Устройство для одностороннего травления пластин

 

r:Î1ÃË <:ОВЕ ГОЖИХ

СО! (ИИ ЛИС TM ID.КИХ

РЕСПУБЛИК (si>s Н 01 1 21/302

ГОСУДАРСТВЕННОЕ .ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВ(Х СССР (ГОСПАТЕНТ GCCP) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Ю QQ, С> (Л (,Д !

ы (21) 4935905/25 (22) 12.05.91. (46) 07.04.93. Бюл. ¹ 13 (71) Производственное объединение "Кремний" . (72) Д. Е,-Павленко и M. Е, Нестеров .: (56) Авторское свидетельство СССР.

¹ 879678, кл, Н 03 1 21/00, 1979;

Авторское свидетельство СССР № 1 257730, кл, Н 01 1. 21/306, 1984, (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОДНОСТОРОННЕГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛАСТИН (57) Изобретение относится к микроэлектронике, к производству полупроводниковых з Ns1»>3

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов и может быть исйользовано при химической обработке йолупроводниковых пластин.

Цель изобретения — повышение качества обработки полупроводниковых пластин за счет повышения количества степеней . свободы обрабатываемой пластины, На фиг. 1 схематически изображено предлагаемое устройство; на фиг. 2 — то же, в рабочем состоянии; на фиг, 3 — уплотнительный элемент из эластичного материала..

Устройство состоит из уплотнительного элемента 1, утолщенные кромки которого расположены в боковых канавках (гнездах) держателя 2 и прижаты к нему уплотнителями S и,З с помощью резьбового соединения между уплотнителем 5 и обоймой 4.

8 зафиксированных между собою с помощью шпонки 6 в уплотнителе 5 и держателе 2 просверлены отверстия 7 и 8. Шпонка обеспечивает их совмещение в процессе ра„„5Ц„„1807532 Al приборов, Сущность; устройство включает держатель, два дополнительных уплотнигеля, один из которых имеет отверстие. Эластичный уплотнительный элемент имеет форму лоткообразного кольца с утолщенными кромками, держатель выполнен в виде кольца с торцевыми канавками и отверстиями, соединяющими торцевые канавки с внутренней поверхностью кольца, при этом утолщенные кромки эластичного уплотнительного элемента прижаты двумя уплотнителями к держателю, а держатель зафиксирован в уплотнителе с отверстием, 3 ил. боты. Отверстие 9 соединяет внутреннюю полость образовавшейся камеры с отверстиями 8 и 7. Уплотнитель 3 одновременно является столиком, на который укладывается пластина 10 перед ее уплотнением.

Устройство работает следующим образом.

После того, как пластина 10 уложена на столик уплотнителя 3 в горизонтальном положении, в отверстие 7 вставляется медицинская игла (не показана), прокалывается утолщенная часть уплотнителя и в камеру напускается сжатый воздух, который приводит устройство в рабочее состояние (фиг. 2). йоСле чего игла вытаскивается, а устройство вместе с пластиной помещается в травитель, которому сообщаютсл необходимые независимые движения, обеспечивающие высокую размерность травления.

После проведения процесса травления таким же образом выпускается воздух и сменяется пластина.

I l; сдложлнное ус гроиство позяоляег до ситц- высокой эффективности при утонении нлаг,тины носке формирования структуры, ис. ключая операции защиты и возможные при этом технологические отходы как при травлении, так и при механической обработке.

Формула изобретения

Устройство для одностороннего травления пластин. содержащее держатель и эластичный уплотнительный элемент, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения качества обработки пластин за счет повышения коли секта» сте

10 отверстиями, соединяющими торцевые канавки с внутренней поверхностью кольца. при этом утолщенные кромки эластичного уплотнительного элемента прижаты уплотнителями к держателю, а держатель зафиксирован

s уплотнителе с отверстием.

180 7532

Составитель Д. Павленко

Техред М,Моргентал Корректор Н Гунько

Редактор

Производственно-издательский комбинат Патент, г. Ужгород. ул.Гагарина, 101

Заказ 1383 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Устройство для одностороннего травления пластин Устройство для одностороннего травления пластин Устройство для одностороннего травления пластин 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для полирования полупроводниковых частиц

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для крепления полупроводниковых пластин при полировании

Изобретение относится к области ионно-плазменной обработки и может найти применение в микроэлектронике при производстве интегральных схем

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в производстве пластин арсенида галлия на стадии финишного копирования

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение технологичности процессов механической обработки, выхода годных пластин, в частности, из материалов группы A3B5 в случае получения пластин с допуском диаметра 0,3 мм и менее

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности, к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных газовых датчиков с тонкими мембранами /1- 5 мкм/, а также мембран для рентгеновских фотошаблонов

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых лазерных диодов и светодиодов

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых структур, получаемых:- путем механического утонения структур с нерабочей стороны структур до фиксированной толщины, например до толщины 6-20 мкм;- путем термического соединения (сварки через окисел) двух пластин разной проводимости, легирования и кристаллографической ориентации и механического утонения одной из пластин до фиксированной толщины, например до толщины 6-10 мкм;- путем механической или химико-механической доводки структур для выравнивания планарного рельефа, удаления дефектов с использованием Stop-процесса

Изобретение относится к способам термохимического травления тугоплавких химически стойких материалов, в частности к методам локального травления их поверхности, например, с использованием локального лазерного облучения

Изобретение относится к технике полупроводникового производства и может быть использовано для формирования многоуровневых межсоединений СБИС, в частности, для планаризации поверхности межслойного диэлектрика, межуровневого диэлектрика, для получения вертикальных проводников, диффузионно-барьерных слоев и адгезионных слоев на операциях подготовки поверхности пластин, например, при химико-механической полировке с последующей отмывкой их (гидромеханической, мегазвуковой и др.)

Изобретение относится к электронной промышленности, а именно к фотошаблонным заготовкам (ФШЗ), предназначенным для формирования рисунка микроизображения при изготовлении интегральных схем

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано при изготовлении пластин из слитков или булей монокристаллов, например, сапфиров

Изобретение относится к производству изделий электронной техники и может быть использовано, например, на операциях очистки полупроводниковых пластин с помощью щеток и мегазвука
Наверх