П плтгмтно- .: -, i ! iliijj ii " г-.х;!ичв:^дя ^*^ iв. м. голянов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

l79 573

Союз Соеетскиз

Социалистическив

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 25.1Х.1961 (¹ 746168/22-2) с присоединением заявки №

Приоритет

Кл. 481т, 15кв. 11ПК С 23с

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

У Д К 621.793.093. 12.002.

54 (088.8) Опубликовано 08.11.1966. Бюллетень ¹ 5

Дата о!!убликования описания 2.1\ .1966

Автор изобретения

В. М. Голянов

Заявитель

ИОННЫЙ ТОЧЕЧНЬ1Й РАСПЬ1ЛИТЕЛЬ

Изобретение относится к распылителям для образования металлических пленок путем коцденсации паров металлов в вакууме.

Известны установки для получения бесструктурных однослойных пленок методом катодного распыления металлов, которое производится в вакуумном посту, снабженном катодом, анодом H II o b aTbI I! n !!a !;Iëÿ подачи инертного газа. Однако с их помощью нельзя получать узкий пучок бомбярдирующих ионов и бесструктурные многослойныс пленки, а также оттенять обьекты в электронной микроскопии.

Предложен ионный точечный распылитель, н котором разрядная камера, слу>кащая анодом, снабжена дополнительным подвижным катодом, соленоидами, клапаном-отсекателем и клапаном тонкой регулировки давления. Соленоиды изготовлены из листовой меди с водяным охлаждением; система подачи инертного газа — из стекла. Камера объектов выполнена в виде медного термостатя и снабжена управляемой снаружи металлической заслонкой, перекрывающей окно, через которое распыляемый материал поступает в камеру объектов. Описываемый распылитель позволяет получить: точечный источник распыления, последовательное распыление нескольких ме-.

TBJIJIoB без нарушения вакуумы, бесструктурные однослойные и многослойные пленки с л!обой дозировкой ряспыляемых материалов, ноги!женное давление инертного газа в разрядной камере с максимальной чистотой газовой среды.

5 -la фиг. 1 схематически изображен ионный точечный распылитель; ня фиг. 2 — система подачи спектрально-чистого инертного газа.

Разрядная камера !твляется основой распылителя, принцип работы которого состоит в

10 следующем. Между стационарным катодом !! Подвижным K370,10ì 2 в цилиндрической камере-аноде 3 возникает газовый разряд в виде светящегося шнура. В точке соприкосновения шнура с катодом 2, к которому подводят

15 высокое напряжение, материал катода распыляется н через отверстие 4 в аноде проникает в камеру 5 объектов, где и конденсируется ня любом предмете 6. По трубке 7 непрерывно подается спектрально-чистый инертный газ, 20 давление которого в разрядном пространстве регулируется клапаном-отсекателем 8 и клаг!явок! 9. Клапан-отсекятель 8 создает нужное давление инертного глзл для возникновения газового разряда, л клапан 9 служит для тон25 кой регулировки давления и поддержания его на одном уровне, то есть для поддержания постоянной силы разрядного тока в течеш!с всего процесса распыления. Упр!!вл!нот клапаном 9 снаружи прн помощи экрл!ья 10. Кро30 ме того, через кляп; и 9 подводят высокое от179573 рицательное напряжение к катоду 1. Подвижный катод 2 перемещается при помощи четырех ручек 11 в двух взаимно перпендикулярных направлениях па величину 4 мм. Это дает возможность, не нарушая вакуума и без остановки процесса распыления, получать бесструктурные многослойные пленки путем замены вещества на катоде по отношению к светящемуся шнуру газового разряда. Наблюдают за центрированием и перемещением като- 10 да через окно 12. Одно из отверстий 4 анода 8 можно перекрывать металлической заслонкой 18, управляемой снаружи, что позволяет повысить чис>оту конденсата, поступающего в камеру 5 объектов, и точно дозировать 15 распыляемый металл. Стакан 14 камеры 5 объектов изготовлен (пз меди) в виде экрана для поддержания необходимой температуры предмета 6.

Анод 8, катоды 1 и 2 и камера 5 объектов, 20 соприкасающиеся с газовым разрядом, как бы подвешены с помощью медного кронштейна 15 к стакану 16, что обеспечивает легкое обезгаживапие этих деталей в вакууме путем принудительного прогрева перед началом рас- 2s пыления через стакан 16. Последний выполняет также роль холодильника, создавая условия для охлаждения анода и камеры объектов до температуры жидкого азота. Позиция 17— соленоид. 30

Система подачи спектрально-чистого инертного газа выполнена из стекла и состоит из стеклянного баллона 18 с инертным газом, стеклянного капилляра 19, платиновой прово; локи 20, шлифового крана 21, резинового уп- 35 лотпения 22 и подводящей трубки 7. Выполнение системы из стекла обеспечивает подачу инертного газа максимальной чистоты.

Стеклянный капилляр 19 пробивается с помощью «Тесла» и платиновой проволоки 20.

Струю инертного газа можно регулировать при первом пробое и при дополнительных пробоях за счет интенсивности (и времени) пробивающего разряда.

Соленоид 17 предназначен для создания постоянного магнитного поля в разрядной камере, он изготовлен из листовой меди и имеет водяное охлаждение, Электрическая обмотка соленоида выполнена из шинного медного провода с изоляцией из стеклянной ткани.

Предмет изобретения

1. Иош:ый точечный распылитель, выполпе ный в виде разрядной камеры с анодом и катодом и системы для подачи инертного газа, отлича>ощийся тем, что, с целью получения точечного источника распыляемого металла, разрядная камера, имеющая боковые отверстия, служит анодом и снабжена дополнительным подвижным катодом, концентрически расположенной вокруг нее камерой объектов и соленоидами.

2. Распылитель по п. 1, отлича>ощийся тем, что, с целью различной дозировки распыляемых вешеств в камеру объектов, разрядная камера снабжена управляемой снаружи заслонкой, перекрывающей боковые отверстия.

3. Распылитель по пп. 1 и 2, отлича>ощийся тем, что, с целью создания и регулирования необходимого давления инертного газа в разрядной камере, камера объектов снабжена клапаном-отсекателем и клапаном тонкой регулировки давления.

Составитель Е. Кубасова

Редактор Б. Шнейдерман Техред Л. К, Ткаченко

Корректоры: М. П. Ромашова и Е. Д. Курдюмова

Заказ 713/13 Тираж 1225 Формат бум. 60 90 /з Объем 0,38 изд. л, Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

П плтгмтно- .: -, i ! iliijj ii г-.х;!ичв:^дя ^*^ iв. м. голянов П плтгмтно- .: -, i ! iliijj ii г-.х;!ичв:^дя ^*^ iв. м. голянов П плтгмтно- .: -, i ! iliijj ii г-.х;!ичв:^дя ^*^ iв. м. голянов П плтгмтно- .: -, i ! iliijj ii г-.х;!ичв:^дя ^*^ iв. м. голянов 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к получению ионных пучков и может быть использовано в ускорительной технике, масс-спектрометрии и т.п

Изобретение относится к нанесению однослойных и многослойных покрытий различного функционального значения на детали большого диапазона размеров

Изобретение относится к устройствам электронно-ионной технологии, в частности к газоразрядным устройствам для ионной очистки и травления материалов, и может найти применение при изготовлении элементной базы микроэлектроники из многокомпонентных материалов

Изобретение относится к области электротехники, а именно к технологии изготовления контактов вакуумной дугогасительной камеры

Изобретение относится к электротермии, в частности к устройствам для нанесения вакуумных ионно-плазменных покрытий

Изобретение относится к ядерной технике и может быть использовано для выравнивания поверхности оксидных материалов

Изобретение относится к ядерной технике и может быть использовано для выравнивания поверхности оксидных материалов

Изобретение относится к способу изготовления пористых газопоглотительных устройств с пониженной потерей частиц и к устройствам, изготавливаемым этим способом

Изобретение относится к вакуумной металлургии и его можно использовать при нанесении покрытий на изделия со сложным профилем
Наверх