Способ получения фоточувствительного материала для электрофотографии

 

Использование: электрофотография. Сущность изобретения: двуокись селена восстанавливают до элементарного селена. Восстановление осуществляют путем растворения двуокиси селена в этиловом спирте . Полученный диэтилселенит подвергают очистке с последующей обработкой стехиометрическим количеством гидрозина. Скорость обработки составляет 20 мкл/мин. Затем восстановленную двуокись селена смешивают с поливинилбутиралем. Пол-1 ученную смесь наносят на электропроводящую подложку, -.,;.,. .

СОЮЗ СОВЕТСКИХ сОциАлистических

РЕСПУБЛИК (я)ю G 03 G 5/08

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 (21) 4852970/12 (22) 26.07.90 (46) 07.04.93. Бюл. М 13 (71) Институт физики АН АЗССР (72) Н.И. Ибрагимов, Н.А. Музаффаров, З.M.

Абуталыбова, В.Г. Агаев и О.М, Мамедов (56) 1. Т. Salto, К. Tatsulshi. Japan Kokal

Tokkyo Koho 78, J Р 31, 137 (С! G03G 5/04), 24

Mar. 1978.

2. Fuji Photo FOm Со., Ltd, Japan Tokkyo

Koho 81, J Р 02,. 854 (Cl. G 03 g 5/08), 31 Jan.

1981. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО МАТЕРИАЛА ДЛЯ ЭЛЕКТРОФ ОТО ГРАФИИ

Изобретение относится к электрофотографии, в частности к получению фоточувствительного материала; и может быть использовано для регистрации и хранения информации.

Целью изобретения является улучшение качества фоточувствительного материала путем повышения начального потенциала, времени темнового полуспада и снижения остаточного потенциала, Указанная цель достигается тем, что в способе, включающем получение однородной суспензии, восстановление двуокиси селена до элементарного селена в растворе поливинилбутирала (связующего), нанесение продукта реакции на злектрапроводящую подложку, сушку полученного слоя и термокристаллизацию аморфного селена s тригональную форму, согласно изобретению двуокись селена переводится в диэтилселенит, который очищается и восстанавливается до элементарного селена стехиометриче„„Я „„1807442 А1 (57) Использование: электрофотография, Сущность изобретения: двуокись селена восстанавливают до элементарного селена.

Восстановление осуществляют путем растворения двуокиси селена в этиловом спирте. Полученный диэтилселенит подвергают очистке с последующей обработкой стехиометрическим количеством гидрозина. Скорость обработки составляет 20 мкл/мин.

Затем восстановленную двуокись селена смешивают с поливинилбутиралем, Пол-, ученную смесь наносят на электропроводящую подложку, Ф ским количеством гидразина. При проведении реакции восстановления необходимо подобрать такую скорость введения гидра- . зина в раствор, чтобы обеспечить эффектив- ный теплоотвод из раствора, предотвратить, © процесс коагуляции образовавшихся части- С) чек $е в агрегации со средним размером больше 7 мкм и получить коллоидный рас- фь, твор из взвешенных частичек фотопровод- Д, ника в связующем полимера. Эта скорость составила 20 мкл/мин.

Полученная таким образом суспензия наносилась на алюминиевую подложку, затем полученный слой сушился в обычных условиях при 60 С в течение 1 ч, а для кристаллизации селена отжигался при 160 С в течение 1 ч.

В таблице приводятся электрофотографические (ЭФ) параметры слоев, изготовленных предложенным способом, при различных соотношениях фотопроводниксвязующее.

1807442

Заявляемое техническое решение соответствует критерию "существенные отличия", так как не обнаружены решения со сходными признаками.

Пример 1. 422 мг двуокиси селена (Яе02), растворяя в 1,0 мл этилового спирта (EtOH), осуществляют процесс образования диэтилселенита. К продукту реакции после фильтрации при интенсивном перемешивании и охлаждении сухим льдом добавляют бензол. После удаления бензола и остатка

EtOH чистый диэтилселенит растворяют в

1,0 мл EtOH, перемешивают с раствором

600 мг поливинилбутирала (ПВБ) в 9 мл

EtOH. Затем проводят реакцию восстановления диэтилселенита до элементарного Se путем добавления 120 мкл гидразина (Й2Н4) со скоростью 20 мкл/мин при интенсивном перемешивании раствора, После введения

NgH4 перемешивание продолжают в течение 20 мин. Для приобретения раствором оптической прозрачности он отстаивается еще 20 мин. Затем полученная суспензия наносится на предварительно очищенную алюминиевую подложку. Указанная рецептура соответствует весовому соотношению фотопроводник-связующее1;2, Полученный слой сушат при 60 С в течение 1 ч и термообрабатывают при 160ОС s течение 1 ч. Такой слой при толщине 16 мкм обладал следующими ЭФ-параметрами: при поло жительной зарядке — начальный потенциал

U нач. = 4,1 10 В см, время темнового полуспада т ф = 110 с, интегральная светочувствительность S ф = 0,08(лк с), остаточный потенциал 0 ост = 0.1 О нач; при

+ . + отрицательной зарядке-0 нач=4,1 10 В

5 см"; г g =110с; S g =0,08(лк с)

0 ост = О." О нач .

Пример 2. Сохраняя все условия примера 1,700 мг Se02 растворяют в 1,5 мл

EtOH. После очистки полученный диэтилселенит растворяют в 1,5 мл Et0H, перемешивают с раствором 500 мг ПВБ в 5 мл EtOH.

Проводят реакцию восстановления диэтилселенита путем добавления 200 мкл N2H4.

Эта рецептура соответствует весовому соотношению фотопроводник-связующее 1:1, Слой, полученный на основе восстановленного 1и situ диэтилселенита, при толщине

16 мкм обладал следующими ЭФ-параметрами. при положительной зарядке

0 йач + 3,8 10 В см; г g = 82 с;

S + =0,15(лк с),0m 0,1 Uнач

-1, +, + при отрицательной зарядке

0 нач =37 10 В см ; r Я =80 с;

S 13 =015 (>K . с) : Оост =01 Онач, 10 Пример 3. Сохраняя все условия примеров 1 и 2, раствор очищенного диэтилселенита в ЕсОН перемешивают с раствором 250 мл

ПВБ в 3 5 мл Et0H. Проводится реакция восстановления диэтилселенита путем добавле15 ния 200 мкл NzH4. Такая рецептура . соответствует весовому соотношению фотопроводник-связующее 2;1. Слой, полученный на основе восстановленного диэтилселенита, при толщине 17 мкм обладает следующими

2р ЭФ-параметрами: при положительной зарядкеО+ч =28 105 В см 1 т ф =25c;

$ ч = 0,30 (лк с ); U ост = 0,06 0 нач — 1. + . +

25 при отрицательной зарядке—

Онач =2,8 10 В cNt T Я =20с, 5 — 1.

S Я .=0,32(лк с);Uост=0,05 Uнач

Оптимальными оказались ЭФ-слои при соотношении фотопроводник-связующее

1:1.

При получении ЭФ-слоев предложенным

35 способом независимо от полярности зарядки удается значительно повысить величину начального потенциала, время темнового полуспада при достаточно высокой светочувствительности и низком остаточном потенциале, 40

Формула изобретенйя Способ получения фоточувствительного материала для электрофотографии, включающий восстановление двуокиси селена до эле45 ментарного селена, смешивание его с поливинилбутиралем, нанесение слоя смеси на электропроводящую подложку. сушку слоя и термокристаллизацию аморфного селена в тригональный, отличающийся тем,что, 50 с целью улучшения качества материала,. восстановление осуществляют путем растворения двуокиси селена в этиловом спирте, полученный диэтилселенит подвергают очистке с последующей обработкой стехиомет55 рическим количеством гидразина, причем скорость обработки составляет 20 мкл/мин.

1807442

Составитель Н.Ибрагимов

Техред М.Моргентал Корректор М.Андрушенко

Редактор

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Заказ 1379 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Способ получения фоточувствительного материала для электрофотографии Способ получения фоточувствительного материала для электрофотографии Способ получения фоточувствительного материала для электрофотографии 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электрофотографическим носителям, позволяет повысить ресурс работоспособности носителя и качество его путем обеспечения хладотепловиб2 ростойкости

Изобретение относится к электрофотографии , в частности к электрофотографическим носителям для электрофотографических аппаратов, и позволяет повысить ремонтоспособность носителя

Изобретение относится к электрофотографическим носителям и позволяет повысить ресурс работы носителя путем повышения адезионной способности фотопроводящего покрытия с подложкой Носитель содержит металлическую подложку 1

Изобретение относится к способу изготовления электрофотографического носителя Цель - увеличить производительность и ресурс носителя

Изобретение относится к электрофотографии и позволяет улучшить качество носителя за счет снижения скорости темнового спада потенциала при увеличении фоточувствительности в диапазоне длин волн 400- 800 нм

Изобретение относится к электрофотографии и позволяет улучшить качество носителя за счет снижения скорости темнового спада потенциала при увеличении фоточувствительности в диапазоне длин волн 400- 800 нм

Изобретение относится к технологии нанесения покрытий в вакууме, в частности к конструированию оборудования, используемого для нанесения промежуточного носителя изображения на цилиндрическую поверхность

Изобретение относится к электрофотографическим устройствам
Наверх