Способ получения электропроводящего покрытия сульфида меди на диэлектрической подложке

 

Использование: радиоэлектронная промышленность , приборостроение и вычислительная техника для металлизации отверстий печатных схем на основе однои двухстороннегофольгированного стеклотекстолита и других диэлектриков. Сущность изобретения: диэлектрическую подложку из стеклотекстолитэ последовательно обрабатывают в растворе соли одновалентной меди, в растворе структуроформирующего вещества и в растворе полисульфидов щелочного металла, причем в качестве структуроформирующего вещества используют 0,0025-0.025 М раствор персульфата калия или йода или нитрита калия. Способ обеспечивает увеличение электропроводности покрытия. 1 табл

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК лщ д» (s»s Н 05 К 3/42, 3/18

ГОСУДАРСТВЕННЫИ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4915732/21 (22) 22.01.91 (46) 15,09.92.Бюл.М 34 (71) Институт химии и химической технологде Литовской АН (72) Я.Ю.Желене, Й.Й.Винкявичюс и Г,M.Розовский (56) Авторское свидетельство СССР Рв

980858, В 05 0 5/12, 1982.

Авторское свидетельство СССР %

1343616. В 05 0 5/12. 1987. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩЕГО ПОКРЫТИЯ СУЛЬФИДА МЕДИ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ (57) Использование: радиоэлектронная промышленность, приборостроение и вычислиИзобретение относится к модификации свойств диэлектрических материалов и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности, приборостроении и вычислительной технике для метэллизации отверстий печатных схем на основе одно- и двухстороннего фольгированного стеклотекстолита и других диэлектриков.

Электропроводящее покрытие сульфида меди широко применяется в промышленности в качестве подслоя при декоративной гальванической металлизации пластмасс, В этом случае важнейшими характеристиками сульфидного покрытия является ее электропроводность и компактность, Однако, известные способы нанесения электропроводящих покрытий сульфида меди при их использовании в техпроцессэх металлизации отверстий печатных схем не обеспечивают полного покрытия сквозных тельная техника для металлизации отверстий печатных схем на основе одно- и двухстороннего фольги рованного стеклотекстолита и других диэлектриков.

Сущность изобретения: диэлектрическую подложку из стеклотекстолитэ последовательно обрабатывают в растворе соли одновалентной меди, в растворе структуроформирующего вещества и в растворе полисульфидов щелочного металла, причем в качестве структуроформирующего вещества используют 0,0025-0.025 M раствор персульфата калия ипи йода или нитрита калия, Способ обеспечивает увеличение электропроводности покрытия. 1 табл. отверстий из-зэ недостаточной их электропроводности, Наиболее близким по технической сущности к изобретению является способ получения электропроводного покрытия. согласно которому поверхность диэлектрика после обработки раствором одновапентной меди дополнительно обрабатывают водным раствором одно-, двух- или трехзамещенного фосфата щелочного металла или аммония. а затем раствором полисульфидов. Обработка в растворе фосфатов позволяет получать гладкое. однородное электропроводное покрытие и тем самым обеспечить высокую декоративность гальванопокрытия. Однако, полученное этим способом покрытие не обеспечивает полного покрытия отверстий печатных схем при осаждении гальванопокрытия.

Целью изобретения является улучшение покрытия отверстий печатных схем путем увеличения электропроводности покрытия.

Поставленная цель достигается тем, что в способе получения злектропрсводящего покрытия, вклю аю цем обработку в растворе сднсвалентной меди, затем в водном растворе структурофсрмиру ощего вещества. промывку и обработку в растворе пслисульфидов, в качестве cTp//êò /poôopMèрующего вещества используют водный

0,0025-0,025 M раствор персульфата калия, или йода, или нитрита калия, Изобретение реализуется следующим образом; 1) образцы в течение 30 с обрабатыва от в растворе состава (M); CuS04 5Нр0 — 0,4 аммиак — 0,8 {до рН=9-9,3) и металли,еская медь в виде пластинки (4 дм /л); 2) г на 5-30 с окунают в водный 0,0025-0,025 М раствор персульфата калия, или йода, или нитрита калия и промывагот водой, 3) в течение 15-30 с обрабатывают в 0,005 M растворе полисульфидов натрия и промываюг ведой. Операции проводятся при комнатной температуре и повторяю"ся 2 раза, Об работка pacт вором структуроформирующего вещества способств.ет повышению электрспрсвсднссти покрытия сульфида меди, что позволяет достичь полного по,<рытия отверстий печатных схем альва:0 pо .<рытием, Пслсжительнос действие обработки в растворах структурсфсрмиру сщегс вещества, по-видимому, связано с образованием более толстой и,<ампактной (r.oâûèâèíîé мелкокристалличности) пленки, когорая пс сравнению с пленкой ",pîòoòèïà обладает

1учшей электропроводнсстью.

Электропровсдность оценивали по электросопрстивл"-,нию покрытия, ограниченного квадоатсм, сторона которого pBB" нялась 1 см и измеряли на плоской поверхности стеклстекстолита.

Количество осажденного сульфида меди оценивали по количеству серы на поверхности диэлектрика, которое измеряли методом радиоактивных индикаторов с при5 менением изотопа Я

Результаты экспериментальной проверки заявляемого изобретения представлены в таблице. Они свидетельствуют о следующем, 10 1, Обработка поверхности диэлектрика в растворах предлагаемых структуроформирующих веществ повышает. электропроводность покрытия по сравнению с прототипом до 3-6 раз.

15 2. Предлагаемый способ получения электропроводящего покрытия обеспечивает полное покрытие отверстий печатных схем.

3. Положительный эффект достигается

20 только при определенных концентрациях, за пределами которых покрытие не отличается повышенной электропрсводностью.

4. Электрспроводящее покрытие. полученное по предлагаемому способу, является

25 более -îëñòû,ì по сравнению с прототипом, на что указывают данные радиометрических измерений, и более равномерным, на чтоуказыва от меньший разброс этих данных.

Формула изобретения

С.- особ получения эл<л<тропроводящегс гокрьпия сульфида мед", на диэлектрической подложке, включающий последова35 тельную обработку подложки в растворе соли однсвалентной меди и в водном растворе структурсформирующего вещества, промывку водой и обработку в растворе полисульфидов щелочного металла. о т л и ч а ю40 шийся тем, что с целью повышения качества покрытия за счет увеличения его электропроводности, в .качестве структуроформирующегс вещес гва используют 0,0025-0.025 M,pàñòâîð переульфата ка45 лия или йода или нитрита калия.

3762425

Составитель А.Желене

Техред M.Моргентал

Корректор М.Демчик

Редактор

Заказ 3266 Тираж Подписное

ВИИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

"i13035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул.Гагарина, 10