Полупроводниковый стабилитрон

Авторы патента:

H01L29/88 - туннельные диоды

I76 988

ОПИСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 30.lll.1963 (№ 950842/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 01.Х11.1965. Бюллетень ¹ 24

Дата опубликования описания 18.1.1966

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР

МПК Н OII

УДК 621.382.233. (088.8) Авторы изобретения

И. В. Грехов, В. Е. Челноков и В. Б. Шуман

Заявитель

ПОЛУПРОВОДНИКОВЪ|й СТАБИЛИТРОН

1!одписная группа № 97

Известны полупроводниковые стабилитроны, выполненные в виде n вЂ” р вЂ” n-структур с температурной компенсацией, конструкция которых ограничивает их мощность.

Предложенный полупроводниковый стабилитрон отличается от известных тем, что в коллекторном переходе триодной структуры типа n вЂ” p вЂ” n создан стабилитронный участок одного с базой типа проводимости, площадь которого и напряжение пробоя меньше площади и напряжения пробоя всего коллекторного перехсда. Этот участок расположен на меньшей глубине от поверхности структуры со сто роны коллектора, чем весь коллекторный переходд.

В результате этого значительно повышается мощность полупроводниковых стабилитронов.

На чертеже схематически изображен предложенный стабилитрон.

Он представляет собой мощный полупроводниковый триод типа п вЂ” р вЂ” и с эмиттерным переходом 1 и диффузионным коллекторным переходом 2. В коллекторном переходе имеется участок 8 одного с базой типа проводимости малой площади со значительно меньшей глубиной перехода и меньшим напряжением пробоя, чем весь переход 2.

Стабилитронный участок 8 коллекторного перехода может быть рассчитан на малые токи и выполнен с малой площадью, в то время как общий ток через стабилитрон будет достаточно большим. Допускаемая мощность стабилитрона в этом случае определяется мощностью рассеивания триода.

Предмет изобретения

Полупроводниковый стабилитрон, выполненный в виде триодной структуры типа nâ€” вЂ” p вЂ” и, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности прибора, в коллекторном переходе структуры создан стабилитронный участок одного с базой типа проводимости, площадь которого и напряжение пробоя меньше площади и напряжения пробоя всего коллекторного перехода и который расположен на меньшей глубине от погерхности структуры со стороны коллектора, чем весь коллекторный

25 переход.

176988

Составитель Т. Петрикова

Редактор Н. Джарагетти Тсхрсд Л. Л. Камышникова Корректоры; T. В. Муллина и Г. П. Зимина

Заказ 3790 9 Тираж 1575 Формат бум, ВО> 90 780бъем О,1 изд.,л. Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений н открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типографии, пр. Сапунова, 2

Похожие патенты:

Туннельный диод // 172404

Туннельный диод // 171923

Способ уменьшения емкости туннельных диодов, основанный на уменьшении площади p-n перехода // 148143

Полупроводниковый двухэлектродный туннельный прибор // 139015

Туннельный прибор // 2105386

Изобретение относится к туннельным приборам, а именно к функциональным элементам наноэлектроники и вычислительной техники, и может быть использовано для приборного и схемотехнического применения нанотехнологии, например для построения одноэлектронных логических схем, создания схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Способ изготовления туннельного прибора // 2106041

Изобретение относится к способам изготовления функциональных элементов наноэлектроники и вычислительной техники и может быть использовано для изготовления одноэлектронных логических схем, схем одноэлектронной памяти, работающих при комнатной температуре

Способ получения ариловых эфиров р-алкокси- и р- алкилтиоэтансульфокислоты // 181093

Высокочастотный туннельный днод // 219567

Туннельный диод // 219702

Высокочастотный туннельный диод // 263044

Туннельный диод // 1003701

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к функциональным элементам интегральных схем, и может быть использовано в генераторных схемах, а также в вычислительной, измерительной и усилительной технике

Устройство с туннельным переходом // 1598780

Изобретение относится к структурам на основе металл - диэлектрик - металл и может быть использовано в квантовых приборах и интегральных схемах

Датчик температуры // 1810931

Способ определения вида и концентрации наночастиц в неорганических аморфных средах и композитах на основе полимеров // 2548395

Способ определения вида и концентрации наночастиц в неорганических аморфных средах и композитах на основе полимеров может найти применение в электронике, радиотехнике, природоохранной, химической и нефтяной отраслях для контроля качества проведения технологических процессов и качества готовой продукции, например, при создании полимерных нанокомпозитов, функциональных электронных и радиотехнических элементов. Технической задачей является повышение точности определения концентрации наночастиц в аморфных средах любой природы путем уменьшения влияния фоновых токов на результат измерения. Поставленная задача решается тем, что создается измерительная ячейка, состоящая из двух инжекционных слоев проводящего материала и слоя исследуемого материала между ними, полученная измерительная ячейка помещается в низкотемпературную среду, в которой фоновые токи достигают своего минимального значения и не оказывают существенного влияния на результат измерения, затем измерительная ячейка включается в цепь и снимается вольт-амперная характеристика, по которой определяются значения резонансных потенциалов и соответствующие им значения резонансных токов, далее полученные значения резонансных потенциалов сравниваются с базой данных резонансных потенциалов известных наночастиц и осуществляется идентификация наночастиц в исследуемом материале, затем готовится эталонный образец материала с низкой концентрацией идентифицированных наночастиц, формируется измерительная ячейка, состоящая из двух инжекционных слоев проводящего материала и эталонного материала между ними, полученная эталонная измерительная ячейка помещается в низкотемпературную среду и включается в цепь, после чего снимается вольт-амперная характеристика, по которой определяются резонансные потенциалы и соответствующие им значения резонансных токов, на основании полученных значений резонансных токов в исследуемом и эталонном образцах, а также известного значения концентрации в эталонном образце рассчитывается концентрация наночастиц в исследуемом образце.