Способ получения на поверхности диэлектриков электропроводящего слоя

 

G 11 ) C iI б4 х.

Сон)в Советских

Со11ивлистичесннх

Республин

/ г r ЬК

/ ск Й Фл «жт и и 4 ь. л и и/ й

И Ь."ТОРС.(С. .У СИ "-.Е12ЛЬСТЗУ

3111)исимос от авт. c!;идстсльства №

Кл. 21с, 2у34

Заявлено 30.V.1963 (Л> 839425/24-7) с присоединением заявки ¹

1 т

УД„ . 666,1 266.3(088.8)

:1 11 Ь-.".-Жп11, МПК H 01Ь

Приоритет

Опубликовано 26.111.1966. Бюллетень ¹ 8

Дата опубликования описания 11 V.19áá

Комитет ло делам изобретений и открытий т1ри Совете Министров

СССР

Автор изобретения

Б. П. Крыжановскии

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКОВ

ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩЕГО СЛОЯ

Предмет изобретения

Известные способы получения на поверхности диэлектриков электр опроводя щего слоя путем вакуумного испарения проводящего вещества (например, металлургической мед:1 или сульфида мели) с последующей тепловой 5 обработкой в парах серы треоуют сложного оборудования и могут привести к образованию окисной пленки на поверхности медного зеркала, снижающей проволимость покрытия.

Особенность предложенного способа состоит 10 в том, что на диэлектрик наносят слой селенида меди н последующую тепловую ооработку производят в атмосфере газообразного кислорода. Это упрощает технологию обработки и улучшает качество покрытия: 15

На диэлектрик испарением в вакууме (10 4 — 10 . л31 рт. ст.) наносят слой селеиила меди следующего стехиометрического состава:

Си-Яе 1,0 — 1,3, затем .этот слой прогревают на воздухе при тсмпературе 70 — 90 С в течение 20

1 — 2 час. Л!еняя толщину слоя (0.05 — 0,3 л1к), можно получать слои со светопропусканием в видимой области спектра 30 — 80"„и с удельным поверхностны: I сопротивлеш1ем 10—

10 о.я. 25

Удельное обьем нос соп ротивлеl! I! е достигает 10 в — 10 — 4 о.н/с31. Слой с улельиым поВерхност)1ым ool ()oT!!B. l .Ilием 100 03. прОпу— скаеf до 70 — 75) 0 ви;им o свет;l. ТокопровоЛЯЩие слои солеиид 1 мс.,ll lье )1с! IiIIOT своих 30!

i электрических и оптических свойств при наi peBe в атмосфере воздуха до 80 — 90 С. ллительный нагрев выше этих температур необратимо уменьшает проводимость вследствие окисления селепида кислородом.

Длительное пропускание как переменного, так и постоянного тока ие меняет cBOIicтн

1 слоя. В среде жидкого азота слои выдерживают плотность тока до 50 а/л1л1.- .

Электропроводящие слои селенила меди i!гут быть использованы для создания электрлюмннесцентных конденсаторов на основе Органических стекол и гибких полимеров, лл)1 снятия вредных статических зарядов с поверх-! ности органических и неорганических диэлектриков и нагрева смотровых органических с) кол.

Способ получения на поверхности д текТРИI,ОВ электРОП РОВОЛЯ ц1СГО слоя, ИР )3t) 3" н"!

В Видимой Ооласти спектра, и TB)I Вак1 у. Июго испарения проволящ;го вещества с после.",ующей тепловой его абра !.Têîé. От.нл.ющип, ". тем, что, с целью уиро:ценил тех:, ЛО1,::, ндиэлектрик»l)l!осят слой ссленила м ;; и . сслелующу1о oo(аоотку I,I)o:IBBo II B Tì « с

)c fë3ooîðBBíoãо I èoëoðîäë.