Способ упрочнения щелочно-галоидных кристаллов

 

Изобретение относится к обработке материалов , используемых в приборостроении , преимущественно оптическом, и может быть применено при изготовлении окон, призм, линз и других оптических изделий. Обеспечивает сокращение времени процесса и снижение его температуры до комнатной . Способ включает обработку кристаллов под действием гидростатического давления, соответствующего фазовому переходу первого рода. Галогениды калия обрабатывают .под давлением 19-23 кбар. Полный цикл обработки составляет 20-30 мин. 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (505 С 30 В 33/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2253223/26 (22) 14.03.79 (46) 15.04.92. Бюл. N. 14 (71) Институт физики твердого тела AH

СССР (72) А.M.Ïðoõoðoâ, Н.В.Карлов, Е.В.Сисакян, Ю.А.Осипьян, Е.Г.Понятовский, Г.И.Пересада, А.Г.Мелентьев, 3.М,Надгорный, Е.В.Трушин и Б.И,Береснев (53) 621.315.592(088.8) (56) Anderson R.Н. et al. Lazer onduced

damagein optical materials. — NBS, 1976, pub.

N462,,р. 87-94, (54) СПОСОБУПРОЧНЕНИЯ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ

Изобретение относится к обработке материалов, используемых в приборостроении, преимущественно оптическом, и может быть применено при изготовлении окон, призм, линз и других оптических изделий.

В приборостроении для изготовления оптических изделий, например окон для

COz-лазеров, находят применение различные ионные соединения, в частности щелочHQ-галоидные кристаллы. Эти крйсталлы обладают низкой механической прочностью и, соответственно, низкой лучевой прочностью, что ограничивает возможности применения кристаллов в оптическом приборостроении без их предварительного упрочнения.

Цель изобретения — сокращение времени процесса и снижение его температуры до комнатной.

Пример. Проводят обработку исходных образцов различной геометрической,, Ж,, 1726573 А1 (57) Изобретение относится к обработке материалов, используемых в приборострое. нии, преимущественно оптическом, и может быть применено при изготовлении окон, призм, линз и других оптических изделий.

Обеспечивает сокращение времени процесса и снижение его температуры до комнатной. Способ включает обработку кристаллов под действием гидростатического давления, соответствующего фазовому переходу первого рода. Галогениды калия обрабатывают под давлением 19-23 кбар. Полный цикл обработки составляет 20-30 мин. 1 табл. формы при комнатной температуре в камере, заполненной бензином. Результаты обработки приведены в таблице, где t — время цикла обработки; К вЂ” коэффициент упрочнения, равный отношению предела упругости обработанного кристалла к пределу упругости исходного кристалла при испытании на сжатие; Р— максимальное давление обжатия образцов.

Кристаллы подвергают при комнатной температуре воздействию гидростатического давления до величины, при которой кристалл претерпевает фазовый переход первого рода, т.е. до величины, при которой исходная гранецентрированная решетка кристалла перестраивается в объемноцентрированная решетку. После достижения фазового превращения давление в камере сбрасывают до атмосферного. В процессе сбрасывания давления кристаллическая решетка упрочняемого материала перестраивается в исходную, т.е. происходит

1726573

Формула изобретения

Составитель В. Безбородова

Техред М.Моргентал Корректор О.Ципле

Редактор А.Orap

Заказ 1252 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 101 обратный фазовый переход первого рода.

Пооцессы прямого и обратного фазовых переходов сопровождаются явлением фазового наклепа, что и является причиной механического упрочнения исходного кристалла, По окончании цикла обработки упрочненный кристалл извлекают из камеры. Так как фазовые переходы при комнатной температуре протекают практически мгновенно, весь технологический цикл обработки исходного кристалла зависит лишь от производительности оборудования, на котором совершается процесс упрочнения, т.е. от того, за какое время может быть достигнуто давление, при котором происходит фазовый переход, и как скоро давление будет стравлено до атмосферного. На установках полный цикл длится 20 — 30 мин.

Использование предлагаемого способа упрочнения щелочно-галогидных кристаллов (или изделий из них) по сравнению с известными обеспечивает снижение времени обработки щелочно-галоидных кристаллов (или иэделий из них) по крайней мере в

5 — 10 раз по сравнению с известным способом, а также возможность одновременной обработки нескольких образцов в одной камере за один цикл, упрочнения кристаллов (или иэделий из них) любой геометрической

5 формы, проведения цикла обработки при комнатной температуре.

Предлагаемый способ можно применять для упрочнения и многих других кристаллов, претерпевающих под воздейст10 вием гидростатического давления обратимый фазовый переход первого рода.

15 1. Способ упрочнения щелочно-галоидных кристаллов путем их обработки под действием гидростатического давления, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью сокращения времени процесса и снижения его темпера20 туры до комнатной, обработку ведут под давлением, соответствующим фазовому переходу первого рода.

2. Способ по и. 1, отл и ч а ю щи и с я тем, что галогениды калия обрабатывают

25 под давлением 19-23 кбар.

Способ упрочнения щелочно-галоидных кристаллов Способ упрочнения щелочно-галоидных кристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения монокристаллических постоянных магнитов на основе Fe-Co-Cr-Mo

Изобретение относится к области облагораживания бесцветных разновидностей пренита и позволяет получить из некондиционного сырья высококачественные ювелирные разности

Изобретение относится к области облагораживания бесцветных разновидностей пренита и позволяет получить из некондиционного сырья высококачественные ювелирные разности

Изобретение относится к области металлографических методов выявления дефектов структуры и может быть ис-'пользовано для контроля структурного совершенства монокристаллов германия

Изобретение относится к составам для химико-механического полирования (ХМП) полупроводниковых материалов и может быть использовано в полупроводниковой технологии, в частности при подготовке поверхности кристаллов CdSb, используемых для ИК-оптических элементах

Изобретение относится к области получения щелочно-галоидных кристаллов высокой степени чистоты, широко используемых в фундаментальных исследованиях в качестве термолюминесцентных дозиметров ядерных излучений, лазерных сред, сред для записи информации

Изобретение относится к области получения щелочно-галоидных кристаллов высокой степени чистоты, широко используемых в фундаментальных исследованиях в качестве термолюминесцентных дозиметров ядерных излучений, лазерных сред, сред для записи информации

Изобретение относится к облагораживанию бесцветных или слабоокрашенных кристаллов турмалина, которые могут быть использованы в ювелирной промышленности

Изобретение относится к физике твердого тела, геофизике и геохимии и может быть использовано для облагораживания кристаллов природного флюорита с последующим их использованием в гравильноювелирной и ювелирно-декоративной промышленности, а также в качестве фильтров в оптике

Изобретение относится к физике твердого тела, геофизике и геохимии и может быть использовано для окрашивания низкосортных кристаллов природного кальцита с последующим их использованием в травильной , художественно-декоративной и ювелирной промышленности, а также в качестве фильтров в оптике

Изобретение относится к радиационным методам обработки минералов с целью повышения их ювелирной ценности

Изобретение относится к сплавам для электронной техники и приборостроения, в частности для термоэмиттеров поверхностно-ионизационных детекторов аминов, гидразинов и их производных
Изобретение относится к области обработки драгоценных камней, в частности обработке алмазов, и может найти применение в ювелирной промышленности и различных отраслях техники

Изобретение относится к диффузионной сварке кристаллов и может быть применено при сращивании и облагораживании различных кристаллов для радиоэлектронной промышленности, в ювелирном деле, в оптике и других отраслях

Изобретение относится к обработке материалов, используемых в приборостроении, преимущественно оптическом, и может быть применено при изготовлении окон, призм, линз и других оптических изделий

Наверх