Способ выращивания полупроводниковых монокристаллов сульфидов и селенидов группа" и а"1

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сова Сооетскит

Социалистическит

Реслубли

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 18.IV.1963 (№ 831945/23-4) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 20.V1.1969. Бюллетень № 21

Дата опубликования описания 18.ХИ969

Комитет оо аелзи изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

Л. А. Сысоев, Л. В. Конвисар и Э. К. Райскин

Всесоюзный научно-исследовательский институт монокристаллов

Заявитель

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

МОНОКРИСТАЛЛОВ .СУЛЬФИДОВ И СЕЛЕНИДОВ ГРУПП

Аи и A

Известен способ выращивания монокристаллов типа CdS (группа Аи Btv — сульфидов и селенидов кадмия, цинка, теллура) из расплава под давлением инертного газа.

Предлагаемый спосоо выращивания полупроводниковых монокристаллов типа CdS отличается от известного тем, что для получения монокристаллов стехиометрического состава в реакционный объем вводят химическое соединение металлоида с углеродом.

Пример 1. Выращивание монокристаллов сульфидов кадмия и цинка.

Предварительно подготовленный стехиометрический порошок сульфида кадмия загружают в графитовый контейнер, помещаемый внутрь трубчатого графитового нагревателя, расположенного в автоклаве. После герметизации внутреннего объема его вакуумируют с подогревом для удаления из автоклава влаги и газообразных примесей. В вакуумированный объем автоклава вводят заданное количество сероуглерода, после чего в автоклав из баллона подается аргон до давления 30 — 40 ат. Последующие операции включают плавление порошка сульфида кадмия, некоторый перегрев расплава и затем программное снижение температуры расплава таким образом, чтобы в коническом дне контейнера возникла монокристаллическая затравка, которая разращивается последовательно снизу вверх по объему контейнера.

Наличие в газовой фазе сероуглерода допускает необходимый перегрев расплава с соответствующим градиентом температуры вдоль оси контейнера без термического разлоукения перегретого исходного вещества, что обеспечивает получение монокристаллов с заданными свойствами.

Аналогично получают монокристаллы сульфида цинка.

Пример 2. Выращивание монокристаллов селенидов кадмия и цинка.

Отличие от примера 1 состоит в том, что в вакуумированный объем вводят заданное количество селеноуглерода либо впрыскиванием готового продукта, либо продувкой паров селена через нагретую кварцевую трубку, содержащую пористую углеродную массу (древесный уголь и т. п.).

Предмет изобретения

Способ выращивания полупроводниковых монокрпсталлов сульфидов и селенндов групп

A" и А н, например CdS, из расплава под

25 давлением инертного газа, отличаюцийся тем, что, с целью получения монокристаллов стехиометрического состава и упрощения процесса, в реакционный объем вводят химическое соединение одноименного металлоида

30 с углеродом, например СЬз.

Способ выращивания полупроводниковых монокристаллов сульфидов и селенидов группа и а1 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к изготовлению легированных монокристаллов или поликристаллов кремния, применяемых в производстве солнечных батарей (модулей), интегральных схем и других полупроводниковых устройств

Изобретение относится к технике получения монокристаллов полупроводниковых соединений и их твердых растворов, используемых в полупроводниковой промышленности

Изобретение относится к области исследования и анализа материалов, а точнее к способам управления процессами кристаллизации и сегрегации

 // 193438

Изобретение относится к способу получения полупроводниковых соединений и может быть использовано для получения материалов, применяемых в полупроводниковых приборах и приборах нелинейной оптики

Изобретение относится к области изыскания материалов, которые могут найти применение как ферримагнитные полупроводники при создании элементов памяти, а также в многофункциональных приборах и интегральных схемах

Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и приборов
Изобретение относится к области технологии получения и легирования неорганических веществ и может быть использовано в микроэлектронике, полупроводниковом приборостроении

Изобретение относится к области получения кристаллических полупроводниковых материалов с заданными электрофизическими свойствами

Изобретение относится к области получения кристаллических полупроводниковых материалов, используемых в электронном, ядерном приборостроении, детекторах ионизирующих излучений
Изобретение относится к неорганической химии

Изобретение относится к получению монокристаллических тиоиндатов щелочных металлов структуры АIBIIICVI 2, в частности монокристаллов соединения LiInS2, используемого в лазерной технике в качестве преобразователя излучения

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к тройным теллуридам железа и индия, которые могут найти применение как ферромагнитные материалы при создании постоянных магнитов, а также в многофункциональных приборах и интегральных схемах
Наверх