Способ изготовления полупроводникового прибора

 

Использование: изготовление силовых полупроводниковых приборов. Сущность изобретения заключается в том, что изготовляют полупроводниковую структуру с эмиттерным и коллекторным р-п-переходами, сплавляют ее с термокомпенсатором, формируют контакт, создают примыкающие одна к другой крутую и пологую фаски по периметру полупроводниковой структуры, осуществляют химическое травление фасок, контролируют параметры прибора, удаляют материал крутой фаски и устанавливают угол ее наклона равным 15-90°, на поверхности крутой фаски между эмиттерным и коллекторным переходами формируют фрезерованием алмазным диском и химическим травлением кольцевую канавку, при этом устанавливают угол между плоскостью алмазного диска и плоскостью эмиттерного перехода равным 5-10°, а травление осущеставляют в течение 30 с, и защищают фаски компаундом.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 Н 01 21/302

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4833973/21 (22) 04.06.90 (46) 07,01.93. Бюл. М 1 (71) Саранское производственное объединение "Электровыпрямитель". (72) В.Н.Рябцев, E.Â.Èåâëåâ и В.В.Елисеев (56) П.С,Агаларзаде и др. Основы конструирования и технологии обработки поверхности р-и-перехода М., Сов. радио, 1978.

Расчет силовых полупроводниковых приборов./Под ред. В.А,Кузьмина М., Энергия, 1970, с. 20, (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВО4НИКОВОГО ПРИБОРА (57) Использование: изготовление силовых полупроводниковых приборов. Сущность изобретения заключается в том, что изготовляют полупроводниковую структуру с

Изобретение относится к полупроводниковому приборостроению, в частности, к . технологии изготовления силовых полупроводниковых приборов, Цель изобретения — улучшение параметров полупроводникового прибора.

Сущность изобретения заключается в том, что изготовляют полупроводниковую структуру с эмиттерным и коллекторным р-и переходами, сплавляют ее с термокомпенсатором, формируют контакт, создают примыкающие одна к другой крутую и пологую фаски по периметру полупроводниковой структуры, осуществляют химическое трав-. ление фасок, контролируют параметры прибора, удаляют материал крутой фаски и устанавливают угол ее наклона равным 15900, на поверхности крутой фаски между

БЫ«1786540 А1 эмиттерным и коллекторным р-и-переходами, сплавляют ее с термокомпенсатором, формируют контакт, создают примыкающие одна к другой крутую и пологую фаски по периметру полупроводниковой структуры, осуществляют химическое травление фасок, контролируют параметры прибора, удаляют материал крутой фаски и устанавливают угол ее наклона равным 15-900, на поверхности крутой фаски между эмиттерным и коллекторным переходами формируют фрезерованием алмазным диском и химическим травлением кольцевую канавку, при этом устанавливают угол между плоскостью алмазного диска и плоскостью эмиттерного перехода равным 5-100, а травление осущеставляют в течение 30 с,и защищают фаски компаундом, эмиттерным и коллекторным переходами формируют фрезерованием алмазным диском и химическим травлением кольцевую канавку,при этом устанавливают угол между плоскостью алмазного диска и плоскостью эмиттерного перехода равным 5-100, а травление осуществляют в течение 30 с и защищают фаски компаундом.

Пример конкретного изготовления, На партии пластин кремния марки КОФ 60 — 150 абв в количестве 300 шт., с удельным сопротивлением 150 + 10% Ом см и толщиной

0,80+ 0.01 мм, последовательно проводя диффузию акцепторных примесей, окисление, фотолитографию и диффузию донорных примесей, формировали р -р-п-р-и-и структуры с глубиной залегания коллекторного и эмиттерного р-и-переходов 120 + 10

1786540 навку между эмиттерным и коллекторным переходами, которую затем травили в ранее указанной смеси кислот в течение 30 секунд. После контроля блокирующих напряжений наблюдалась следующая картина. У одной группы приборов характеристики улучшились настолько, что стали соответствовать расчетным значениям, поэтому их сразу покрывали КЛТ-80.

У другой группы приборов характеристики практически не изменились и их окончательно браковали.

У третьей группы характеристики улучшились, но не достигли расчетных. Эти приборы снова кратковременно травили в течение 10 сек.

Экспериментальные исследования показали, что данный способ позволяет достичь расчетных характеристик у 50-60 приборов, забракованных после изготовле20 ния с применением способа прототипа

Формула изобретения

Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий изготовление мирование контакта, создание примыкающих одна к другой крутой и пологой фасок

35 по периметру полупроводниковой структуры, химическое травление фасок, контроль параметров прибора и защиту фасок компаундом, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров полупроводникового прибора, перед защитой фасок компаундом удаляют материал крутой фаски и

Составитель E,Ïàíîâ

Техред М;Моргентал

Редактор

Корректор И.Шмакова

Заказ 250 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб„4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r, Ужгород, ул.Гагарина. 101 мкм, определенных на контрольных образцах методом послойного сошлифовывания и измерения удельного сопротивления и типа проводимости, Полученные структуры сплавляли с термокомпенсаторами из молибдена и со стороны эмиттера напыляли через маску алюминий. После этого на всех приборах с помощью алмазного инструмента формировали крутую фаску, рассчитанную из номинальных размеров, под углом

33: 1 и йологую под углом 2 20 5 и проводили струйное травление смесью на основе фтористоводородной, азотной и укс снЬй кислот в течение 30 сек. Ширина к той фаски составляла 0,8 мм, а пологой2, мгл. Ширина кольцевого участка между . пцлОгой фаскои и контактнои поверхностью . составляла О,о мм. После травления асе и риборы подвергались визуальному контролю и при наличии щелей или рисок они отбраковывались и изымались из партии, На остальных приборах измеряли вольтэмперные характеристики, Приборы, имеющие напряжения пробоя выше 2400В, защищали кремнийорганическим компаундом КЛТ-30А и передавали нэ последующие операции, Приборы, имеющие блокирующие напряжения ниже 2400В, подвергали кратковременному травлению в течение 10 сек, и снова подвергали контролю. Приборы с .рассчитанными характеристиками передавали на последующие операции, После этого на приборах, имевших щели, царапины и низкие напряжения пробоя алмазными инструментом под углом 30 формировали крутую фаску, таким образом, чтобы она заканчивалась в области выхода первоначально созданной пологой фаски. При этом сама фаска практически убирается полностью, С другой стороны уход or края термокомпенсатора, KGK правило, составлял 1,0 — 1,5 мм.

Затем вращающимся алмазным диском, движущимся подуглом5 — 10 поотношению в катодной rtoaeðõíoñòè выпрямительного элемента„формировали на крутой фаске ка25 полупроводниковой структуры с эмиттерным и коллекторным р-п-переходами, сплавление ее с термокомпенсатором, форустанавливают угол ее наклона равным 1590, а на поверхности крутой фаски между эмиттерным и коллекторным переходами

40 формируют фрезерованием алмазным диском и химическим травлением кольцевую канавку, при этом устанавливают угол меж-. ду плоскостью алмазного диска и плоскостью эмиттерного перехода равным 5 — 10О, а

45 травление осуществляют в течение 30 с,