Термостабильный вкладыш на эпитаксиальной ферритовой структуре для свч-устройств

 

Использование: в радиотехнической сверхвысокочастотных узлах, таких, как линии задержки, фильтры, резонаторы и т.д Сущность изобретения: пленка иттриевого феррограната размещена на поверхности диэлектрической подложки из галлий-гадо линиевого граната, на противоположной поверхности которой жестко закреплена пластина из диэлектрического материала, температурный коэффициент расширения которой меньше, чем температурный коэффициент расширения материала диэлектрической подложки. 1 ил

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (5!)5 Н 01 Р 1/30, 1/32

ГОСУДАР СТ В Е ННЫ Й КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

iQ 3

,03

Ql

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4873502/09 (22) 14;08.90 (46) 15.09.92. Бюл. М 34 (71) Киевский государственный университет им, Т.Г.Шевченко (72) НИЛяшенко, Б.М.Лебедь, В М.Талалаевский, М.Ю.Хвастухин, Л,В.Чевнюк и С,В.Яковлев (56) Обзоры по электронной технике, сер. 1

"Электроника СВЧ", вып. 4, (786), 1981, ЦНИИ "Электроника", с. 26.

Авторское свидетельство СССР

N 1688319, кл, Н 01 P 1/30, 1989, Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано для температурной стабилизации частоты СВЧ-элементов на эпитаксиальных ферритовых структурах: линий задержки, фильтров. резонаторов и др

С целью повышения временной стабильности параметров при упрощении конструкции термокомпенсирующий элемент образован диэлектрической подложкой и введенной пластиной диэлектрического материала, коэффициент температурного расширения материала диэлектрической подложки, при этом пластина жестко закреплена на другой поверхности диэлектрической подложки и формирует вместе с подложкой те рмодиэлектрическую структуру, обладающую низкой скоростью диффузии, а следовательно, и незначительными необратимыми изменениями формы с течением времени, создающую в эпитдксиаль„„ЯЦ „„1762350 А1 (54) ТЕРМОСТАБИЛЬНЫЙ ВКЛАДЫШ НА

ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ФЕРРИТОВОЙ

СТРУКТУРЕ ДЛЯ СВЧ-УСТРОЙСТВ (57) Использование; в радиотехнической сверхвысокочастотных узлах, таких, как линии задержки, фильтры, резонаторы и т.д.

Сущность изобретения; пленка иттриевого феррограната размещена на поверхности диэлектрической подложки из галлий-гадолиниевого граната, на противоположной поверхности которой жестко закреплена пластина из диэлектрического материала, температурный коэффициент расширения которой меньше, чем температурный коэффициент расширения материала диэлектрической подложки. 1 ил, ной ферритовой пленке дополнительные упругие напряжения, компенсирующие за счет магнитоупругой связи тепловой уход

-рабочей частоты.

На чертеже изображен общий вид, Изобретение реализуется следующим образом. На подложке 1 из галлий-гадолиниевого граната толщиной 500 мкм эпитаксиально выращена пленка 2 железоиттриевого граната толщиной 15 мкм, на поверхности которой расположены антенны (возбуждающая и приемная). С противоположной стороны подложки 1 с помощью клея жестко закреплена диэлектрическая пластина 3 из кварцевого. текла. Коэффициент теплового расширения ГГГ составляет

6,8х10 С . Коэффициент теплового рас. ширения кварцевого стекла составляет

0,585х10 С . Размеры СВЧ-элемента составляют 4х12 мм . олщина кварцевой

2 пластины. обеспечивающая термокомпе 1762350

35

50

Составитель Л,Чевнюк

Техред M,Ìîðãåíòàë Корректор О.Густи

Редактор А.Бер

Заказ 3262 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 сацию рабочей частоты 4=3 ГГц начального участка дисперсионной ветви ПМСВ и

ООМСВ (режим касательного намагничивания) для пленки ЖИГ на подложке из ГГГ составляет 460 мкм, Формула изобретения

Термостабильный вкладыш на эпитаксиальной ферритовой структуре для СВЧ-. устройств, содержащий ферритовую пленку, размещенную на одной из поверхностей диэлектрической подложки, и термокомпенсирующий элемент, о т л и ч а ю щ и йс я тем, что, с целью повышения временной стабильности параметров при упрощении конструкции, термокомпенсирующий элемент образован диэлектрической подлож5 кой и введенной пластиной из диэлектрического материала, коэффициент температурного расширения которого меньше, чем коэффициент температурного расширения материала диэлектриче10 ской подложки, при этом пластина жесткс закреплена на другой поверхности диэлектрической подложки.