Способ изготовления балочных упругих элементов

 

Использование: групповые способы изготовления упругих балочных элементов Сущность изобретения: получают упругий элемент с сечением в виде прямоугольника или вогнутого шестиугольника при повышенной точности воспроизведения формы и размеров упругого элемента путем окисления пластины кремния до определенной толщины окисла, ориентации упругого элемента вдоль кристаллографического направления (110), вскрытия окон в окисле с двух сторон пластины и последующего анизотропного травления при фиксированной температуре и в течение определенного времени. 7 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (я)5 Н 01 L 2I/302

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 (21) 4908585/25 (22) 05.02.91 (46) 23.12.92. Бюл. N. 47 (71) Научно-исследовательский институт

"Поиск" (72) А.В.Косарев, В.П.Завьялов, А.И,Куць, А.Г.Четчуев, О.В.Чукалин и А.В.Юссон (56) Патент США

N. 3888708, кл. Н 01 1 21/00, 1969.

Ваганов В.И. Интегральные тензопреобразователи. М.: Энергоатомиэдат, 1983, с. 61. 100-101, (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БАЛОЧНЫХ

УПРУГИХ ЭЛЕМЕНТОВ

Изобретение относится к приборостроению, а именно к способам получения упругих элементов приборов из монокристаллов путем анизотропного травления.

Известен способ получения упругих элементов из кремния плоскости (IÎÎ) в виде мембраны заданной толщины (патент

США М 3888708) путем формирования окон в защитной маске с одной стороны пластины и травления до вскрытия паза с другой стороны, Этот способ пригоден для получения упругих элементов типа мембраны и не может быть использован для получения балочек заданного сечения.

Известен способ получения упругих балочек для микромеханических датчиков из пластин кремния с ориентацией плоскостй (100) в 30% растворе щелочи КОН с использованием защитных масок из Я! 02 (Ваганов

В.И. Интегральные тензопреобразователи.

М.: Энергоатомиздат, 1983, с. 61, 100-101).. ЯЛ«, 1783596 А1 (57) Использование: групповые способы изготовления упругих балочных элементов, Сущность изобретения: получают упругий элемент с сечением в виде прямоугольника или вогнутого шестиугольника при повышенной точности воспроизведения формы и размеров упругого элемента путем окисления пластины кремния до определенной толщины окисла, ориентации упругого элемента вдоль кристаллографического направления (110), вскрытия окон в окисле с двух сторон пластины и последующего анизотропного травления при фиксированной температуре и в течение определенного времени. 7 ил.

Недостатком такого способа является невозможность получения упругих изгибных балочек прямоугольного и других экономически выгодных форм поперечных сечений, т.е. сечений с максимальным моментом сопротивления при наименьшей массе, При анизотропном травлении известным способом возможно получать из пластины кремния плоскости (100) сечения балочек в виде треугольника, параллелограмма, трапеции, ромба и выпуклого шестигранника, что объясняется особенностями травления кристаллографических плоскостей: травление осуществляется только до плоскости (111), имеющей на несколько порядков меньшую скорость травления, чем другие плоскости кубической решетки. 3а счет этого достигается хорошая воспроизводимость формы упругого элемента.

Целью изобретения является разработка группового способа получения из пластины кремния кристаллографической ориентации

1783596 (100) балочного упругого элемента с повышенной точностью воспроизведения формы и размеров.

Поставленная цель достигается тем, что для обеспечения требуемой формы упругого 5 элемента при анизотропном травлении в

30 растворе КОН защитную маску из двуокиси кремния S10z выполняют с двух сторон пластины кремния толщиной не менее

2,3 10 h (h — толщина пластины), упругие 10 элементы располагают вдоль направления кристаллографической оси <110>, с двух сторон пластины в окисле вскрывают окна напротив друг друга определенной ширины не менее 0,75h и травление ведут в узком 15 диапазоне температур 96-98 С раствора КОН в течение времени не менее 230h минут (h — в мм) до получения прямоугольной или вогнутой шестиугольной формы сечения; затем

20 проводят окисление всей пластины с образованными на ней упругими элементами, . Указанная толщина S102 обеспечивает сохранение при травлении формы упругого элемента на плоскостях (100) пластины кремния, а размеры и расположейие окон в 25 окисле по отношению к упругому элементу позволяют выдерживать конфигурацию боковых сторон поперечного сечения. Для получения высокой точности воспроизведения групповым методом упругих элементов 30 на пластине требуется поддержание температуры и времени травления, а стабилизация упругих свойств выполняется за счет упрочнения поверхностного слоя упругого элемента термическим окислением всей 35 структуры.

На фиг. 1 показана стандартная круглая пластина кремния плоскости (100); на фиг. 2 — пластина кремния, окисленная с двух сторон; на фиг. 3 — пластина кремния 40 после фотолитографии по окислу с окнами с каждой стороны упругого элемента; на фиг.

4- пластина кремния,"разрез, после анизотропного травления до получения прямо угольного поперечного сечения упругого 45 элемента; на фиг. 5 — пластина кремния, разрез, со сформированными упругими элементами после окисления; на фиг. 6 — фрагмент уп ругого элемента с формой Сечения в процессе анизотропного травления; на фиг. 50

7 — две возможные формы сечения упругого элемента — прямоугольная и вогнутая шестиугольная.

Способ получения упругого элемента заключается в следующем. 55

Исйо льзуется с тандартйая пластийа кремния 1 с" полирбванными плос:-костями (100) А и В (фиг.1), например КДБ диаметром

76 мм и толщиной 0,34 мм. Термическое окисление пластин кремния производят в диффузионных печах до получения окисла 2 (фиг,2) с каждой стороны пластины до толщины не менее 2,3 10 зh, т.е. при h - 0,34 мм толщина окисла должна быть более

0,78 мкм, Минимальная толщина окисла выбирается исходя из обеспечения стойкости при травлении в 30% растворе КОН в воде при температуре 96-98 С. С помощью известных буферных травителей проводят фотолитографию по окислу (фиг.3). С каждой стороны пластины друг против друга вскрывают (снимают) окисел на всю толщину до кремния 1, получая окна 3 шириной более

0,75й с двух сторон балочного упругого элемента, в дальнейшем образуемого при анизотропном травлении под оставшейся частью окисла 2, Если h = 0,34 мм, то ширина окна > 0,248 0,25 мм.

Для получения требуемых форм и размеров и воспроизводимости сечения упругих элементов при травлении необходимо ориентировать упругие элементы на пластине: балочку по длине располагать вдоль направления кристаллографической оси <110>.

Анизотропное травление проводят в

30% растворе КОН (одновременно несколько пластин после фотолитографии), поддерживая температуру травителя в пределах

96-98 С путем его нагрева.

Оканчивают травление после получения заданного сечения 4 упругого элемента (фиг.4). Затем снимается остаточный слой окисла на плоскостях А и В и производится окисление всей структуры, при этом наружная поверхность сечения упругого элемента окисляется, появляется окисел SION., обеспечивающий упрочнение поверхности и улучшение упругих свойств упругого элемента, Процесс анизотропного травления основак на различных скоростях травления вдоль различных кристаллографических направлений (100), (1 10) и (111) и по различным кристаллографическим плоскостям (100), (110) и (111), Экспериментально установлено, что для травителя 30% KOH при 96-98ОС максимальные скорости травления плоскости (100) V>oo = 3,2 мкмlмин, плоскости (110)

V io = 4,5 мкм/мин и плоскости (111) Ч1 1"0,01 мкм/мин.

Благодаря разным скоростям травления Si и 3102 в окнах начинается постоянное снятие слоев, при этом боковые грани С и О (фиг,6) образуются плоскостью (111), располагаемой под углом а = 54,7 к плоскости (100) пластины. Эта плоскость кремния имеет наименьшую скорость травления, при1783596 мерно в 45 раз меньшую, чем для плоскости (100).

Если ширина окна, как видно из фиг. 5 больше, чем h tg (90 - a) - Мд 35,3

=0.7 h = 0.75 h (с учетом запаса на допуски), то при травлении насквозь с двух сторон пластины в сечении упругого элемента образуется выпуклый шестигранник за время11- — -156й.Прий=0,34ммт1 53мин.

7ч100

При дальнейшем травлении пластины кремния начинает расширяться сквозной паз F за счет снятия острия со скоростью ,5 мкм/мин до появления плоскости(110) (см. штриховые линии). а далее после получения прямоугольного сечения начинается ускоренное трввление в месте нахождения стравленного острия до образования сечения "вогнутый шестигранник". Время травления острия до получения прямоугольного сечения определяется как t2—

V»o

-78 h. Общее вре07 f 07h

»О 2 4,5 10 мя травления должно быть не менее с о t1+ t2 - (156 + 78)h " 234h мин, для

h = 0,34 мм, t = 80 мин, Через 80 мин анизотропного травления будет сформирован балочный упругий элемент прямоугольного поперечного сечения.

Если обеспечить травление при указанных режимах, то можно сформировать сечение

"вогнутый шестиугольник" (фиг,7). Два этих сечения в балочных упругих элементах, работающих на изгиб, обладают наименьшей чувствительностью к механическим воздействиям (минимальная масса при практически неизменном моменте сопротивления сечения), позволяют получить минимальную жесткость элемента в монокристаллической структуре. вдоль пластины.

Толщина защитного окисла при травлении до получения балочки прямоугольного сечения должна быть не менее

t Vslo2234h 0,01 10 =2 34 10 hMM =

5 -2,34 h мкм

Если h = 0,34 мм, то толщина окисла должна быть 0,8 мкм.

По предлагаемому способу изготовлены групповым методом из пластин кремния ак10 селерометры с балочными упругими элементами, имеющими размеры прямоугольного сечения 0,34 х 0,040 мм и 0,3 х 0,020 мм, длина упругих элементов 3-4,5 мм. Погрешность изготовления размеров сечения не превы15 шает + 2 мкм, выход годных при травлении до 100 элементов в пластине диаметром 76 мм 95 .

Введение кругового поверхностного окисления упругого элемента повышает ста20 бильность работы акселерометра, сокращая разбросы по настройке в партии до 10-20 .

Формула изобретения

Способ изготовления балочных упругих элементов групповым методом из пластин

25 кремния кристаллографической ориентации (100), включающий формирование с двух сторон пластины защитного окисла путем термического окисления и анизотропное травление в 30 -ном щелочном растворе

30 КОН, отличающийся тем, что, с целью повышения точности воспроизведения формы и размеров упругих элементов, термическое окисление проводят до получения толщины защитного окисла не менее 2,3 1(9

35 толщины пластины, ориентируют пластину относительно направления кристаллографической оси (110) с двух сторон пластины в окисле вскрывают окна напротив друг друга шириной не менее 0,75 толщины h пластины, 40 а анизотропное травление проводят при 9698 С до получения заданного сечения упругоro элемента, после чего дополнительно окисляют пластины с упругими элементами.

1T83596

>ЛФ

Фиг. Я

Фиг. 3

Фиг. 6

Составитель А.Косарев

Редактор Г.Бельская Техред М.Моргентал Корректор М.Ткач

Заказ 4520 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Способ изготовления балочных упругих элементов Способ изготовления балочных упругих элементов Способ изготовления балочных упругих элементов Способ изготовления балочных упругих элементов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для полирования полупроводниковых частиц

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для крепления полупроводниковых пластин при полировании

Изобретение относится к области ионно-плазменной обработки и может найти применение в микроэлектронике при производстве интегральных схем

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве пластин арсенида галлия на стадии финишного копирования

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии изготовления ИС на основе кремния

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение технологичности процессов механической обработки, выхода годных пластин, в частности, из материалов группы A3B5 в случае получения пластин с допуском диаметра 0,3 мм и менее

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных газовых датчиков с тонкими мембранами /1- 5 мкм/, а также мембран для рентгеновских фотошаблонов

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых структур, получаемых:- путем механического утонения структур с нерабочей стороны структур до фиксированной толщины, например до толщины 6-20 мкм;- путем термического соединения (сварки через окисел) двух пластин разной проводимости, легирования и кристаллографической ориентации и механического утонения одной из пластин до фиксированной толщины, например до толщины 6-10 мкм;- путем механической или химико-механической доводки структур для выравнивания планарного рельефа, удаления дефектов с использованием Stop-процесса

Изобретение относится к способам термохимического травления тугоплавких химически стойких материалов, в частности к методам локального травления их поверхности, например, с использованием локального лазерного облучения

Изобретение относится к технике полупроводникового производства и может быть использовано для формирования многоуровневых межсоединений СБИС, в частности, для планаризации поверхности межслойного диэлектрика, межуровневого диэлектрика, для получения вертикальных проводников, диффузионно-барьерных слоев и адгезионных слоев на операциях подготовки поверхности пластин, например, при химико-механической полировке с последующей отмывкой их (гидромеханической, мегазвуковой и др.)

Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к фотошаблонным заготовкам (ФШЗ), предназначенным для формирования рисунка микроизображения при изготовлении интегральных схем

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении пластин из слитков или булей монокристаллов, например, сапфиров

Изобретение относится к производству изделий электронной техники и может быть использовано, например, на операциях очистки полупроводниковых пластин с помощью щеток и мегазвука
Наверх