Способ изготовления профильных заготовок выводных рамок полупроводниковых приборов

Авторы патента:

H01L21/48 - изготовление или обработка частей, например корпусов, до сборки прибора, с использованием способов, не предусмотренных ни одной из подгрупп H01L 21/06-H01L 21/326 (корпуса, герметизирующие оболочки, заполнение, монтаж как таковые H01L 23/00)

Использование: производство выводных рамок для мощных полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: на материал выводов в виде ленты устанавливают параллельно кромке одну или с требуемым зазором несколько лент из материала теплоотвода и прокладку, наматывают собранный таким образом пакет на оправку, выполненную из материала с высоким коэффициентом термического расширения. На полученный рулон дополнительно наматывают ленту из материала с более низким чем у оправки коэффициентом термического расширения и нагревают рулон до температуры сварки. Обрезают кромки полученной профильной ленты симметрично теплоотводу и прокатывают ленту в валках с калибром.

Изобретение относится к способу производства изделий электронной техники, преимущественно выводных рамок мощных полупроводниковых приборов. Целью изобретения является экономия материалов и снижение трудоемкости. Способ реализуется следующим образом. На материале выводы в виде ленты устанавливают параллельно кромке одну или с требуемым зазором несколько полос из материала теплоотвода, наматывают собранный таким образом пакет на оправку, выполненную из материала с высоким коэффициентом технического расширения, на полученный рулон дополнительно наматывают ленту из материала с более низким, чем у оправки, коэффициентом термического расширения и нагревают рулон до температуры сварки Т = 0,8 Т_пл., обрезают кромки полученной профильной ленты симметрично теплоотводу и прокатывают ленту в валках с калибром с обжатием 20-50% . Использование способа полностью исключает потери материала теплоотвода, в обрезь уходит лишь кромка выводной части. Процесс соединения материалов выводов и теплоотвода осуществляется путем диффузионной сварки, что расширяет диапазон обеспечения требуемых геометрических размеров и физико-механических свойств рамки. Так, выводные рамки, например, мощных транзисторов типа КТ-28, КТ-43 и др. должны состоять из теплоотвода, выполненного из материала с низким электрическим сопротивлением толщиной порядка 1 мм и более, а выводная часть - из материала с высокой прочностью толщиной 0,4-0,6 мм. Получение качественного соединения таких материалов толщиной более 1 мм совместной холодной прокаткой практически невозможно. Кроме того, холодным плакированием можно получить лишь соединения материалов, имеющих высокую пластичность и выдерживающих разовую прокатку с обжатием более 50-60% . При диффузионной сварке происходит лишь деформация микровыступов контактных поверхностей и материал практически не упрочняется. Подготовка контактных поверхностей лент производится вращающимися проволочными щетками. Процесс диффузионной сварки проводится в садочных отжиговых печах в водороде или других восстановительных или нейтральных средах. В процессе нагрева рулона, подготовленного вышеприведенным образом, развиваются радиальные давления, превышающие предел текучести металла при температуре сварки, что обеспечивает высокое качество соединения. После диффузионной сварки производится симметричная относительно теплоотвода обрезка кромок выводной части, например, на дисковых ножах, в которых изготовлен калибр, соответствующий профилю теплоотвода. Это позволяет точно фиксировать материал в процессе резки, обеспечивая высокую точность симметрии кромок выводной части относительно теплоотвода также обеспечивает и надежную качественную прокатку материала. Уровень требуемых для качественной штамповки механических свойств достигается последующей холодной прокаткой материала в валках с калибром с обжатием 20-50% . Для большинства материалов выводов, например, сплавов на основе меди, легированных хромом и цирконием, прокатка с таким обжатием позволяет примерно вдвое увеличить твердость материалов после диффузионной сварки. П р и м е р 1. Были изготовлены заготовки выводной рамки мощного транзистора типа КТ-28: теплоотвод из бронзы БрХ (медь-хром), выводная часть - из БpХЦр (медь-хром-цирконий). Размер заготовок: для теплоотвода - 1,2х28 мм, для выводной части - 0,5 х 80 мм. Заготовки отжигали при 450^oC 1 ч и защищали вращающимися проволочными щетками. Узкую ленту накладывали по центру широкой и собранный таким образом пакет наматывали на оправку из нержавеющей стали диаметром 210 мм. Затем наматывали 20 витков молибденовой технологической ленты толщиной 100 мкм. Оправку с пакетом термообрабатывали в водороде в течение 3 ч при 850^oC. Затем кромки выводной части готовой ленты обрезали на дисковых ножах, имеющих калибр размером 28,5х1 мм, на требуемую ширину 68 мм. Прокатку вели в валках с калибром за один проход с обжатием 30% до получения теплоотвода размером 0,9х28 мм и выводной части 0,4-68 мм. После прокатки твердость ленты составила HV 130 кг/мм², электропроводность выводной части 1,9 10⁸ Ом м, теплоотвода 1,8 10⁸ Ом м. Расслоений ленты при штамповке рамок не наблюдалось. 2. Изготавливали ленточные профильные заготовки мощного кремниевого транзистора типа КТ-43. Размер заготовок теплоотвода из меди МОб-2х38 мм, выводной части из сплава БрХ1ЦР 0,5х85 мм. После термообработки при 400^oC и времени выдержки 1 ч контактные поверхности лент обрабатывали вращающимися проволочными щетками. На материале выводов симметрично кромкам размещали материал теплоотвода, на нем устанавливали технологическую ленту из ковара размером 0,3х50 мм с покрытием интерметаллидом NiAl₃, препятствующую сварке с соседними витками, и наматывали полученный пакет на оправку из нержавеющей стали диаметром 400 мм. На сформированный рулон дополнительно наматывали ленту из ковара с покрытием NiAl₃ (30 витков). Термообработку рулона с оправкой проводили в водородной печи ОКБ-8085 при 800^oC с выдержкой 3 ч. После размотки рулона кромки профильной ленты бронза-медь обрезали симметрично теплоотводу на ширину 78 мм и прокатывали на четырехвалковом стане с калибром и обжатием 20% . При изготовлении заготовок рамок транзисторов потерь материала теплоотвода нет, лента обрезается только по кромке выводной части. В способе снижается трудоемкость за счет отказа от фрезирования части теплоотвода. (56) Патент США N 4404264, кл. H 01 L 21/48, 1983.

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРОФИЛЬНЫХ ЗАГОТОВОК ВЫВОДНЫХ РАМОК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий соединение ленточных материалов выводов и теплоотвода, резку и штамповку, отличающийся тем, что, с целью экономии материалов и снижения трудоемкости, на ленточном материале выводов размещают одну или несколько полос ленточного материала теплоотвода и прокладку, предотвращающую сварку, наматывают полученную слоистую структуру на оправку, выполненную из жаропрочного материала с высоким температурным коэффициентом линейного расширения, на сформированный рулон наматывают металлическую ленту из материала с низким температурным коэффициентом линейного расширения и нагревают рулон с оправкой в защитной среде до температуры, равной 0,8 величины, совпадающей с меньшей из температур плавления материалов выводов и теплоотвода, проводят резку кромок выводной части симметрично ленточному теплоотводу, и прокатку в валках с калибром.

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 31-2000

Извещение опубликовано: 10.11.2000

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления гибридных интегральных схем из материалов, вступающих в контактно-реактивное плавление

Носитель для монтажа интегральной схемы // 1674294

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к конструированию носителей для монтажа интегральных схем

Устройство для герметизации полупроводниковых приборов в плоских корпусах // 1371462

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, в частности к изготовлению фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии, и может быть использовано для герметизации этих преобразователей и других полупроводниковых приборов в плоских корпусах

Способ изготовления кристаллов полупроводниковых приборов // 1102433

Травитель для полупроводниковых соединений типа aiiibv // 673083

Устройство для закрепления деталей // 610211

Прессформа // 570937

Комплект для перегрузки полупроводниковых приборов // 519794

Способ маркировки элементов интегральных схем // 423206

Способ ориентации микроминиатюрных деталей // 420016

Способ изготовления керамической многослойной подложки // 2185683

Изобретение относится к способу изготовления керамической многослойной подложки, в частности подложки, получаемой низкотемпературным совместным обжигом керамики, в котором путем печатания на несколько сырых керамических пленок с применением токопроводящей пасты наносят печатные проводники и/или получают металлизированные отверстия для межслойных соединений, а затем сырые керамические пленки набирают в пакет, укладывая их одна на другую, и подвергают обжигу

Герметичный корпус высоковакуумного прецизионного прибора и способ его изготовления // 2356126

Изобретение относится к области радио- и электротехники и может быть использовано при разработке и изготовлении прецизионных высоковакуумных приборов в авиакосмической и радиотехнической отраслях

Способ изготовления фланцев // 2436187

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники и предназначено для производства корпусов мощных биполярных и полевых ВЧ и СВЧ транзисторов

Защитный корпус электромеханической микросистемы, содержащий промежуточный транслятор проводки // 2436726

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано, например, в микрогирометрах, микроакселерометрах, микродатчиках давления

Способ изготовления корпусов гибридных интегральных схем // 2076391

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано для изготовления гибридных интегральных схем в герметичных корпусах из материалов, вступающих в контактно-реактивное плавление

Способ изготовления полупроводникового прибора // 2037910

Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов, в частности к их сборке в пластмассовых корпусах

Способ покрытия оболочкой полупроводникового электронного компонента // 2519077

Изобретение относится к способу покрытия оболочкой полупроводникового электронного компонента, содержащего выполненные рельефно на поверхности изолирующей керамической пластинки токопроводящие дорожки, боковые края которых образуют вместе с поверхностью указанной пластинки, соответственно, края и дно канавок, разделяющих токопроводящие дорожки. Способ включает этап, на котором в указанную канавку наносят гибридный материал, содержащий изолирующее связующее со взвешенными частицами полупроводникового материала, и этап, на котором сверху на токопроводящие дорожки и гибридный материал наносят слой изолирующего материала. Изобретение обеспечивает уменьшение напряжения на подступах к токопроводящим дорожкам, повышение порога появления паразитных разрядов, являющихся причиной пробоя изолирующих материалов, а также улучшение условий старения керамики. 3 н. и 5 з.п. ф-лы, 2 ил.

Способ изготовления вакуумного микрогироскопа // 2521678

(57) Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к гироскопии, и может быть использовано в приборостроении, авиакосмической отрасли и машиностроении. Технический результат - повышение качества и обеспечение технологичности изготовления. Для этого обезгаживание, вакуумирование и герметизацию выполняют в одном операционном цикле в герметичной вакуумной камере с остаточным давлением не более чем 5·10-5 мм рт.ст. При этом основание с магнитной системой и кремниевым резонатором и крышку размещают в герметичной вакуумной камере раздельно, не соприкасая друг с другом, и обезгаживают одновременно при температуре не менее 150°С в течение не менее 4-х часов, а для вакуумирования и герметизации основание накрывают крышкой и герметизируют, одновременно обеспечивают вакуумирование микрогироскопа, поддерживая внутри герметичной вакуумной камеры остаточное давление не более чем 5·10-5 мм рт.ст. 1 ил.

Способ изготовления металлизированной, состоящей из алюминия подложки // 2602844

Изобретение относится к способу изготовления металлизированной подложки (1), при этом подложка (1) по меньшей мере частично, предпочтительно полностью состоит из алюминия и/или алюминиевого сплава, при этом на поверхность (2) подложки (1) наносят по меньшей мере в некоторых зонах проводящую пасту (3), в первой фазе (B1) обжига подвергают проводящую пасту (3) воздействию постоянно повышающейся температуры (Т) обжига. Причем температуру (Т) обжига повышают по меньшей мере временно от примерно 40°С в минуту до примерно 60°С в минуту, при этом температуру (Т) обжига повышают до задаваемой максимальной температуры (Tmax) обжига меньше примерно 660°С. Во второй фазе обжига подвергают проводящую пасту (3) в течение задаваемого промежутка времени воздействию, по существу, задаваемой максимальной температуры обжига. В фазе охлаждения охлаждают проводящую пасту, и в фазе последующей обработки поверхность (4) проводящей пасты (3) подвергают последующей механической обработке, предпочтительно крацеванию. 18 з.п. ф-лы, 2 ил.