхода кристаллов и улучшения их электрофизических характеристик, полученные кристаллы основного соединения отделя|от от расплава с помощью подвижной сетки-сепаратора при температуре выше темпе25 ратуры 0 op азо вания и нконгруэнтно плавящихся соединений.

Способ выращивания монокристаллов i -:-г.-у;луч:;,• . .?!, ••,. ..j i .1|,/л

Способ получения л10нокристаллов тугоплавких окислов // 164016

Способ получения сплава для кристаллических детекторов // 13378

Способ получения сплава для кристаллических детекторов // 13194

Способ получения монокристаллов // 173202

Сегнетоэлектрические монокристаллы // 143477

Электроустановка для выращивания монокристаллов // 113495

Способ получения сцинтилляционного монокристалла вольфрамата свинца // 2132417

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца (далее PWO), и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов, применяемых в детекторах ионизирующих излучений высоких энергий, работающих в условиях высоких дозовых нагрузок в трактах регистрации, требующих высокого временного разрешения

Монокристаллы вольфрамата свинца // 2145648

Способ получения сцинтилляционного монокристалла вольфрамата свинца // 2164562

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов вольфрамата свинца, и может быть использовано при изготовлении сцинтилляционных элементов, применяемых в детекторах ионизирующих излучений высоких энергий, работающих в условиях высоких дозовых нагрузок в трактах регистрации, требующих высокого временного разрешения

Способ получения сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата свинца // 2202011

Способ получения монокристалла вольфрамата // 2241081

Способ получения монокристаллов молибдата цинка // 2363776

Изобретение относится к выращиванию высокотемпературных неорганических монокристаллов и может быть использовано в квантовой электронике и физике элементарных частиц, в частности, для создания детекторов процесса двойного безнейтринного бета-распада

Оптическая среда для преобразования монохроматического излучения лазера и способ ее получения // 2394321

Изобретение относится к новому соединению класса оптических материалов - ахроматоров на основе неорганических кристаллических соединений, конкретно к сложным кальциевым тетрагерманатам эрбия и иттрия состава ЕrхY2-xCaGe4 O12, где 0.1<х0.3, которые могут быть использованы в фотонике в качестве оптической среды для преобразования монохроматического излучения лазера с длиной волны 975+/-5 нм в полосу от 1483 нм до 1654 нм ( =3500-4200 см-1) с одновременным усилением преобразованного излучения

Кристалл двойного молибдата цинка в качестве сегнетоэластика // 2054497

Изобретение относится к материаловедению и может быть использовано для создания управляемых функциональных устройств

Сцинтилляционный материал // 2059026

Изобретение относится к технике для регистрации и спектрометрии ионизирующих излучений, в частности к сцинтиляционным материалам

Лазерное вещество // 2066352

Изобретение относится к области квантовой электроники и может быть использовано при разработке лазеров инфракрасного диапазона

Нелинейно-оптический кристалл стронций бериллатоборат, способ выращивания нелинейно-оптических монокристаллов стронций бериллатобората и нелинейно-оптическое устройство // 2112089

Изобретение относится к нелинейно-оптическому кристаллу стронций бериллатоборату, способу выращивания нелинейно-оптических монокристаллов бериллатобората и нелинейно-оптическому устройству

Способ выращивания монокристаллов трибората лития // 2112820

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO)

Способ выращивания монокристалла двойного цезий-литий бората cslib6o10 // 2119976

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава

Способ управления процессом кристаллизации и устройство для его осуществления // 2163943

Изобретение относится к выращиванию кристаллов