Устройство для нанесения покрытий в вакууме

 

Использование: нанесение покрытий распылением мишени в вакууме с высокой производительностью в электронной промышленности . Сущность изобретения: устройство содержит эмиттер электронов 9, расположенный в отдельной камере, сообщающейся с технологической вакуумной камерой 17, анод 11 генератора плазмы, генерирующего после впуска технологического газа в камеру 37 плазменный поток S, который с помощью магнитов 64,30 и 21 направляют на мишень 7. при этом положительные ионы ускоряются при подаче регулируемого отрицательного напряжения на мишень, откуда атомы металла попадают на подложку 15. С этой целью мишень установi о Ш С

СОК}З СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 С 23 С 14/34

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР).

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ

«о

««« () . о (А3

5б

Уби

ЯЩ

Л

1 (21) 4356495/21 (22) 20.09.88 (31) P 3731693.1; 155,206; 197,040 (32) 21.09.87; 12.02.88; 20.05.88 (33) ОЕ; US (46) 23.02.93.Бюл. N 7 (71) Лейбольд АГ (DE) (72) Рольф Адам, Хан Айхерт, Ханс Бетц, Антон Дитрих, Гонде Диттмер, Клаус Хартиг, Фридрих Хасс, Райнер Людвиг, АльфредТелен, Макс Майр(РЕ). Грегор Аласдэйр

Кэмпбелл, Роберт Вильям Конн, Даниэль

Майкл Гебель (US) (56) Autsatz von D.M. Goebet, G.Campbell und

R.W,Conn Im Journal of Nuclear Material, 121, North Holland Physics Publishing, Divlslon.

Amsterdam, 1984, р.277-282.

-Патент США N. 2417288, кл. 294-71, 1965.,59 „1797629 АЗ

2 (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ (57) Использование: нанесение покрытий распылением мишени в Вакууме с высокой производительностью в электронной промы ш лен ности. Сущность изобретения." устройство содержит эмиттер электронов 9, расположенный в отдельной камере, сообщающейся с технологической вакуумной камерой 17, анод 11 генератора плазмы, генерирующего после впуска технологического газа в камеру 37 плазменный поток S, который с помощью магнитов 64,30 и 21 направляют на мишень 7, при этом положительные ионы ускоряются при подаче регулируемого отрицательного напряжения на мишень, откуда атомы металла попадают на подложку 15. С этой целью мишень установ1d

1797629

3 лена в непосредственной близости от противоположного эмиттеру электройов конца патрубка 19, при этом расположенный недалеко от подложки магнит 106 осуществляет

4 разделение и изменение направления части плазменного потока $2 на подложку. 11 з.п, ф-лы, 13 ил, Изобретение может найти применение электронной промышленности.

Целью изобретения является повышеие производительности.

На фиг.1 схематично показано устрой- 5 ство для нанесения покрытий с отдельным плазменным источником для нанесения по- . крытий на ленту с установленной под углом к плазменному потоку мишенью; на фиг.2— то же, с устанавливаемой с возможностью 10 перемещения в поперечном направлении к плазменному потоку мишенью и расположенным на ее обратной стороне магнитом;, на фиг;3 — неполное изображение вакуумной камеры и направление плазменного по- 15 тока в варианте исполнения, аналогичном

-показанному на фиг.2 (в частности, магнитные силовые линии обозначены между магнитной катушкой на патрубке генератора плазмы и установленной под углом и пере- 20 мещенной вниз мишенью; на фиг.4- . неполное изображение вакуумной камеры и вправление плазменного. потока при горионтально установленной. мишени в варианте исполнения устройства согласно фиг.2; 25

ha фиг.5- устройство, аналогичное показанному на фиг.1, но с кольцеобразной мишенью, установленной непосредственно на камере генератора: на фиг.6 — устройство, аналогичное показанному на фиг.5, но с до- 30 полнительным входом для реактивного газа в зону между мишенью и подложкой и с дополнительной откачкой из камеры, ограниченной экранами; на фиг.7 .— неполное изображение узла мишени с подложкой и с 35 направлением магнитных силовых линий на кольцеобразной мишени согласно фиг.6; на фиг.8 — устройство, представленное на фиг;5, но с мишенью, выполненной в виде ванйы или воронки; на фиг.9 — устройство с 40 дополнительными пбстоянными магнитами в области двух расположенных под углом друг к другу мишеней; на фиг.10- кольцевая ..составная мишень в перспективе; на фиг.11— продольный разрез изображенных на фиг.9 45 мишеней;. на фиг.12 — в перспективе мишени и технологическая камера с прямоугольйым поперечным сечением согласно фиг.9, 11; на фиг.13-устройство, изображенное на фиг,1. приспособленное для нанесения по- 50 крытий на проволоку и с установленной в поперечном направлении к плазменному потоку составной мишенью и кольцеобразно установленными насадами для подачи реактивного газа.

Устройство для нанесения покрытия (фиг.1) имеет вакуумную камеру 1 с отверстием 2 для откачки объема камеры, размоточное устройство 3. установленное с возможностью вращения, и намоточное устройство 4, барабан 5, перегородку 18, разделяющую вакуумный объем 1 на две камеры 16 и 17, патрубки 19 и 20 с намотанными на них магнитными катушками 21, змеевик 22, фиксируемую на кронштейне 24 в наклонном положении к перегородке 18 и патрубку 19 мишенью 7 с изоляторами 14 и

23, два проводящих электрический ток.и охлаждающую воду шлангопроводы 25, 26, которые так же, как и труба змеевика 22 с герметизацией, проведены через торцовую, .стенку 27 вакуумной камеры 1 в местах, обозначенных позициями 8, с магнитную катушки 106 на-обратной стороне барабана 5, подложку 15 в.виде ленты.

На другой торцовой стенке 28 вакуумной камеры 1 жестко установлена рейка, с помощью которой можно перемещать в направлении стрелки А магнитные катушки 64 и 30 с держателями 31 и 32, при этом кон- . центрично магнитным катушкам 64 и 30 расположен выполненный в виде полого профиля, соосно установленный с продольной осью патрубка 19, анод 11, конец которого, удаленный на большее расстояние от камеры 17, снабжен изолятором 10, удерживающим эмиттер электронов 9.

Анод 11 на конце, обращенном к вакуумному объему камеры 1, содержит фланец

33, с помощью которого анод фиксируется на торцовой стенке 28 вакуумной камеры 1, при этом между фланцем 33 и торцовой стенкой 28 расположен изолятор 34 между трубчатым анодом 11 и патрубком 19 или торцовой стенкой 28. Выполненный в виде полого профиля анод 11 содержит впускной штуцер 13 и охвачен змеевиком 12, через который протекает охлаждающая вода, Изолятор 10 жестко соединен с пластиной, имеющей отверстия 35, в которой предусмотрены проходы для воды и электрического тока 36, 1797629 камеру 37 генератора плазмы через штуцер 40

13 впускают аргон, поджигают аргоновую плазму и.на мишень 7 подают напряжение в диапазоне от 100 В до 1 кВ. На поверхности мишени создаются условия, аналогичные условиям ДС-катодного распыления, 45 при этом получаются сравнимые свойства нанесенных слоев. Однако по сравнению с

ДС-катодным распылением имеют место следующие преимущества.

Подаваемая на мишень мощность явля- 50 ется значительно большей. Так, например, с помощью ионного тока плотностью

1 А/см и напряжения на мишени 750 В создается мощность на единицу поверхности мишени 750 Вт/см, Ее можно срав- 55 нить с максимальной мощностью на единицу поверхности при магнетронном

ДС-катодном распылении в несколько десятков Вт/см . Соответственно повышается

Во внутренней области 37 в виде трубы из эмиттера электронов 9 (который выполнен, например, из гексаборида лантана) с большой площади эмиттируют электроны и ускоряют их к аноду 11. С помощью газа, одновременно впускаемого в камеру генератора плазмы через штуцер 13, в камере 37 генератора поджигают плазму.

Посредством магнитных катушек 30, 21, 64 и 106, которые охватывают как камеру 37 генератора плазмы, так и патрубок 19, закрепленный на торцевой стенке 27, патрубок 20, мишень 7 и держатель 5 подложки удерживаются на этих элементах, а плазму ограничивают между эмиттером электронов

9 камеры 37 генератора и мишенью 7 или подложкой 15, Магнитные поля оказывают такое воздействие, что эмиттированные первичные электроны дрейфуют вдоль силовых линий и только в результате столкновений могут попасть к аноду 11, при этом захватываются выбитые из мишени 7 вторичные электроны. которые также способствуют ионизации, Генерируемые при этом ионы дрейфуют также вдоль магнитных силовь1х линий. На мишень 7 попадает поток ионов высокой интенсивности, однако энергия ионов сравнительно мала, но когда на мишень 7 попадает отрицательный потенциал, то ионы из наружного слоя плазмы направляются на мишень 7 с ускорением.

Путем изменения магнитного поля плазменный поток 2 можно направлять под углом до 180о,.поэтому монтажное положение мишени 7 относительно продольной оси

2 камеры 37 генератора плазмы или потока плазмы или относительно патрубка 19 можно выбирать каким угодно.

ilpui катодном распылении металлов в

35 и интенсивность нанесения покрытия.

Для меди интенсивность нанесения о составляет 1200 А /с при расстоянии до подложки 100 мм и диаметре плазменного шнура 100 мм.

Электрический ток на мишени и напряжение на мишени можно регулировать независимо друг от друга, тогда как при

ДС-катодном распылении обе эти величины связаны одной характеристикой. Возможность независимого регулирования тока и напряжения дает преимущество, заключающееся в том, что независимо друг от друга на интенсивность распыления можно воздействовать посредством тока на мишени, а на качество нанесенного слоя — посредством напряжения на мишени.

Когда при реактивном катодном распылении вблизи подложки 15 через впускной штуцер 38 в камеру 17 напускают, реактивный газ, то физические условия сравнимы с условиями, создаваемыми при традиционном реактивном катодном распылении. В качестве реактивного газа применяют кислород, азот, аммиак или ацетилен.

Существенное отличие от традиционных устройств состоит в том, что вызывающие ионизацию электроны при реактивном катодном распылении поставляются мишенью 7, и поэтому процесс очень чувствителен к изменению химического свойства поверхности мишени. В устройстве ионы подают извне, и система ведет себя значительно стабильнее.

Дополнительное преимущество заключается и в том, что интенсивный плазменный поток можно использовать для увеличения диссоциирования атомов реактивного газа. Здесь не требуются дополнительные электроды и источники тока, что, как правило, необходимо для процесса реактивного распыления.

В одном из ollblToB c помощью описанной системы наносили слои нитрида алюмио ния со скоростью осаждения 100 А /с, что в 3 раза превышает скорость, достигаемую при магнетронном ДС-реактивном распылении.

При значительном ослаблении магнитного поля за мишенью 7 плазменный поток можно разделить на две ветви, одну из которых испольэовать для распыления металлической мишени 7, а другую -К для активации реактивного газа или для плазменной обработки подложки 15. В этом случае путем подбора соответствующих ступеней давления независимо друг от друга можно оказывать воздействие на темпе1797629 ратуру электронов в обеих ветвях плазмен- Кроме того, при соответствующем выбоного-потока. ре рабочих параметров данное устройство . При высоких плотностях энергии, при такжеможноиспользовать;в.качествеисточдостаточно малом охлаждении мишени 7 с .: ника ионов металла. Вероятность иониэапомощью плазменного потока можно рас- 5 ции:распыленных .атомов металnа в плавлять и испарять материал мишени. В плазменном: потоке является..функцией этом случае мишень 7 необходимо устанав- плотности плазмы и- температуры электро-, ливать горизонтально, т.е. параллельно нов. продольной оси патрубка 19, кэк показано . " При используемых здесь плотностях пона фиг.4,, 10 тока плазмы путем понижения парциальноПод воздействием имеющейся интен- го давления йа 300х104 Па темперагуру сивной плазмы получаются слои улучшенно- : электронов можно повыситьнастолько, что, го качества по сравнению со слоями, например, атомы. меди"ионизйруются уже полученнымис помощью испарительныхус- на длине пробега:.через плазму в.пределах тройств, так как испарившиеся атомы ме- 15 нескольких сантиметров ; талла в плазме частично ионизируются. Если поставить".мишень - 7 перпендикуОписанное устройство йо конструкции лярно магнитным силовым линиям,"то проще известных; так как в противополож- вследствие отличающихся "масс"и.энергий ность испарению с помощью ионного или различных сортов ионовполучаются .различ-, электронного луча не требуется высокого 20 ныеЛарморовские-,радиусы,с которыми отнапряжения (типичное напряжение источ- дельные cîðòà ионов":вращаются вокруг ника 80 В, типичное напряжение на мишени - магнитных силовых линйй (напрймер; А = 4

700 В). : см,-С - 14 см; при напряженности магнит-Плазменный поток можно получать ного поля 100 Гс), Это позволяет разделять больших размеров и любой формы; Скайи- 25 различные сорта :.ионов металлов. " рующее устройство не требуется. Благодаря Следует также добавить",:что в;:устройсттому. что плазменный поток сам по себе ве по фигЛ предусмотрен штуцер 38;через вляется квазинейтральным, то управление который, вводится газ" в область между мим значительно упрощается. Дополнитель- шеныо 7 и подложкой:15 в:то время как в ные устройства для нейтрализации потока 30 варианте выпоанения устройства по фиг.2 не требуются. мишень 7 жестко закреплена: нэ кронштей-.

Для покрытия подложки сплавом опре.- не 24 в наклонном.положейии.:Вариант.-выделенного состава можно,йспользовать со- полнения сотлаСно . фиг.2 предоставляет ответствующуюмишень7. возможйость перемещать мишень 7 на

Однако, если необходимо изменить со- 35 кронштеййе в вертикальном -направлении. став наносимого слоя, то целесообразно (фиг.З). Кроме того, в этом устройстве-соприменять различные мишени 7, состоящие гласно фиг.2 — 4 мишень на своей обратной из отдельных. легирующих компонентов, .и стороне снабжена магнитом.6. плазменным потоком больших размеров пе- Устройство -согласно фиг,5 содержит рекрывать все мишени. Посредством под- 40 анод 55, имеющий в сечении прямоугольачи электрических напряжений различного ную форму, и соответственно выполненный уровня к отдельным сортам мишеней можно патрубок 38, охваченный.допрлнительным, регулировать желаемый состав слоя.: имеющим вид.рамки "элек"громагнитом 39, Благодаря небольшому конструктивно- который. может перемещаться в направлему размеру применяемой здесь мишени 7 45 нии стрелки.Е, Кроме того;-установленная в элементы мишени из двух различных мате- камере 50 вакуумной камеры.53, подсоеди- -. риалов можно устанавливать, например, в ненной к отверстию 52 для откачки и соедишахматномпорядкеитемдостигатьнанесе- нен.ной с камерой 51; мишень 40 вместе с ния сплава с небольшими колебаниями со- охлаждающим фланцем зафиксирована на става.. 50 кольцеобразном или рамообразном изоля) Кроме того, несколько мишеней 7 мож- торе 42, который, в свою очередь, жестко но устанавливать концентрично с осью установлен на фланце 43, являющемся элеплазменного потока S или перпендикуляр- ментом штуцера 38. Штуцер 38 содержит но магнитным силовым линиям m. Так как змеевик 44, который одновременно. являетдля каждой мишени 7 необходимо симмет- 55 ся магнитной катушкой и подключен к трубе ричное оси плазменного потока направле- 45, которая, во-первых, подводит и отвоwe нанесения, то на субстрате параллельно дит охлаждающую воду и, во-вторых, обра плазменному потоку S получается пастоян- зует токопровод 44:. Напротив мишени 40 ный по всей поверхности покрытия состав предусмотрен барабан 46,:llo которомуобразличных компонентов нанесенного слоя. рабатываемая лента 47 проходит от размо1797629

40

50 точного устройства 48 к намоточному устройству 49, Плазма, выходящая из штуцера 38, в частности, под воздействием магнита 39, направляется на мишень 40, при этом в нару>кном слое плазмы ионы газа ускоряются электрическим полем, направляются на мишень 40 и распыляют ее материал. При этом на мишени 40 не образуется эрозионная воронка; напротив, материал мишени 40 снимается равномерно. Пластина 66 между мишенью 40 и подложкой 47 препятствует попаданию средней части плазменного шнура непосредственно на подло>кку 47. На стенке, разделяющей друг от друга обе камеры 50 и 51, закреплена еще одна кольцеобразная или рэмообразнач магнитная катушка 60, с помощью которой можно управлять.плазменными потоками 32 или оказывать на них воздействие.

В устройстве согласно фиг.6 патрубок

54 и анод 55 снабжены экранами 56 и 57, при этом ограниченная обоими экранами 56 и 57 камера 58 подключена к дополнительной откачной трубе 59. Эта промежуточная откачка позволяет предотвратить возможный поток нейтрэльнь|х частиц от мишени

40 к источнику электронов 9 или полностью исключить его. Между барабаном 46 и мишенью 40, рядом с магнитной катушкой 60, установлена подключенная к трубопроводу

62 рамообрэзная труба 61 для напуска газа .с насадками 63. Кроме того, предусмотрена другая, передвигаемая магнитная катушка

65, которая в сочетании с другими магнитными катушками 44 и 60 позволяет оказывать воздействие на облако плазмы в области мишени 40. Вытекающий из насадок 63 газ (например, кислород) позволяет сделать плазму химически более активной, Пластина 66, расположенная в области продольной оси патрубка 54, позволяет экранировать центральную часть плазменного потока.

B варианте выполнения устройства согласно фиг.8 мишень 67 в сравнении с мишенью согласно фиг,5 выполнена в виде ванны или воронки, при этом подключенный к охлаждэемому трубопроводу 69 охлаждаемый фланец 68, зафиксированный на изоляционном кольце 42, имеет также соответствующую форму в виде ванны или воронки. Благодаря наклонному положению поверхности мишени 67 к продольной оси патрубка 38 используют ту составляющую электрического поля, которая проходит перпендикулярно магнитному полю, так что около мишени 67 обеспечивается траектория электронов мэгнетронного типа, 5

В варианте выполнения согласно фиг.9 две мишени 70 в виде пластины или прямоугольногоо параллелепипеда зафиксированы на двух подключенных к охлаждающему трубопроводу 73 охлаждаемых фланцах 71, которые в своей внутренней области содержат постоянные магниты 72 или 74 (см. фиг.11), магнитные поля которых могут создавать несколько траекторий 75 и 76. Обе мишени 70 соответственно образуют с продольной ось штуцера прямоугольного профиля угол а приблизительно по 45 каждый.

Как показано на фиг.10, мишень 40 согласно. фиг.5, 6 может также состоять из нескольких элементов 40 в виде кругового сектора, при этом отдельные элементы могут быть изготовлены из различных материалов и раздельно подключены к источнику тока 78.

Изображенные на фиг.11, 12 различные виды мишени 70 позволяют осуществлять равномерное нанесение слоя на подложку

47 в виде ленты сравнительно большой ширины, при этом на фиг.12 показано, что патрубок 38 имеет прямоугольный профиль и что обе плоские поверхности мишени расположены под углом к противоположным внутренним стенкам 77 патрубка 38, Устройство согласно фиг.13 отличается от устройств, изображенных на фиг,1 — 12, в основном тем, что в вакуумной камере 80 вместо направляемой с помощью намоточных устройств 3 и 4 или барабана 5 подложки 15 в виде ленты перемещают проволоку

83 с помощью выполненного в виде клетки каркаса 105, на котором с возможностью вращения установлены шесть параллельных друг другу роликов 82. Проволока 83 в процессе нанесения покрытия перемещается с установленного на валу 85 размоточного устройства 84 по роликам 82 на установленное на ведущем валу 87 намоточное устройство 86. Эмиттер электронов 88 с вводами 90 для охлаждающей воды и подачи напряжения выполнен так же, как и на фиг.1, при этом перемещаемая в направлении стрелки В магнитная катушка 91 окватывает анод 92 с его змеевиком 93. Мишень

95 выполнена из нескольких концентрично расположенных относительно друг друга элементов 94 и установлена таким образом, что ее дискообраэная торцовая поверхность располагается поперек продольной оси энода 92.

Мишень 95 снабжена вводами 96 для подачи воды и напряжения, которые в местах, обозначенных позициями 98, проходят через торцовую стенку 97. Позицией 99 обозначен штуцер для ввода реактивного газа в источник. через насадки 103, а поэи1797629

12 генерируют совершенно независимо от мишени, Напряжение и ток мишени можно рецией 101 — магнитная катушка. Обе магнитные катушки 91 и 101 имеют возможность перемещаться параллельно продольной оси анода 92 в направлении стрелки В.

Анод 92 содержит .также штуцер для впуска технологического газа в камеру 100 гулировать независимо друг.от друга, что также невозможно в известных устройствах.

Традиционные устройства магнетронгенератора плазмы. Ролики 82 расположены на кольцеобразных роликодержателях ного типа для нанесения покрытий используют в диапазоне давлений 0,3-1,0. Па. При

81, которые обеспечивают прохождение по таких давлениях длина свободного пробега центру плазменного тока к мишенй 95. Маг- 10 выбитого атома составляет около 1 см. нит 101 оказывает непосредственное. воз- Вследствие небольшой длины свободного пробега вйбит ые частицы: материа,ла расс®действие на плазменный поток в зоне держателя 105. иваются, прежде чем они:достигают -подВ соответствии с изобретением проис- ложки, Обычно для распыления необходима ходит высокоинтенсивное распыление. 15 энергиячастиц400-600-эВ,приэтомуровне и/или испарение металлов и диэлектрйков энергии мишени, как;и подложки,деформис помощью генерируемого вне вакуумной руются, или осуществляются- нежелателькамеры плазменного потока любого геомет- ные химическйе реакции на. поверхности рического сечения. При этом энергия час-: мишени. Кроме того;- магнетройные систетиц. воздействующих на мишень, 20 мы являются специфическими для опредезначительно больше энергии известных ус- ленных материалов, а это означает:, что тройств, например магнетронных или диод- выход вторичных электронов:из поверхно- . ных. Данные конструкции устройств, сти мишени оггределяет эффективность ., являются сравнительно простыми, и плазму плазмы, 25

5. Устройство по пп.1-4, о.т. л и:ч а ющ е е с я тем,.что мишень. размещейа ri iä

Формула изобретения

1. Устройство для нанесения покрытий углом к патрубку генератора:плазмы. или параллельно оси симметрии. камеры;: в вакууме, содержащее камеру с системой откачки и штуцером для подачи реактивного газа, в которой размещейы мишень,.подложка и генератор плазмы, укрепленный а торце дополнительной камеры, соедиенной с основной камерой патрубком, окруженным магнитами, и источник электропитания. отрицательная клемма которого соединена с мишенью, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения производительности, мишень снабжена магнитной системой, размещенной на стороне мишени. обращенной от подложки, причем торец ных концентрично вокруг продольной оси патрубка генератара плазмы.

9. Устройство по п.1, о т л и ч а ю щ е ес я тем; что магнитная система мишени выполнена из отдельных. магнитов, полюса которых обращены к нерабочей стороне мишени, 10. Устройство по пп.1-:9, отл и ча ющ е е с я тем, что отверстия штуцера подачи реактивного газа расположены эквидистантно мишени или концентрично вокруг нее параллельно плоскости мишени. патрубка генератора плазмы обращен к поверхности мишени.

2. Устройство поп.1, отл и ч а ю щ еес я тем, что мишень выполнена с возможностью углового поворота и продольного перемещения.

3. Устройство по п.1, о т л и ч а ю щ е ес я тем, что мишень выполнена в виде прямоугольника, а патрубок в сечении выполнен в виде прямоугольника, овала или окружности.

4. Устройство по пп.1-3, о т л и ч а ющ е е с я тем, что мишень размещена по оси симметрии камер.

6. Устройство по:йпЛ-З, отл и ча ющ е е с я тем, что торец:патрубка генератора плазмы снабжен фланцем для крепления электроизолированной.мишени, причем мишеньь охватывает торец, патрубка.

7. Устройство по пп.1-6; о т л и ч à. ю щ е е с: я тем, что. миШень имеет ваннооб- .. разную, чашеобрааную или воронкообразную форму;

8. Устройство по пп..1.,2.4-6, о т л и ч а .ю- щ е. е с я тем, что мишень выполнена в.виде секторов иэ разных материалов,:размещен- .

1797629

11. Устройство по п.1, о тл и ч а ю щ е ес я тем, что оно снабжено клеткообразным держателем, размещенным симметрично между соосно расположенными торцами патрубка генератора и мишени, при этом подложка в виде проволоки размещена на боковой поверхности держателя.

12. Устройство по пп.1-6, о т л и ч а ющ е е с я тем, что патрубок генератора плазмы снабжен диафрагмами.

Приоритет по пунктам;

21.09.87 по пп, 1, 9, 11;

12,02,88 по пп. 2 — 6 и 8;

20;05.88 по пп. 7 и 10.

:1797629

1797629

1797629

1797629

1797629

1797629

37976 29

Фиг. Ю

47976 9

1797629

96

96

96

Составитель С.Мирошкин

Редактор Г.Бельская Техред М.Моргентал. Корректор А.Козориз

Заказ 665 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035„Москва, Ж-35, Раушская наб,. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. У>кгород, ул.Гагарина, 101