Способ зарядки фотополупроводниковых слоев

 

О П И С А Н И Е 17452l

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Кл. 57b, 10

15k, 7о-.

Заявлено 08.V33.1964 (¹ 910104/26-10) с присоединением заявки №

Государственный комитет по делам изобретений м отнрытнй СССР

МПК G 03с

В 41m

УДК 772.93(088.8) Приоритет

Опубликовано 27Х111.1965. Бюллетень ¹ 17

Дата опубликования описания 2.Х.1955

F..=Г0, В, : „", т=" т- " ц"

ii>i /i,", Л .4

Автор изобретения

1О. А. Черкасов

Заявитеllb

СПОСОБ ЗАРЯДКИ ФОТОПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ

Предмет изобретения

Подписная группа Л3 235

Известен способ зарядки фотополупроводниковых слоев на высокоомных подложках, заключающийся в том, что зарядку слоя производят со стороны полупроводника многократно. Многократное использование фотополупроводникового слоя приводит к снижению

его электрофотографической чувствительности.

Предлагаемый способ отличается от известного тем, что зарядку слоя производят со стороны подложки зарядом противоположного знака. Это позволяет сохранить чувствительность фотополупроводникового слоя при многократном его использовании. Способ заключается в следующем.

В поле положительного заряда производят электризацию слоя, причем заряд наносят со стороны бумажной подложки. Экспонирование производят со стороны слоя полупроводника. Проявление осуществляют обычным проявителем.

Для осуществления предложенного способа используется обычная электрофотографическая аппаратура.

Способ зарядки фотополупроводниковых слоев на высокоомных подложках, отличаюигийся тем, что, с целью сохранения чувствительности фотополупроводникового слоя при

15 многократном его использовании, зарядку слоя производят со стороны подложки зарядом противоположного знака.