Устройство для вакуумного скола полупроводниковых монокристаллов

 

Изобретение относится к устройствам для обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано при подготовке образцов полупроводниковых монокристаллов с атомарно-чистой поверхностью . Цель изобретения заключается в повышении надежности работы устройства. Для этого оно снабжено размещенным в вакуумной камере корпусом 1, в котором установлен держатель кристалла 2. выполненный в виде цангового патрона 3, закрепленного на стержне 4. На цанговом патроне 3 закреплен рабочий орган, выполненный в виде двух расположенных в одной плоскости изогнутых пластинчатых ножей 7, взаимодействующих с конусообразной поверхностью внутренней торцовой стенки корпуса 1. Цанговый патрон 3 установлен с возможностью юстировки и совместного с корпусом 1 продольного фиксированного перемещения. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (II) (5))с В 28 0 5/04

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4775810/33 (22) 29,12.89 (46) 30,12.91. Бюл. N 48 (71) Восточно-Сибирский технологический институт (72) Ю.И. Асалханов, Д.М, Дашанимаев и

А,В. Желаев (53) 666.26(088.8) (56) Frederiks W.!, СоЫ С.I, Phys,Rev. 121, 1693, 1961. (54)УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВАКУУЧНОГО СКОЛА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ (57) Изобретение относится к устройствам для обработки полупроводниковых матери- алов и может быть использовано при подготовке образцов полупроводниковых монокристаллсв с а омарно-чистой поверхностью. Цель изобретения заключается s повышении надежности работы устройства.

Для этого оно снабжено размещенньм в вакуумной камере корпусом 1. в котсром установлен держатель кристалла 2, выполненный в виде цангового патрона 3, закрепленного на стержне 4. На цанговом патроне

3 закреплен рабочий орган, выполненный в виде двух расположенных в одной плоскости изогнутых пластинчатык ножей 7, взаимодействующих с конусообразной поверхностью внутренней торцовой стенки корпуса 1. Цанговый патрон 3 установлен с возможностью юстировки и совместного с корпусом 1 продольного фиксированного перемещения. 1 ил.

1701562

Г(Во

Изоб; а-., "!!!e 0- носи!.:к к устройствам

Для Обрэ Оот";>I Г!Оп" i"", >OBOÄ: 1кОВых материалов и 1:л<»ка> бы(ь .Гспи: oo: 1о прv, подгоТОВК8 0 . ; ЯЗ!. .В Г О. 1(Г)(1Ь101Н"!КОВЫХ МОНОкриста)(ЛОВ с -;ТО. арно- . !сто . поверхностью.

1.!8)1ь(0 изобра- ения яВIIêeòcë повышение наде:кiioc rif! работы ус ройства.

На epT8;ке представлен обший вид

1 предлагаемого устройства, VcTpol> cTB0 цля ва.:уум(-ог0 скола полупроводниковых м нокри(;тяллов содержит размещенный В Вакуумной камере корпус 1, в котором, стяновла». ae,). ;<аталь кристалла

2, вь(пол;(анньгй В вице ца IrÎBGI Î;IB грона 3, закрепленнОГО 1!Я с 80>!<118 4, проходящем, через Вакуумный уплстн(тель. Цянговый

rlBTpoH 3 снао>кан зЯжим нОЙ ГЯЙкОЙ 5, HG которую надет"-,: !Я "б= 8, н (р >кная поверхНОСТЬ 1I ПГ18 !С ЯВ/11- .а; Чагы()ВХГРЯН

;.<Ик, на двух и р:: .. : Во(пс:ожн „i>< гранях которОГО зя!<р пл8ньl дп "=I изо! нутых плястинчат1,1. но>ка 7 ос)р>озаточанной режущей кромкой. 1.. 1"-,ð>; P». жестко соединен с диском 8, и IBIOL . è;. (R,fõoë ципиндрический выступ 9 v сьч(занным посредством сильфона 10 с

О друг olf!Oc Галь,-,o,I1pbJI Я 120, в <атос ые ввинчены юстисово-1н(18 Винты 12, <))ланац

11 жестк. соеди,:,а ..>О сгаканом 13, на котором по,1-)а.цство : ... —;Тon зякрапneí корпус 1, Вн,1транняч;:-.Л1 <>В;:1!1 "181- Кп <оторогo им<-.ат 1<00..;::, бр."-;.,-:у.: (!>Opi у, с к010рОЙ

ВЗЯИ110ЦГ!ЧС1 В:,:ie i i 3:!:: —,", I:.:!8 ПЛЯС) ИН-lатыа ( н;K!, (, /(У;!, 08! о па(i :i: п0>10>хан (1я Об

Г)Я,"-: ЦЯ 2 01 (Осип а ч:, io iii Г>с .<>iс i и фпан11. .1 1

В CTep)!<наст; совместногo

ПродОЛЬ!.ОГО фЧ(:С(л..,.1аliiio,о ПараМЕщания дзр к: ;::::.; ..р!1 Гял гя и;<Орпусз ",.

У !!pol c i В 1> 1.."- !.:01 - e) <1 адуlс(циlл Обра

ЗОМ.

Рас" ..;., I; Й,;р(л(.; Я. 2, из-ОтОвленнь.й В В:1,!<8 !priv!0 Гол .Ио(>0 и ряллелапипадя, с г1редвярй(ельни сделанными на нем

КЯНЯВКЯМИ, С.>(. ; I)8"С(ВУ10Щ(ЛМИ НУХ<НОй КРИсТ )л!(Огра

rIRBc i!.нча- ые ножи 7 Вставляются B канавки кристапла. При зЯВ (н ивании (Я(1к(л 5 нОжи уда ">кива(опся 0; Вращения, постоянно ос,тавя:-.::ь B !.B;:Bn!

r с зя>1<я ь!(л В Hef 1 14()l lol !I!1< тялп 01л . Вставляетт B В ОДНО ". inЧ "(Я 88РГГI<КЯЛЬНО PBCIioло BH" 0 I!i!1 " " — (>С I" i I С i "-O i

;-. !1 4 >1 за;.с.и;зле .:.-1 Г:iei-: ".! Н(тами. При 3 !Ом I i>i

30 ь

45 обходимости регулировки расстояния от плоскости фланца 11 до поверхност образца. Установка необходимого положения о=.разца производится с помощью диска Р, вставляемого в нужное положе:;ие с помощью трех юстировочных винтов 12, входящих в резьбовые отверстия диска, расположенных по окружности и отстоящих на 120 одно относительно другого. Равномерно завинчивая три винта 12, можно установить в пределах сжатия и растяжения сильфона 10 плоскость образца в н жном положении, а завинчивая винты 12 на различную длину, можно задать требуемую пространственную ориентация поверхности образца 12.

Для проведения скола кристалла 2 к стакану 13 с помощью винтов прикрепляется корпус 1, прсдставляющи(Й собой полый цилиндр, внутренняя торцовая стенка которого имеет конусообразную форму. На данную конусообразную поверхность плотно опираются изогнуть(е торцы ножей 7. Скол кристалла производится следующим образом, Винты 12, удерживающие диск 8, вывинчиваются до тех пор, пока вели-1ина зазора между их концами и плоскостью фланца 11 не составит 4-5 мм. Г! ри этом под действием атмосферного давления и за счет сжатия сильфона 10 изогнутые торцы ножей 7 плотно ложатся на конусообразную- поверхность

Внутренней стенки корпуса 1. Затем пс цилиндрическому выступу 9 диска 8 производится резкий удар, вследствие чего цанговый патрон 3 с зажатым B нем кристаллом 2 вместе с ножами 7 зв счет сжатия сильфона 110 смещается, удаляясь от плоскости фланца 11, Поскольку положение корпуса 1 относительно плоскости фланца 11 остается неизменным, c тояние поверхности образца от плоскости фланца 11, Предла Гаемое ус гройс Гво обес печи з Яе i нЯД8жныЙ pncêoë кристЯллов с бОльlвoй

ЭНВР(иай СВЯЗИ МЕЖДУ КРИСтЯППИЧЕС(пми

1701562 плоскостями и обеспечивает последующую юстировку сколотой поверхности.

Составитель Ю.Асалханов

Техред M.Ìoðãåíòàë Корректор С.Черни

Редактор О.Спесивых

Заказ 4503 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва. Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород. ул.Гагарина, 101

Формула изобретения

Устройство для вакуумного скола полупроводниковых кристаллов, содержащее расположенные в вакуумной камере держатель кристалла, установленный на стержне, проходящем через вакуумный уплотнитель, и рабочий орган, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения надежности работы, устройство снабжено размещенным в вакуумной камере корпусом, в котором установлены держатель кристалла и рабочий орган, причем внутренняя торцовая стенка корпуса имеет конусообразную поверхность, а держатель кристалла выполнен в

5 виде цангового патрона, смонтированного с возможностью юстировки и совместного с корпусом продольного фиксированного перемещения, при этом рабочий орган выполнен в виде двух расположенных в одной 10 плоскости изогнутых пластинчатых ножей, закрепленных на цанговом патроне и взаимодействующих с торцовой стенкой корпуса.

Устройство для вакуумного скола полупроводниковых монокристаллов Устройство для вакуумного скола полупроводниковых монокристаллов Устройство для вакуумного скола полупроводниковых монокристаллов 

 

Похожие патенты:

Пила // 575221

Изобретение относится к разрезанию блоков из твердых материалов, в частности из полупроводников, стекла и керамики, на пластины путем воздействия свободно подаваемого абразива и бесконечного циркулирующего прочного несущего элемента

Изобретение относится к области механической обработки твердых хрупких материалов, а именно к способам механической резки монокристаллов на пластины

Изобретение относится к области обработки поли- и монокристаллических слитков полупроводниковых материалов с целью разделения их на пластины и может быть использовано при изготовлении пластин, используемых в производстве полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к области обработки поли- и монокристаллических слитков полупроводниковых материалов с целью разделения их на пластины и может быть использовано при изготовлении пластин, используемых в производстве солнечных батарей, полупроводниковых приборов и интегральных микросхем

Изобретение относится к области обработки кристаллов и может быть использовано при обработке алмазов, а именно при обточке рундиста бриллианта в ювелирной промышленности

Изобретение относится к устройству для обработки твердых и хрупких неметаллических материалов, в частности к устройству для разрезания слитков кремния. Алмазная проволочная пила, содержащая ячейки из алмазных проволочных полотен, намотанных на параллельные катушки с возможностью резания заготовки на столике для резки, причем диаметр, по меньшей мере, одного последующего вдоль направления резания полотна превышает диаметр, по меньшей мере, одного предыдущего полотна, расположенного впереди по направлению резания, что способствует достижению более экономного использования кремния для удовлетворения потребностей производства, так как получаемые пропилы более узкие, а толщина кремниевых пластин меньше. 10 з.п. ф-лы, 8 ил.

Изобретение относится к устройствам для обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано при подготовке образцов полупроводниковых монокристаллов с атомарно-чистой поверхностью

Наверх