Способ образования террас на склоне

 

Сущность изобретения: на балке или овраге с крутыми склонами и широким днищем из грунта, выбранного в балочном склоне, в горизонтальной щели на днище отсыпают водонаправляющий вал, изолирующий участок днища, прилегающий к балочному склону, от донного потока воды . Самообрушенный почвенный козырек разравнивают на изолированном участке днища так, чтобы отметка гребня водонаправляющего вала превышала отметку полотна террасы, по которому рассаживают растения и образуют донное насаждение. Зил.

С:ОГОЗ С:ОВЕГСКИХ (:ОПИАПИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 А 01 В 13/16

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4867150/15 (22) 17.09.90 (46) 07.08.92, Бюл, N. 29 (71) Новочеркасский инженерно-мелиоративный институт им. А.К.Кортунова (72) В.M.Èâîíèí и LLI.T.Móêàåâ (56) Авторское свидетельство СССР

N.388687, кл. А01 В 13/16, Е 21F 5/16, 1970. (54) СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ ТЕРРАС НА

СКЛОНЕ (57) Сущность изобретенйя: на балке или овраге с крутыми склонами и широким дниИзобретение относится к сельскому и лесному хозяйствам, в частности к освоению балочных и овражных днищ или псевдопойм.

Известен способ создания насаждений по днищам оврагов или балок путем посадки рядов древесных и кустарниковых пород . перпендикулярно направлению донного ïîтока. В местах доступных для работы трактора подготовку почвы под культуры тополя, акации белой и др. проводят ямкокопателями или площадкоделателями в шахматном порядке.

Недостатком этого способа является невозможность качественной подготовки почвы под культуры, так как пахотный, слой полностью смывается во время паводков.

Подготовка почвы ямкокопателями или площадкоделэтелями пригодна только под малоценные лесные культуры тополя, ив, белой акации. клена татарского и др., которые не требуют уходов в рядах и междурядь.Я3. » 1752208 А1 щем из грунта, выбранного в балочном склоне, в горизонтальной щели на днище отсыпают водонэправляющий вал, изолирующий участок днища, прилегающий к балочному склону, от донного потока воды. Самообрушенный почвенный козырек разравнивают на изолированном участке днища так, чтобы отметка гребня водонаправляющего вала превышала отметку полотна террасы, по которому рассаживают растения и образуют донное насаждение.

3 ил. ях и могут расти на почвах с плохими химическими и водно-физическими свойствами.

Наиболее близким к изобретению является способ образования террас, позволяющий сохранить гумусовый слой почвы на полотне, которое образуется путем выборки грунта из вырезаемой в склоне горизонтальной щели с образованием почвенного козырька, имеющего размеры, достаточные для его самообрушивания.

Недостатком этого способа является то, что на широких участках овражных или балочных днищ рыхлый плодородный слой почв на полотне террас смывается донным потоком вместе с высаженными растениями.

Целью изобретения является предупреждение размыва полотна террас донным потоком.

Цель достигается тем, что на балочном или овражном днище из грунта выбранного в балочном склоне из горизонтальной щели

1752203 отсыпают водонаправляющий вал, изолиру ющий участок днища прилегающий к балочным склонам от донного потока, а самообрушенный почвенный козырек разравнивают на этом участке так, чтобы отметка гребня водонаправляющего вала превышала отметку полотна террасы, На фиг. 1 изображена балка (овраг) с широким участком днища (псевдопоймы) до осуществления способа, поперечное сечение; на фиг. 2 — то же, при отсыпке водонаправляющего вала из грунта, выбранного в балочном склоне иэ горизонтальной щели; нафиг. 3 — то же, после осуществления способа.

Способ осуществляется следующим образом.

На балке или овраге с крутыми склонами 1 и широким днищем 2, по которому формируется во время паводка поток 3 воды, из грунта выбранного в балочном склоне

1 в горизонтальной щели 4 на днище 2 отсыпают водонаправляющий вал 5, изолирующий участок днища 2, прилегающий к балочному склону 1, от донного потока 3 воды: самообрушенный почвенный козырек

6 разравнивают на изолированном участке днища 2 так, чтобы отметка гребня водонаправляющего вала 5 превышала отметку полотна террасы 7,по которому рассаживают растения и образуют донное насаждение 9.

В результате осуществления способа данное насаждение 8, созданное на плодородном слое почвы полотна террасы 7, за-. щищено с помощью водонаправляющего вала 5 от разрушающего воздействия донного потока 3 воды. Превышение отметки гребня водонаправляющего вала 5 над полотном террасы 7 обеспечит предупреждение затопления донного насаждения 8 даже при больших расходах донных потоков 3 воды с максимальным подпертым уровнем

5 (МПУ) перед водонаправляющим валом 5.

Технико-экономическое преимущество предложенного способа по сравнению с известным заключается в предупреждении смыва рыхлого плодородного слоя полотна

10 террасы и заилении малой реки, в долину которой впадает балка (или овраги).

При осуществлении предложенного способа положительный эффект образуется эа счет предотвращения заиления нижерас15 положенных малых рек и в результате возможности выращивания на донных участках оврагов и балок плодовых, лекарственных и др. ценных культур.

20 Формула изобретения

Способ образования террас на склоне, включающий выборку грунта со склона путем вырезания в нем горизонтальной щели с формированием почвенного козырька раз25 мером, достаточным для самообрушения, выравнивание грунта с образованием полотна террасы и посадку на нем растений, отличающийся тем,что,сцелью снижения эрозии эа счет предупреждения

30 размыва донным потоком полотна террас, образованных на склоне балок и оврагов, из грунта, выбранного в склоне, параллельно донному потоку отсыпают вал, изолируя от донного потока участок днища, примыкаю35 щий к склону, а грунт самообрушенного почвенного козырька разравнивают на этом участке так, чтобы высота его слоя не превышала высоты вала.

1752208

Составитель В. Ивонин

Техред М.Моргентал Корректор О. Кравцова

Редактор Г, Гербер

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород; ул.Гагарина, 101

Заказ 2706 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35. Раушская наб., 4/5