Полупроводниковый модуль

 

Использование: в различных преобразовательных устройствах. Полупроводниковые структуры модуля расположены на основании круглой формы, разделены на части канавками и электрически соединены между собой в определенной последовательности выводами. При этом каждая часть кольца выполнена из отдельной дискретной полупроводниковой структуры в виде усеченного сектора, количество и размер которых определяют, исходя из применяемой схемы и мощности модуля. 3 ил. Ј

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (si)s Н 01 1 25/03

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) -„;, ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИ ;;-,,",., ".: „.../ (21) 5007661/07 (22) 31.10.91 (46) 23.03,93. Бюл, № 11 (71) Всероссийский электротехнический институт им. B,È.Ëåíèíà (72) Л,В.Горохов, В.А.Потапчук и Ю.В,Дученко (73) Всероссийский электротехнический институт им. В,И.Ленина (56) Авторское свидетельство. СССР

¹ 1631627, кл, Н 011 25/00, 1989.

Патент США ¹ 3820153, кл. 357 — 153, 1974, Заявка Японии № 59-68958, кл. Н 01 L

25/02, 1984.

Заявка Японии № 61-208874, кл. Н 01 L

29/74, 1986.

Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к выпрямительным блокам, и может быть использовано в различных преобразовательных устройствах.

Целью изобретения является увеличение активной площади переключающих элементов при снижении массогабаритов и увеличении функциональных возможностей модуля.

Указанная цель достигается тем, что в полупроводниковом модуле, содержащем полупроводниковую структуру круглой формы, разделенную на части канавками, каждая часть выполнена в виде усеченного сектора и содержит отдельную полупроводниковую структуру, К признакам, отличающим заявляемое решение от прототипа. относятся: выполнение каждой части из отдельной полупровод„„50„„1804665 А3 (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОДУЛЬ (57) Использование: в различных преобразовательных устройствах, Полупроводнико-. вые структуры модуля расположены на основании круглой формы, разделены на части канавками и электрически соединены между собой в определенной последовательности выводами. При этом каждая часть кольца выполнена из отдельной дискретной полупроводниковой структуры в виде усеченного сектора, количество и размер которых определяют, исходя из применяемой схемы и мощности модуля, 3 ил.

I никовой структуры, причем каждая полупроводниковая структура имеет форму усеченного сектора, Сравнивая с известными решениями предлагаемое, можно сказать, что использование отдельных дискретных полупроводниковых структур, имеющих форму усеченного сектора и расположенных по круговому кольцу, позволяет свободно решать схемные вопросы, что повышает функциональные воэможности модуля; позволяет наиболее эффективно использовать площадь основания за счет использования формы структур, т.к, их можно уложить плотнее, чем структуры круглой или прямоугольной формы. Такие структуры можно изготовлять из одной пластины, разделяя ее методом скрайбирования на нужное число секторов. В этом случае для достижения одной и той же мощности, сни1804665 маемой с пластины, требуется значительно меньше материала на ее производство. Еще больший выигрыш будет при сборке модуля из структур разной полярности, изготовленных аналогичным образом, с использованием как прямого, так и перевернутого монтажа, т.е, достигается качественно другой уровень повышения плотности монтажа модуля. В свою очередь это позволяет использовать для сборки круглые корпуса без потери их площади и таким образом снизить массогабариты самой сборки и в ряде случаев использовать для сборок корпуса приборов таблеточной конструкции.

На фиг.1 изображен общий вид предлагаемого модуля (разрез); на фиг.2 — керамическая подложка с полупроводниковыми структурами (вид сверху); на фиг.З вЂ” принципиальная электрическая схема модуля.

Модуль содержит (фиг.1,2) основание 1 с напаяной теплопроводящей керамической подложкой 2, на которой расположена полупроводниковая структура 3 круглой формы, разделенная на части канавками. Все части соединены между собой в определенной последовательности выводами 4, которые также соединены с силовыми шинами 5. Вся сборка помещена внутри корпуса 6 и залита компаундом.

Керамическая подложка 2 металлизирована по заданной топологии и на нее напаяны силовые шины 5. Каждая часть полупроводниковой структуры 3 выполнена в виде усеченного сектора и представляет из себя отдельную полупроводниковую структуру, количество и размер которых определен, исходя из применяемой схемы и мощности модуля.

Структуры могут быть изготовлены в том числе и с наличием логических элементов для решения более сложных схемных вопросов, В приведенном примере применены диодные полупроводниковые структу. ры, соединенные по схеме трехфазного диодного моста, электрическая схема которого показана на фиг.З.

При работе прибора на вход а, в, с

15 (фиг.З) подают напряжение от трехфазной сети переменного тока, а на выходе прибора

ДЕ снимают постоянное напряжение.

Таким образом, предлагаемая конструкция позволяет на 10-15 О сократить мас20 согабариты модулей данного класса, снизить на 5-10 расход исходного полупроводникового материала, увеличить функциональные возможности и технологичность модуля.

25 .

Формула изобретения

Полупроводниковый модуль, содержащий полупроводниковую структуру круглой формы, разделенную на части канавками, 80 отличающийся тем, что каждая. часть выполнена в виде усеченного сек.тора и содержит отдельную полупроводниковую структуру.

1804665

Составитель Л.Горохов

Техред М.Моргентал Корректор Л.©иль

Редактор

Заказ 1080 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород, ул. Гагарина, 101