Измерительный зонд

 

Изобретение предназначено для измерения физических и фотоэлектричеких параметров полупроводниковых материалов. Сущность изобретения: в корпусе установлены диэлектрический диск со сквозным аксиальным капилляром, заполненным ртутью и источник оптического излучения, причем диск выполнен из оптически прозрачного материала и расположен над источником излучения. Над диском расположен твердотельный электрический контакт. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК ((9) ((() (я)5 Н 01 L 21/66

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

Я

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ""-". ":: —:.

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ф

С: (21) 4893633/25 (22) 25.12.90 (46) 23.12.92. Бюл. hb 47 (71) Ленинградское производственное объединение "Электронприбор" (72) Б.С.Брикман (56) Авторское свидетельство СССР

М 974463, кл. Н 01 1 21/66, 1981.

Концевой Ю.А. и др. Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов. M.: Энергия, 1973, с. 45-46.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в измерительных устройствах для исследования и контроля МДП-структур в процессе обработки полупроводниковых пластин.

Известны конструкции измерительных устройств, позволяющие производить указанные измерения, содержащие контактное устройство и излучатель, например, инфракрасный, импульсы которого воздействуют на исследуемую зону полупроводниковой пластины с нанесенным цинк-галлиевым сплавом, взаимодействующим с контактной иглой. Однако такие измерительные устройства имеют низкую производительность из- мерений вследствие необходимости нанесения на пластину сплава в каждой зоне измерений.

Известны также сканирующие измерительные ртутные зонды, снабженные диэлектрическим диском со сквозным аксиальным капилляром, заполненным ртутью, которая позволяет сформировать на поверхности исследуемой структуры полупроводниковой пластины плоский ртутный контакт с пло(54) ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЙ ЗОНД (57) Изобретение предназначено для измерения физических и фотоэлектричеких параметров полупроводниковых материалов, Сущность изобретения: в корпусе установлены диэлектрический диск со сквозным аксиальным капилляром, заполненным ртутью и источник оптического излучения, причем диск выполнен из оптически прозрачного материала и расположен над источником излучения. Над диском расположен твердотельный электрический контакт. 1 ил. щадью, близкой к площади сечения капилляра, Недостатком этого устройства является то, что несмотря на высокую производительность измерений, невозможным оказывается исследование параметров, связанных с фотоэлектрическими измерениями.

Цель изобретения — создание высокопроизводительного измерительного зонда для исследования параметров полупроводниковых пластин, в том числе фотоэлектрических.

Q3

Поставленная цель достигается тем,, Q что в отличие от известного измерительного прибора, содержащего контактную иглу, касающуюся наносимого при каждом измерении на пластину цинк-галлиевого сплава, и инфракрасного излучателя, воздействующего на исследуемую зону полупроводниковой пластины, в предлагаемом измерительном зонде используется диэлектрический прозрачный диск с капилляром для подачи ртути в зону измерений, причем через прозрачный диэлектрический диск осуществляется воздействие инфракрэсно1783597

Составитель Б.Брикман

Техред М.Моргентал Корректор M.Òêà÷

Редактор Т,Шагова

Заказ 4520 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул, Гагарина, 101 го излучателя на кромку контактной площадки, образуемой ртутью.

На чертеже изображен предполагаемый ртутный зонд.

Измерительный ртутный зонд состоит из установленного в корпусе 1 светопрозрачного диэлектрического диска 2, в котором расположен аксиальный капилляр 3, заполненный ртутью 4, механизм перемещения ртути, включающий заполненную ртутью емкость 5, сообщающуюся с капилляром 3, к которой прилегает упругая мембрана 6 и электрический вывод 7, контактирующий с . ртутью. Зонд содержит установленный в корпусе 1 источник света, например, инфракрасный излучатель 8, расположенный с противоположной стороны светопрозрачного диска относительно плоского металлического контакта 9, расположенного над рабочей поверхностью диска, При этом излучатель 8 установлен таким образом, чтобы обеспечивалось воздействие излучателя на кромку образуемого ртутью контакта на поверхности полупроводниковой пластины, Измерительный зонд работает следующим образом.

Исследуемая пластина зажимается между поверхностями светопрозрачного диэлектрического диска 2 и плоского металлического контакта 9 так. чтобы исследуеg мый участок пластины оказался в месте капилляра 3. После подачи давления на мембрану 6 ртуть перемещается по капилляру 3 до обеспечения электрического кон5 такта с поверхностью исследуемой пластины. При подаче соответствующих параметров напряжения на плоский контакт 9 и электрический вывод 7 можно производить измерение физических параметров участка

10 кремниевой пластины. После подключения источника света 8 становится возможным измерение фотоэлектрических параметров пластины, 15 Формула изобретения

Изерительный зонд, содержащий корпус, источник оптического излучателя, жидкостной и твердотельный электрические контакты, отличающийся тем, что, с

20 целью повышения быстродействия измерений, зонд дополнительно содержит диэлектрический диск, расположенный в верхней части корпуса и выполненный из прозрачного для оптического излучателя материала, 25 жидкостной контакт выполнен в виде капилляра, созданного в диэлектрическом диске, заполненного ртутью, а источник оптического излучателя и твердотельный контакт расположены по разные стороны диэлект30 рического диска.

Измерительный зонд Измерительный зонд 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано как неразрушающий способ определения профилей подвижности носителей тока в полупродниковых слоях на полуизолирующих или диэлектрических подложках

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх