Способ возведения хвостохранилища с противофильтрационным экраном

 

Изобретение Относится к области гидротехничёскогостроитёльства. Цельизрбретения - снижение трудоемкости и стоимости сооружения хвостохранилища за счет упрощения технологии создания протиаофильтрационного экрана; На оснований 1 отсыпают первичную дамбу 2 обвалования и производят поярусный намыв крупных фракций грунта 4. Затем намытый грунт разрабатывают траншеями глубиной не менее высоты яруса 8 намыва. Вынутый из траншей грунт укладывают во вторичные дамбы 9 рбвалрванйя. а траншеи замывают обла-: дающим экранирующими свойствами мелг кими фракциями rj)yHta 14. При зтом^ замытые траншеи каж^^го пЬследукуцего' яруса перекрывают трен шеи предыдущего яруса. 5 Ил.^о ///лч-'.'Д.^^у•^ /^•'.'.•::-'^.Tt-v fv/•••.•.'••-Л'Л17 ifГУ^'У'ЛЛУ.-УУ-М/^ 7 • • ^^^^^^^^^^^^^\^.»^^*^*^^^«Т*^.*^.7'*• ' /..\.. . ,..»•,..«. .1/\/' ..'••••-V • .'.••» ••;».••// Ч*. Л ^ *. •••••.'V-•.*.•.•;•:;'^: Л./.•.• .•.v;.v\.v..v-*-::'l ^•;'/^:::-:.^.v.'/::V.^.v8^ -4~-,~T:-^zis^Оо ел41/^ ^v'ш^^ш^тщ'Е:Т:'.уу.'у:-.-;/.'.'.у>& •-•.•.•.•/ ^/у^ /VX /W/ //У' />&у /УУ: .7^иг SУ/^ /ХХ^ \fff ff'

(19) ()3) СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (si)s E 02 В 7/06

ГОСУДАРСТВЕН Ы Й КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

М

° Ю

Ьа

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 (2 1.) 4826830/15 (22) 21,05.90 (46) 07.02.92. Бюл. гЬ 5 (71) Научно-производственное объединение по осушению месторождений полезных ископаемых и специальным горным работам

"ВИОГЕМ" (72) В.Г.Мельник, А.П.Патиченко и Е.B,Ëûчагин (53) 627.8(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

Q 1118737, кл. E 02 В 7/06, 1982.

Авторское свидетельство СССР

hh 1219712, кл. Е 02 В 7/06, 1984. (54) СПОСОБ ВОЗВЕДЕНИЯ ХВОСТОХРА: НИЛИЩ С П РОТИ В О Ф ИЛ ЬТРАЦИОНH6IM ЭКРАНОМ

2 (57) Изобретение относится к области гидратехническогостроительства. Цель изобретения — снижение трудоемкости и стоимости сооружения хвостохранилища эа счет упрощения технологии создания противофильт-. рационного экрана. На основании 1 отсыпают первичную дамбу 2 обвалования и производят поярусный намыв крупных фракций грунта 4. Затем намытый грунт разрабатывают траншеями глубиной не менее высоты яруса 8 намыва. Вынутый из трэншей грунт. укладывают во вторйчные дамбы

9 обвалования, а: траншеи замывают обла-„-дающим зкранирующими свойствами мел-, кими фракциями грунта.14. При этом замытые траншеи каждого,последуащего Я яруса перекрывают траншеи предыдущего яруса. 5 ил.

4ЪГ

1710657.Изобретение относится к гидротехническому строительству, в частности к гидравличеСкому складированию отходов промышленных предприятий, и может быть использовано при сооружении хвостохра- 5 нилищ, гидроотвэлов, золоотвалов ТЭС.

Цель изобретения — снижение трудоемкости и стоимости сооружения хвостохранилища за счет упрощения технологии создания противофильтрационного экрана. 10

На фиг.1 показана фаза отсыпки первичной дамбы обаалоаания и намыва первого яруса грунта; на фиг,2 — конечная фаза 1 намыва первого яруса грунта, отсыпки дамб обвалования и разработки траншеи; на 15 фиг.3 — фаза заполнения траншеи мелкими фракциями грунта; на фиг.4 — фаза намыва второго яруса и создания протиаофильтрационного экрана; на фиг.5 — конечная фаза возведения хвостохранилища и, создания 20 противофильтрационного экрана.

Способ осуществляют следующим образом.

На основании 1 (фиг,1) отсыпают первичную дамбу 2 обвалования из приводно- 25 го грунта 3. После этого осуществляют поярусный намыв крупных фракций грунта

4, например отходов обогащения горнообогатительных комбинатов, подавая их в виде пульпы 5 через выпуск 6, идущий от 30 пульпопровода 7. После замыва яруса 8 и его консолидации приступают к устройству вторичных дамб 9 обвалования из ранее на. мытого грунта 4. Для этого грунт разрабатывают землеройной техникой 10, например 35 шагающим экскаватором, траншеями 11 (фиг.2). Траншеи располагают так, что их ось

12 параллельна оси 13 вторичной дамбы 9 обвалования, при этом глубина L траншей должна быть не менее высоты h яруса 8 40 намытого грунта 4. Вынутый экскаватором из траншеи грунт подают в дамбу 9 (стрел. ка показывает перемещение вынутого из траншеи грунта в дамбу обвалования), Если расстояние между осями 12 и 13 сост- 45 ветственно траншеи и вторичной дамбы обвалования превышает двойной вылет стрелы экскаватора, грунт можно складиро-. вать в промежуточные отвалы и перемещать в район дамб 9 с помощью дополнительной 50 техники, например бульдозера(не показан).

После разработки траншей 11 на всю высоту h яруса 8 грунт в дамбе 9 формируют и планируют бульдозером. Образовавшиеся траншеи 11 замыкают обладающими зкра- 55 нирующими свойствами мелкими фракциями грунта 14, подаваемыми в виде пульпы

15, например, с помощью врезанного в верхней части пульпопровода 7 выпуска 16 (фиг.3).

Окружающая траншею 11. толща крупных фракций грунта 4 выполняют функцию дренажной подушки, оттягивая на себя воду. Это способствует скорейшей водоотдаче и консолидации замытых в траншею мелких фракций грунта. В случае возведения хвостохранилища их однородного грунта замыв траншей может осуществляться любым другим грунтом, обладающим экранирующими свойствами.

После этого намывают следующий ярус

8, в котором также разрабатывают траншею

1, вынутый из нее грунт укладывают в дамбу обвалования (фиг.4) и замывают траншею мелкими фракциями грунта 14. При этом необходимо, чтобы замытые траншеи каждого последующего яруса перекрывали траншеи каждого предыдущего яруса и при разработке траншей в каждом последующем ярусе должен вскрываться верх замытой, траншеи предыдущего яруса. Только при таких условиях соблюдается сплошность формируемого протиаофильтрационного экрана 17 и обеспечивается его надежная работа, Указанную последовательность отсыпки вторичных дамб обвалования, намыв ярусов грунта и замыаа траншей мелкой фракцией грунта осуществляют поярусно до возведения хвостохранилища на полную высоту Н (фиг.5), В результате формируется и ротивофильтра-, ционный экран 17 с заданными свойствами, способствующий понижению депрессионной поверхности 18, осушению низового откоса и увеличению устойчивости хвостохранилища.

Пример. Рассмотрим применение предлагаемого способа на примере возведения хвостохранилища горно-обогатительного комбината. Пульпа co средневзвешенным диаметром хвостовО,12 мм и консистенцией Т:Ж = 1:7 подается на намыв ограждающих сооружений отсека по пул ьпоп ро воду диаметром 0,7 мм.

Разработка траншей и наращивание вторичных дамб по периметру замываемого отсека осуществляется шагающим экскаватором ЭШ-5-45 с последующим планированием бульдозером. Высота дамб 7 м, ширина по верху 10 м, заложение откосов

1:1,5, Глубина траншей 8 м. В пульпе ГОКа .содержатся до 307ь хвостов менее 0,05 мм, т.е. обладающих зкранирующими свойствами. Отбором пульпы из верхних точек сечения потока обеспечивают подачу в траншею хвостов с содержанием до 90 фракции менее 0,05 мм. В процессе возведения ограждающих дамб и замыва траншей сформирован вертикальный экран толщиной В><. до 10 м, расположенный на рассто5

1710657 янии 40 — 50 м от низового откоса дам-. бы. Коэффициент фильтрации экрана

Кф <1 10 м/с.

Формула изобретения

Способ возведения хвостохранилища с ,противофильтрационным экраном, включа= ющий образование дамб обвалования из ранее намытого грунта и поярусный намыв грунта в пределах вторичных дамб обвалования,отличающийсятем,что,сцелью снижения трудоемкости и стоимости сооружения хвостохранилища за счет упрощения технологии создания противофильтрационного экрана, образование дамб обвалования осуществляют путем разработки грунта траншеями глубиной не менее высоты яруса

5 намыва, причем траншеи располагают параллельно продольной оси вторичных дамб обвалования, вынутый из траншей грунт укладывают в дамбы обвалования, а траншеи замывают мелкими фракциями грунта, обла10 дающими экранирующими свойствами, при этом при эамывании траншеи каждого по-. следующего яруса перекрывают траншеи предыдущего яруса.

1710657

Составитель В. Байдаков

Техред М.Моргентал. Корректор Э. Лончакова

Редактор И.Шмакова

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 315 Тираж, Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5