Способ крепления затравки

Авторы патента:

C30B7 - Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов (из расплавленных растворителей C30B 9/00; обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте C30B 11/00; под защитной жидкостью C30B 27/00)

C30B29/54 - органические соединения

Способ крепления затравки для выращивания изометрических кристаллов из раствора, включающий ее контакт с иглообразным кристаллодержателем, отличающийся тем, что, с целью более надежного крепления затравки из низкоплавного органического кристалла и исключения образования в ней дефектов, перед контактом конец кристаллодержателя нагревают до температуры, превышающей температуру плавления кристалла на 50 - 70^oС, затем этот конец вводят внутрь затравки на глубину не менее 0,3 мм, после чего проводят выдержку и охлаждение.

Дата прекращения действия патента: 08.05.1997

Номер и год публикации бюллетеня: 3-2000

Код раздела: MM4A

Извещение опубликовано: 27.01.2000

Устройство для выращивания кристаллов белка // 1761823

Автоклав // 1759044

Изобретение относится к автоклавам, используемым для выращивания кристаллов кварца в гидротермальных условиях методом температурного перепада

Гидротермальный способ получения монокристаллов твердых растворов sb(sb @ nb @ )о @ // 1754806

Способ получения монокристаллов оксида тантала /у/ // 1747544

Способ получения шихты для выращивания монокристаллов кварца // 1740504

Изобретение относится к способу получения шихты для выращивания монокристаллов кварца и позволяет повысить механическую прочность шихты для выращивания кристаллов гидротермальным методом

Способ получения затравочной пластины // 1732701

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов и может быть использовано при изготовлении затравочных пластин для выращивания кристаллов типа КДР большого сечения

Способ получения монокристаллов хлорида свинца // 1726570

Изобретение относится к способу полг учения монокристаллов хлористого свинца, PbCIa и может быть использовано в полупроводниковой технике, оптоэлектронике, а также для создания сверхпроводящих материалов на основе PbCla

Способ получения монокристаллов оксида висмута // 1723211

Изобретение относится к способам получения монокристаллов оксида висмута и может быть использовано в химической промышленности для создания сверхпроводящих материалов, а также в пьезотехнике и акустооптике

Способ получения монокристаллов йодида свинца // 1710603

Изобретение относится к способу получения монокристаллов йодида свинца РЫа и может быть использовано в полупроводниковой технике, оптоэлектронике,а также для создания сверхпроводящих материалов на основе йодида

Способ выращивания монокристаллов 3-метил-4-нитропиридин-1- оксида (ром) // 1764285

Способ выращивания монокристаллов ароматического соединения // 1701755

Изобретение относится к технологии получения органических кристаллов, которые могут быть использованы в квантовой электронике, нелинейной оптике и спектроскопии

Способ выращивания монокристаллов гидрофталата калия // 1684357

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов гидрофталата натрия, которые могут использоваться в рентгеновском приборостроении и пьезотехнике, обеспечивает увеличение размеров кристаллов при сохранении их однородности

Способ выращивания монокристаллов 4,4 @ - диоксидифенилсульфона // 1633030

Изобретение относится к технологии выращивания молекулярных кристаллов , которые могут быть использованы в квантовой электронике, нелинейной оптике

Способ выращивания монокристаллов @ -нитро- @ - метилбензальанилина // 1583476

Способ получения кристаллов органических веществ // 1473382

Изобретение относится к выращиванию кристаллов, конкретно органических кристаллов особо чистых веществ, и позволяет повысить сте пень чистоты кристаллов и увеличить производительность процесса

Сцинтиллятор на основе монокристалла стильбена и способ его получения // 948171

Патент 415040 // 415040

Устройство для зонной очистки веществ // 276017

Способ получения монокристаллов антрацена // 121438

Способ получения кристаллов тэна игольчатой формы // 2463393

Изобретение относится к технологии взрывчатых веществ (ВВ) и может быть использовано в детонаторах и других взрывных устройствах, использующих процесс перехода горения ВВ во взрыв