Способ определения толщины нарушенного слоя кристаллов

 

Изобретение относится к испытательной технике, в частности к способам определения толщины нарушенного слоя кристалла. Целью изобретения является повышение точности. Поставленная цель достигается за. счет того, что при послойнрм стравливании поверхности слоев кристалла , сопровождающимся внедрением индентора при постоянной нагрузке и времени выдержки под нагрузкой дополнительно внедряют индентор при другом постоянном времени выдержки под нагрузкой, а за толщину нарушенного слоя принимают общую толщину стравленных слоев при которой наступает стабилизация геометрических параметров отпечатков индентора при каждом времени выдержки под нагрузкой.

союз советских

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (!9) (I!) (si)s G 01 N 3/42

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4484852/28 (22) 20;09,88 (46) 30.12,91. Бюл. ЬЬ 48 (72) В.Д.Скупов, Т.Н.Скупова и Г.А.Цыпкин (53) 620.178.1(088.8) (56) Гогоберидзе Д.Б. Твердость и методы ее измерения, М.-Л.: Машгиз, 1952, с. 161-167. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ

НАРУШЕННОГО СЛОЯ КРИСТАЛЛА (57) Изобретение относится к испытательной технике, в частности к способам определения толщины нарушенного слоя кристалла. Целью изобретения является поИзобретение относится к испытательной технике, в частности к способам определения толщины нарушения слоя кристалла, и может быть использовано, например, в электронной промышленности.

Целью изобретения является повышение точности, определения .толщины нарушенного слоя кристалла путем учета возможности постоянства твердости при разных значениях дефектности кристалла.

Способ осуществляют следующим образом.

Послойно стравливают поверхностные слои кристалла, определяют толщину стравленных слоев, перед каждым стравливанием в кристалл внедряют индентор при постоянной нагрузке и двух постоянных на отличных между собой временах выдержки под нагрузкой, измеряют геометрические параметры отпечатков, например, длины диагоналей отпечатков или глубины внедрения индентора. За толщину нарушенного вышение точности. Поставленная цель достигается за.счет того, что при послойном стравливании поверхности слоев кристалла. сопровождающимся внедрением индентора при постоянной нагрузке и времени выдержки под нагрузкой дополнительно внедряют индентор при другом постоянном времени выдержки под нагрузкой, а за толщину нарушенного слоя принимают общую толщину стравленных слоев при которой наступает стабилизация геометрических параметров отпечатков индентора при каждом времени выдержки под нагрузкой. слоя принимают общую толщину стравленных слоев, при которой наступает стабили- Я зация геометрических параметров отпечатков индентора прИ каждом времени выдержки под нагрузкой.

Для повышения надежности производят внедрение индентора при более чем двух временах выдержки под нагрузкой перед каждым стравливанием поверхностного М слоя, строят зависимость размеров выбранного геометрического параметра отпечат- Я ков от времени выдержки индентора под нагрузкой, а за толщину нарушенного слоя принимают общую толщину стравленных слоев, при которой стабилизируется полученная зависимость.

Формула изобретения, Способ определения толщины нарушенного слоя кристалла, заключающийся в том, что послойно стравливают поверхностные слои кристаллов, on ределяют толщи1702242

Составитель С.Волобуев

Техред M,Ìîðãåíòàë

Корректор M.Màêñèìèøèêeö

Редактор Л.Народная

Заказ 4537 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101 ну стравленных слоев, перед каждым стравливанием в кристалл внедряют индентор при постоянной нагрузке и постоянном времени выдержки под нагрузкой, измеряют геометрические параметры отпечатков индентора, а о толщине нарушенного слоя судят по стабилизации параметров отпечатков и толщине стравленных слоев, о т л и, ч а ю шийся тем, что, с целью повышения точности, перед каждым стравливанием производят второе внедрение индентора при нагрузке. равной нагрузке при первом внедрении и постоянном времени выдержки под нагрузкой, отличном от времени вы5 держки при первом внедрении, измеряют геометрические параметры отпечатков при втором внедрении, а о толщине нарушенного слоя судят с учетом стабилизации геометрических размеров отпечатков при втором

10 внедрении.