В. и. ульянова

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскиь

Социалистическиз

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 40т1, 3/02

21h, 18/10

Заявлено 05.11.1965 (№ 941846/22-2) с присоединением заявки №

Приоритет

МПК С 22f

Н 05b

УДК 621.365.5:669.018.,45-172 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытиЯ при Совете Министров

СССР

Опубликовано 13.Ч!11.1966. Бюллетень № 17

Дата опубликования описания 7.Х.1966

Авторы изобретения

Ю. Б. Петров и А. С. Васильев

Заявитель Ленинградский электротехнический институт им. В. И. Ульянова

Т И ГЕЛ Ь-И НДУ КТО Р

Известный тигель-индуктор для плавки IIQлупроводниковых материалов в гарниссаже и вытягивания кристаллов выполнен в виде двух коаксиально расположенных цилиндров с общим дном.

Отличием описываемого тигля-индуктора является то, что он выполнен в виде установленного в вертикальной плоскости индуктирующего витка, нижний полувиток которого имеет форму лодочки, а верхний снабжен отверстиями для загрузки шихты и вытягивания кристалла. Это повышает его эксплуатационные свойства за счет устранения электрического контакта расплава с обеими токоподводящими шинами и уменьшения времени стартового разогрева шихты.

На чертеже изображен тигель-индуктор в разрезах.

Нижний полувиток 1 тигля-индуктора выполнен в виде лодочки, загружаемой исходной шихтой, а верхний полувиток 2 имеет отверстие > для загрузки шихты по мере убывания расплава в тигле и отверстие 4, через которое опускают в расплав затравку и вытягивают кристалл.

Индуктирующий провод ннтенсивно охлаждается водой, в результате чего расплав находится в гарниссаже 5 из порошка исходного материала.

Направление шунтирующего тока совпадает с íàïðàâëåíèåì индуктированного тока, за счет чего ускоряется процесс нагрева шихты и уменьшается время стартового нагрева.

Предмет изобретения

Тигель-нндуктор для установок вытягивания из расплава монокристаллов электропроводных материалов, отличающийся тем, что, с целью повышения эксплуатационных свойств, он выполнен в виде установленного в вертика IbHoH плоскости индуктирующего витка, нижний полувиток которого имеет форму лодочки, а верхний снабжен отверстиями для загрузки шихты и вытягивания кристалла.

185492 !

2 !

ПФ7 ! дода

Составитель T. Фирсова

Редактор Л. М. Струве Техред Г. Е. Петровская Корректоры: Г. Е. Опарина и В, В, Крылова

Заказ 3001/6 Тираж 2120 Формат бум. 60X90 /8 Объем 0,1 изд. л. Подписное

11НИИ11И Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

В. и. ульянова В. и. ульянова 

 

Похожие патенты:
Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано в конструкции плавильного устройства для выращивания кристаллов из расплава, преимущественно кремния

Изобретение относится к устройству для выращивания кристаллов и способу выращивания кристаллов

Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов объемных монокристаллов сапфира и направлено на повышение срока службы элементов конструкции

Изобретение относится к технологии получения кристаллов веществ с температурой плавления, превышающей температуру размягчения кварца, например кремния, для полупроводниковой промышленности методом Чохральского

Изобретение относится к области выращивания из расплава поликристаллических слоев кремния и может найти применение в производстве солнечных элементов (фотопреобразователей)
Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов

Изобретение относится к созданию резервуара для хранения расплавленного кремния и способа его изготовления

Изобретение относится к области выращивания оптических кристаллов, предназначенных для применения в оптоэлектронных приборах
Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано, например, при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского

Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано, преимущественно, при получении кристаллов веществ с температурой плавления, превышающей температуру размягчения кварца, например, при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского
Наверх