Способ анодного оксидирования поверхности многослойных полупроводниковых структур
175l42
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 19»ЧI!1.1963 (№ 853160/26-25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 21 IX.1965. Бюллетень № 19
Дата опубликования описания 18.XI.1965
Кл. 21g 11О2
48а, 1бо
МПК Н Oll
С 23b
УДК 621.382.34:621.357.8 (088.8) Государственный комитет по делам .. изобретений в открытий СССР
Авторы изобретения
В. В. Русаков и В. В. Новиков
Заявитель
СПОСОБ АНОДНОГО ОКСИДИРОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ
МНОГОСЛОИНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
Поаписная группа № 97
Известны способы анодного оксидирования поверхности диодных полупроводниковых структур в высокоомной деионизованной воде путем подачи анодного напряжения на р — ппереход таким образом, что последний смещен в прямом направлении относительно катода. Однако при оксидировании многослойных полупроводниковых структур известным способом в прямом направлении оказываются смещенными не все р — n-переходы структуры и поверхность структур оксидируется неравномерно или совсем не оксидируется.
Предлагаемый способ анодного оксидирования поверхности многослойных полупроводниковых структур отличается от известного тем, что анодное напряжение подают дополнительно «а два (или более) омических контакта структуры таким образом, чтобы все р — n-переходы были смещены в прямом направлении относительно катода.
Способ позволяет получить по всей поверхности структуры равномерную и качественную защитную пленку окисла.
Предложенный способ оксидирования многослойных полупроводниковых структур осуществляют в протоке деионизованной высокоомной воды (с удельным сопротивлением
10 — 18 мгол см) при равномерном анодном потенциале по всей поверхности полупроводника, когда все р — п-переходы структуры смещены в прямом направлении относительно катода, что достигается подачей анодного напряжения одновременно на два (или более) контакта структуры, 10
Предмет изобретения
Способ анодного оксидирования поверхности многослойных полупроводниковых структур в высокоомной деионизованной воде путем подачи на р — n-переход анодного напряжения таким образом, что он оказывается смещенным в прямом направлении относительно катода, отличающийся тем, что, с целью создания качественной и равномерной
20 защитной пленки окисла на всей поверхности полупроводника, анодное напряжение подают дополнительно на два (или более) омических контакта структуры так, чтобы все p — n-переходы были смещены в прямом направлении
25 относительно катода.
