Установка для экспонирования фотополимеризующихся пластин

 

Использование: технологические процессы изготовления фотополимерных печатных форм Сущность изобретения: установка снабжена светокорректирующйм экраном, размещенным между облучателем и вакуумным плаетинодержателем. Светокорректирующий экран выполнен в виде расположенных друг за другом сееторассеивателя, светофильтра, отсекающего излучение длиной волны менее 380 нм, и основания из листа с группой идентичных сквозных отверстий диаметром от 10 до 30 мм, размещенных нп поверхности основания в шах-. матном порядке, а затвор установлен между облучателем и экраном и выполнен из материала , идентичного материалу основания, и с группой сквозных идентичных отверстий в диапазоне от 4 до 20 мм. При работе установки затвор перемещается параллельно плоскости основания светокорректирующего Экрана, тем самым отверстия затвора либо располагаются соосно отверстиям основания, обеспечивая прохождение света от1 облучателя к материалу размещенному на пластинод ержателе, либо смещаются относительно отверстий основания, перекрывая доступ света на материал. 5 ил

„„. Ж„„1781666А1 союз советских

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК

isi>s G 03 F 7/20

ГОСУДАР СТВЕ ННОЕ ПАТЕ НТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ CCCPj

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (.

1 2 (21) 4840627/ —: - .: установка снабжена светокорректируюфйм" (22) 18:,06.90: ... экраном, размещенным между облучателем (46) 15.12.92. Бюл. ¹ 46 .:: и вакуумнйм пластийофержателем. Свето - (71) Украинский научно-исследовательский, корректирующий экран выполнен в в де институт полиграфической промышленно- расположенных друг за другом светорэсСести с экспериментальным производством и ивателя, светофильтра, отсекающего излувычислительн м центром . - чение длийой волны менее 380 нм, и (72) Н.Д.Щерба, M,А.Черная, P.П.Баран,. основания из листа, с группой идентичных

Б.С.Макаровский, C-,À,Горбан, В;С.Генгало, сквозных отверстий дйаметром от 10 до 30 мм, Q,А.Белицкий, Б.Б.Гридченко и И.И.Быков .. размещенных нэ поверхйбсти осйоваЫия в шэх4 (56) Макаровскйй Б.С., Оборудование для матном порядке, а затвор установлен между изготовления фотополимерных печатных облучателем и экраном и выполнен из матеформ, Киев: Реклама, 1989, с. 30-33, риала, идентичного материалу основания, и

Экспонирующая установка ФЭТ-.70 — с группой сквозных идейтйчных отверстий в

Сборник: Научно-гехнический прогресс и диапазоне от 4 до 20 мм. При работе устарационализация в полиграфической про- -новки затвор перемещается параллельно . мышленности, Каталог выставки "Полигра- плоскости основанйя светокорректирующефия" 88-СЭВДРУК". M,: Книжная палата, . го экрана, тем самым отверстия затвора ли1988,.с. 40. - -::.: - .::. -: бо располагаются" соосно отверстиям ,(54) УСТАНОВКА ДЛЯ ЭКСПОНИРОВАНИЯ основания, обеспечивая прохождение света

ФОТОПОЛЙМБРИЗУЮЩИХСЯ ПЛАСГИН от"облучателя к материалу, размещенному (57) Использование; технологические про- на пластинодержателе; либо смещаются оцессы изготовления фотополимерных пе- носительно отверстий основания, перекрычатных форм Сущность изобретения: вая доступ света на материал. 5 ил. а

Q0 ей

Наиболее близкой по технической сущйости к изобретению является установка для экспонирования фотополимеризующих- О

" ся пластин ФЭТ-70.

Облучатель в данной установке выполЪ нен нэ основе люминесцентных ламп ульт-, рафиолетового излучения, Однако указанная установка не позволяет осуществить контактное экспонирование отдельных светочувствительных материалов, например серебросодержащих фотопленок.

Целью изобретения является расширсние эксплуатационных возможностей, Изобретени относится к полиграфической промышле ности и может быть йспользовано в технологическом процессе йзготовления фотополимерных печатных форм, Известна установка для экспонирования фотополи мризующихся пластин, со держащая облучатель вакуумный пластинодерхатель и затвор .

Данная установка обеспечивает необходимые режимы экспонирования фотойолимеризующихся пластин. Однако она может быть использована исключительно в технологичессом процессе изготовления фотополимерных печатных Форм.

1781666

20 размещенных на поверхности основания в шахматном порядке с расстоянием между центрами двух рядом расположенных сквозных отверстий в диапазоне от 50 до

200 мм соответственно, этот затвор выпол25 нен в виде листа из материала, идентичного материалу основания, и с группой сквозных идентичных отверстий диаметром в диапазоне от 4 до 20 мм, причем группа идентичных отверстий затвора расположена соответст30 венно сквозным отверстиям основания, а расстояние между центрами двух рядом расположенных сквозных отверстий затвора равно расстоянию между центраМи соответствующих им сквозных отверстий основания, при этом затвор размещен между облучателем и светокорректирующим экраном с воз35 можно стью воз в ратно-Поступател ь ного перемещения параллельно плоскости основания светокорректирующего экрана.

На фиг, 1 изображена схема экспонирующей установки; на фиг, 2, 3 — схемы свето40 корректирующего экрана с затвором соответственно, в рабочем и нерабочем положениях; на фиг. 4, 5 —. горизонтальные проекции соответственно затвора и основания.

Установка содержит облучатель 1, светокорректирующий экран 2, вакуумный пластинодержатель 3, а также отражательный экран 4, размещенный надлюминесцентны- 50 ми лампами облучателя 1, и установленный под пластинодержателем 3 вакуумный насос 5 с вакуумметром 6. Светокорректирующий экран 2 включает s себя затвор 7, светорассеиватель 8, светофильтр 9 и осно- 55 вание 10;

Установка работает следующим образом.

¹ вакуумном пластинодержателе 3 размещают фотопленку, накладывают на

Указанная цель достигается тем, что установка для экспонирования фотополимеризующихся пластин, содержащая облучатель с люминесцентными лампами ультрафиолетового излучения, вакуумный 5 пластинодержатель и затвор, снабжена размещенным над вакуумным пластинодержателем перпендикулярно . направлению светового потока светоКорректирующим экраном, выполненным в виде последователь- 10 но расположенных друг за другом светорассеивателя в виде матовой стеклянной пластины или матированной полимерной пленки, стеклянного или пленочного светофильтра, отсекающего излучение с 15 длиной волны менее 380 нм, и светонейроницаемого основания в виде листа с группой идентичных сквозных отверстий диаметром в диапазоне от 10 до 30 мм, нее подготовленный для переконтакта позитивный монтаж (не показано),всю поверхность вакуумного пластинодержателя 3 покрывают полиэтилентерефталатной пленкой толщиной 70 мкм, включают вакуумный насос 5. Надежность вакуумирования контролируют по показанию вакуумметра 6 и визуально, по отсутствию карманов и пузь!рей между пленкой и вакуумным пластинодержателем 3. Затвор 7 устанавливают в нерабочее положение (см.фиг. 3), включают люминесцентные лампы облучателя 1, контролируют визуально их зажигание, затем переводят затвор 7 в рабочее положение (см.фиг. 2) и проводят экспонирование в течение выбранного времени, По окончании экспонирования затвор 7 переводят в нерабочее положение (см,фиг. 3), отключают лампы облучателя 1, прекращают вакуумирование, удаляют с вакуумного пластинодержателя 3 полиэтилентерефталатную пленку, снимают монтаж и проэкспонированную фотопленку, которую проявляют, промывают и высушивают в стандартных для данного вида фотопленки условиях. Получают нетатив, пригодный для. использования в качестве фотоформы при изготовлении фотополимерных печатных форм, Для изготовления фотополимерных печатных форм светокорректирующий экран 3 с затвором 7 снимается, Использование установки без светокорректирующего экрана

3 с затвором 7 для экспонирования высокочувствител ьн ь1х по сравнению с фотополимеризующимися материалами серебр росодержащих фотопленок не может обеспечить получение качественных фотоформ из-за большой мощности излучения люминесцентных ультрафиолетовых ламп облучателя 1.

Величина сквозных отверстий в затворе

7 и основании 10 и расстояние между центрами соседних двух отверстий выбирается исходя из формата вакуумного пластинодержателя 3, мощности потока излучения и конкретной конструкции установки.

Применение данной установки позволя. ет иметь в типографии одну единицу оборудования, на которой можно проводить экспонирование серебросодержащих фотопленок, бессеребряных светочувствительных материалов и фотополимеризующихся пластин, а также других фотополимеризующихся формных материалов для получения . офсетных форм и копий для травления.

Формула изобретения

Установка для экспонирования фотополимеризующихся пластин, содержащая облучатель с люминесцентными лампами

1781666

20 ультрафиолетового излучения, вакуумный пластинодержатель и,затвор, о т л и ч à ю щ а я с я тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей, она снабжена размещенными над вакуумным пластинодержателем 5 перпендикулярно к направлению светового потока светокорректирующим экраном, выполненным в виде последовательно расположенных друг за другом светорассеивателя в виде матовой стеклянной пластины 10 или матированной полимерной пленки, стеклянного или пленочного светофильтра, отсекающего излучение с длиной волны менее 380 нм, и светонепроницаемого основания в виде листа с группой идентичных сквозных отвер- 15 стий диаметром в диэпазоне от 10 до 30 мм, размещенных на поверхности основания в шэхмвтном порядке с расстоянием между центрами двух рядом распОложенных сквозных отверстий в диапазоне от 50 до

200 мм, соответственно, при этом затвор вы пол нен в виде листа из материэла, идентич E ного материалу основания, и с группой сквоз-. ных идентичных отверстий диаметром в диапазоне от 4 до 20 мм, причем группа идентичных отверстий затвора расположена соответственно сквозным отверстиям основания, а расстояние между центрами двух рядом расположенных сквозных отверстий затвора равно расстоянию между центрами соответствующих им сквозных отверстий;основания, при этом затвор размещен между облучателем и светокорректирующим экраном с возможностью возвратно-поступательного перемещения параллельно плоскости основания светокорректирующего экрана.

1781666

Составитель С.Шигалович

Техред М.Моргентэл Корректор Н.Тупица

Редактор

Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород, ул,Гагарина, 101

Заказ 4214 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Установка для экспонирования фотополимеризующихся пластин Установка для экспонирования фотополимеризующихся пластин Установка для экспонирования фотополимеризующихся пластин Установка для экспонирования фотополимеризующихся пластин 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электротехнике и технологии изготовления прецизионных индуктивных элементов со сложной конфигурацией

Изобретение относится к технике полупроводникового производства, в частности S к рентгенографии, и предназначено для ис-

Изобретение относится к технике полупроводникового производства, в частности к рентгенолитографии, и предназначено для использования в установках для совмещения рисунка на маске с рисунком на подложке и экспонирования

Изобретение относится к устройствам для экспонирования светочувствительных материалов и позволяет повысить производительность и расширить класс изготавливаемых плат

Изобретение относится к проекционной литографии и может быть использовано в процессах изготовления интегральных, оптических, оптоэлектронных схем и оригиналов с субмикронными размерами элементов

Изобретение относится к устройствам экспонирования, а именно к системам для переноса преобразованных в цифровую форму изображений на чувствительную основу

Изобретение относится к области микролитографии, в частности фотолитографии, и может быть промышленно реализовано, например, при изготовлении интегральных схем или структур со сформированным по заданной программе рельефом с субмикронным разрешением

Изобретение относится к области микролитографии (в частности, фотолитографии) и может быть промышленно реализовано, например, при изготовлении интегральных схем или структур со сформированным по заданной программе рельефом с субмикронным разрешением

Изобретение относится к области микролитографии, в частности фотолитографии, и может быть промышленно реализовано, например, при изготовлении интегральных схем, бинарных голограмм или структур со сформированным по заданной программе рельефом с субмикронным разрешением

Изобретение относится к способу изготовления подложки, снабженной слоем резиста с рельефной структурой, воспроизводящей дифракционную структуру
Наверх