Способ изготовления заготовки для гибридной микросхемы

 

Использование: технология микроэлектроники , в частности технология изготовления гибридных микросхем. Сущность изобретения: на диэлектрическую подложку в вакууме напыляют подслой титана, проводящий слой /С/ никеля толщиной 1000- 2500А и технологический С хрома. После стравливания С хрома на поверхность напыленного никеля дополнительно осаждают С о никеля толщиной 1000-1400 А химическим методом. Далее осуществляют гальваническое осаждение антикоррозионного токонесущего С золота. Способ обеспечивает повышение выхода годных заготовок по адгезии золотых С к проводниковым С до 100%.

СОК)З СОВЕТСКИХ

COl (ИАЛИСТИчЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

lsI)s Н 05 К 3/38

ГОСУДАР СТ БЕ ННЫ И KOMVITE Г

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОП И САН И Е И ЗОБ РЕТЕ Н ИЯ ., К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4740336/21 (22) 12.09,89 (46) 15,09,92, Бюл.i> 34 (71) Научно-исследовательский институт электронных приборов (72) Н.В.Благинина, И.И.Вайсберг и

Г, Ф. Зубкова (56) Авторское свидетельство СССР М

1508942, кл, Н 05 К 3/00, 1987.

Патент ФРГ Ы 2849971, Н 05 К 3/38, опублик, 1981. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАГОТОВКИ ДЛЯ ГИБРИДНОЙ МИКРОСХБУЦ (57) Использование: технология микроэлектроники, в частности технология изготовлеИзобретение относится к области микроэлектроники, в частности, к изготовлению гибридных микросхем.

Целью изобретения является повышение выхода годных заготовок для гибридных микросхем за сче1 улучшения адгезии золота к проводящему слою никеля, что достигается активизацией поверхности напыленного никеля атомами химически осажденного никеля.

Пример. Напыление коммутационной структуры (титан-никель-хром) производят на установке УВ Н-74П-3. Вакуум в процессе напыления не хуже 2,66 l0 Па, температу-3 ра диэлектрической подложки 250 С. Никель напыляет до,толщины 1000-2500 А, хром — до 300-400 А.

Технологический слой хрома защищает поверхность основного слоя никеля от заГрязнения и стравливается непосредственно перед химическим осаждением дополнительного слоя никеля.

5U 1762424 А1 ния гибридных микросхем. Сущность изобретения: на диэлектрическую подложку в вакууме напыляют подслой титана, проводящий слой /С/ никеля толщиной 10002500А и технологический С хрома. После стравливания С хрома на поверхность напыленного никеля дополнительно осаждают С никеля толщиной 1000-1400 А химическим методом. Далее осуществляют гальваничеcl oe осаждение антикоррозионного токонесущего С золота, Способ обеспечивает повышение выхода годных заготовок по адгезии золотых С к проводниковым С до

1000А.

Экспонирование рисунка коммутационного слоя проводится на установке УПСЭ-З.

Используется позитивный фоторезист ФП383.

Стравливание верхнего хрома производится в растворе состава: калий железосинеродистый 250 г/дм кали едкое 30 г/дм .

Температура раствора 40 С 5 С. Время травления 60-70 с. Затем подложка тщательно промывается дистиллированной водой.

Химическое никелирование производится в растворе состава: никель хлористый 20-40 г/дм ортофосфорная кислота 1420-1450 г/дм . температура раствора 60-70 С, время выдержки 1-1,5 мин.

Катализатором процесса служит алюминиевый контакт. Толщина осаждаемого доУ полнительного слоя составляет 1000-1400 А.

1762424

Составитель Н.Овсянникова

Техред M.Ìîðãåíòàë Корректор Н. Бучок

Редактор Jl. Волкова

Заказ 3266 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r, Ужгород, ул, Гагарина, 101

Подложка тщательно промывается дистиллированной водой, Минимальная толщина определяется требованием сплошности пленки, верхний предел ограничен резким снижением скорости осаждения химического никеля из раствора после 1-1,5 мин. выдержки, что, по-видимому, обусловлено изменением энергетического состояния поверхности слоя, Для гальванического осаждения антикоррозионного слоя золота используется электролит следующего состава:

Дицианоаурат калия 10-15 г/дм з (в пересчете на золото) калий железистосинеродистый 150-200 г/дм з калий углекислый 50-60 г/дм з калий роданистый 100 г/дм вода дистиллированная до 1 л, Процесс идет при температуре 50-60 С, Перед началом процесса поверхность дополнительного слоя химического никеля активируют в составе: аммоний надсернокислый 200 г/дм кислота серная 50 мл/дм время декопирования 2-3 с, Испытание коммутационных слоев по5 казала, что покрытие выдерживает без измерения термическую нагрузку в 450-500 С в течение 20 мин, трехкратную перепайку припоем ПОСК 50-18, усилие отрыва не менее 0,6 0,08 кг/мм2.

10 Выход годных заготовок по адгезии золотых слоев к проводникавым слоям составил 100,ь.

Формула из обретения

Способ изготовления заготовки для гиб15 ридной микросхемы, включающий напыление в вакууме на диэлектрическую подложку подслоя титана и слоя никеля толщиной

1000-2500 А, с последующим гальваническим осаждением слоя золота, о т л и ч а ю20 шийся тем, что, с целью повышения выхода годных, после напыления основного слоя никеля проводят химическое осаждеwe дополнительного слоя никеля толщиной

1000-1400 д,

Способ изготовления заготовки для гибридной микросхемы Способ изготовления заготовки для гибридной микросхемы 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к приборостроению

Изобретение относится к способу защиты поверхности медной фольги от окисления и образования оксидной пленки, и к полученной электролитическим осаждением медной фольге, пригодной для использования в производстве печатных плат, в частности многослойных печатных плат
Изобретение относится к области электротехники, в частности к способам изготовления печатных плат, применяющихся при сборке радиоэлектронной аппаратуры для самолето- и космостроения
Изобретение относится к микроэлектронике и может использоваться для получения металлического покрытия на подложках из ситалла или поликора

Изобретение относится к области изделий интегральной электроники, работающих на частотах свыше 100 МГц, в частности к области изготовления СВЧ гибридных интегральных схем (ГИС), содержащих хотя бы один из элементов: полосковые линии, двухпроводные линии, тонкопленочные электроды либо резонаторы, фильтры, выполненные на основе двухпроводных или полосковых линий
Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано при изготовлении печатных плат, применяющихся при конструировании радиоэлектронной аппаратуры для самолето- и космостроения

Изобретение относится к микроэлектронике и направлено на повышение надежности и качества микросхем на подложке из фторопласта преимущественно СВЧ-диапазона и может быть использовано в производстве микросхем ВЧ- и СВЧ-диапазонов (например фильтров, резонаторов и др.)

Изобретение относится к способам изготовления печатных плат и может быть использовано при изготовлении печатных плат для электронных схем и полупроводниковых приборов. Технический результат - повышение качества рисунка металлизации, улучшение надежности коммутации между сторонами платы, улучшение электрических параметров токопроводящего слоя, повышение производительности способа. Достигается тем, что в непроводящей подложке в заданных координатах топологии печатной платы выполняют сквозные переходные отверстия, далее на поверхность упомянутой подложки с двух сторон и на стенки переходных отверстий в едином процессе наносят адгезионный подслой, токопроводящий слой и слой металлической маски, далее на слой маски с двух сторон подложки и на стенках переходных отверстий наносят растворимый защитный слой, стойкий к химическим травителям, далее формируют рисунок печатной платы путем лазерного испарения с обеих сторон, по крайней мере, защитного слоя и слоя маски на участках, не занятых токопроводящими дорожками, далее удаляют селективным химическим травлением токопроводящий слой и адгезионный подслой на вскрытых лазерным испарением участках, далее удаляют защитный слой с помощью растворителя на не вскрытых лазерным испарением участках (токопроводящих дорожках печатной платы) и в переходных отверстиях, далее удаляют селективным химическим травлением металлический слой маски с токопроводящих дорожек и в переходных отверстиях, наконец, наносят защитный барьерный слой и слой, обеспечивающий паяемость и/или свариваемость поверхности, с двух сторон подложки на токопроводящих дорожках и в переходных отверстиях. 10 з.п. ф-лы, 13 ил., 8 табл., 2 пр.
Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано при изготовлении печатных плат, применяемых при изготовлении радиоэлектронной техники. Технический результат - получение печатных плат с использованием безсвинцовых припоев с исключением использования дорогостоящего палладия, повышение надежности и увеличение срока эксплуатации печатных плат. Достигается тем, что для установления электрического контакта между слоями переходные отверстия сверлят до металлического слоя противоположной стороны фольгированного стеклотекстолита и заполняют их медью гальваническим способом одновременно с металлизацией при формировании электрических схем на обеих сторонах стеклотекстолитовой пластины.
Наверх